Geri Dön

Au/TiO2/p-GaAs Diyotun Elektronik özelliklerinin incelenmesi

Investigation of electronic properties of Au/TiO2/p-GaAs (mis) diode

PDF İndir

  1. Tez No: 958792
  2. Yazar: İRFAN ÜNAL
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ADEM TATAROĞLU
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2025
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fotonik Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Bu tez çalışmasında ilk önce hazırlanan Au/TiO2/p-GaAs metal-yalıtlan-yarıiletken (MIS) diyotun akım-voltaj (I-V) karakteristikleri 20 mW/cm2-120 mW/cm2 aydınlatma şiddeti aralığında analiz edildi. I-V ölçümlerinden, MIS diyotun idealite faktörü (n), ters doyma akımı (I0), potansiyel engel yüksekliği (B0), seri direnç (Rs) gibi temel elektriksel parametreleri belirlendi. Bununla beraber, ters öngerilim bölgesindeki akımın artan aydınlatma şiddeti ile artarken doğru öngerilim bölgesindeki akımın hemen hemen değişmediği gözlendi. Ayrıca, ters öngerilim bölgesindeki fotoakımın karanlık akımdan daha yüksek olduğu görüldü. Daha sonra, MIS diyotun kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/-V) karakteristikleri 10 kHz-3 MHz frekans aralığında analiz edildi. C ve G/'nın frekans ile değişimi arayüzey durumların (Nss) varlığına atfedildi. Ek olarak, MIS diyotun kompleks dielektrik geçirgenlik (*)/elektrik modülüs (M*)/empedans (Z*) ve ac iletkenlik (σac) gibi dielektrik parametreleri ölçülen C and G/ verileri kullanılarak elde edildi. Bu parametrelerin güçlü bir şekilde frekansa bağlı olduğu gözlendi. Sonuçlar, hazırlanan MIS diyotunun hem ışığa hem de frekansa duyarlı olduğunu, optoelektronik ve elektronik uygulamalarda fotodiyot ve kapasitör olarak kullanılabileceğini doğrulamaktadır.

Özet (Çeviri)

In this thesis study, first the current-voltage (I-V) characteristics of the prepared Au/TiO2/p-GaAs metal-insulator-semiconductor (MIS) diode were analyzed in the illumination intensity range of 20 mW/cm2 -120 mW/cm2. From I-V measurements, basic electrical parameters of the MIS diode such as ideality factor (n), reverse saturation current (I0), potential barrier height (B0), series resistance (Rs) were determined. Moreover, it was observed that the current in the reverse bias region increased with increasing illumination intensity, while the current in the forward bias region remained almost unchanged. Also, the photocurrent in the reverse bias region was observed to be higher than the dark current. Then, the capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/-V) characteristics of the MIS diode were analyzed in the frequency range of 10 kHz-3 MHz. The variation of C and G/ with frequency was attributed to the existence of interface states (Nss). Additionally, the dielectric parameters of the MIS diode, such as complex dielectric permittivity (*)/electric modulus (M*)/impedance (Z*) and ac conductivity (σac) were obtained using the measured C and G/ data. It was observed that these parameters were strongly dependent on the frequency. The results confirm that the MIS diode is sensitive to both light and frequency exhibits a photoconductive behavior. The results confirm that the prepared MIS diode is sensitive to both light and frequency and can be used as photodiode and capacitor in optoelectronic and electronic applications.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    996494

    Vanadium as a critical resource: Multi-environment assessment of mafic intrusions and black shale settings in Western and Southern Anatolia, Türki̇ye

    Kritik bir kaynak olarak vanadyum: Batı ve Güney Anadolu'daki mafik sokulumlar ve siyah şeyllerin çoklu-ortam değerlendirmesi

    NAŞİDE MERVE SÜTÇÜ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2026

    Jeoloji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Jeoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ ZEYNEP DÖNER

    PROF. DR. MUSTAFA KUMRAL

  2. Tez No

    505183

    Kindia (Gine, Batı Afrika) bölgesindeki boksit yataklarının jeolojisi, jeokimyası ve kökeni

    Geology, geochemistry, and genesis of Kindia region's bauxite deposits (Guinea, West Africa)

    MOUSSA SIDIBE

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Jeoloji MühendisliğiAkdeniz Üniversitesi

    Jeoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUSTAFA GÜRHAN YALÇIN

  3. Tez No

    661659

    Cu katkılı TiO2 ince filmlerin memristiv davranışı ve karakterizasyonu

    Cu-doped TiO2 thin film based memristors and characterization

    BANAFSHEH ALIZADEH ARASHLOO

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HASAN EFEOĞLU

  4. Tez No

    973306

    TiO2 tabanlı heteroeklem yapının temel karakteristik parametrelerinin sıcaklığa bağlı I-V (akım-voltaj) ve C-V (kapasite-voltaj) ölçümlerinden tayin edilmesi

    Determination of basic characteristic parameters of TiO2 based heterojunction structure from temperature dependent I-V (current-voltage) and C-V (capacity-voltage) measurement

    MURAT KOCA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2025

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ŞAKİR AYDOĞAN

  5. Tez No

    575847

    NFC-doplu TiO2 fotokatalistine maruz bırakılmış aktif çamurun gerçek evsel atıksu biyodegradasyonundaki performansının ve yenilenebilirliğinin değerlendirilmesi

    Evaluation of the performance of microbial community induced by NFC-doped TiO2 nanoparticles on aerobic biodegradation of sewage wastewater and its' recoverability

    GÖKÇE FAİKA MERDAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Çevre MühendisliğiTekirdağ Namık Kemal Üniversitesi

    Çevre Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. GÜNAY YILDIZ TÖRE

Geri Dön