Modeling of low noise FET amplifiers
Düşük gürültülü FET kuvvetlendiricilerinin modellenmesi
- Tez No: 95465
- Danışmanlar: DOÇ. GÜNHAN DÜNDAR
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Düşük gürültülü yükselteç, Gömülü kanal, Gürültü, Low noise amplifier, Buried channel, Noise
- Yıl: 2000
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Boğaziçi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZET DÜŞÜK GÜRÜLTÜLÜ FET KUVVETLENDİRİCİLERİNİN MODELLENMESİ Gömülü kanallı, alan etkili MOS transistorun termal ve l/f gürültülerini içeren bir gürültü modeli bir de modeli ve bir küçük sinyal modeliyle beraber çıkarıldı. Geliştirilen termal gürültü modeli, tek katli bir gömülü kanalli, alan etkili MOS transistorlu kuvvetlendiricinin ısıl gürültüsüyle transistor ve de calisma parametreleri arasindaki ilişkilerin bulunmasinda kullanıldı. Çıkarılan l/f gürültü modeli kuvvetlendiricinin l/f gürültü performansının transistor ve de çalışma parametrelerine bağlı olarak bulunmasında kullanılmadı. Termal gürültü modeli düşük beyaz gürültülü alan etkili transistor kuvvetlendiricilerinin tasarımında kullanılabilir. ÖOKDM^TBfcSYCai M8HU3İ
Özet (Çeviri)
IV ABSTRACT MODELING OF LOW NOISE FET AMPLIFIERS Noise model of a buried channel MOSFET (BCMOSFET) including the thermal noise and ///"noise effects is derived along with a dc model and a small-signal model. The thermal noise model derived is used to examine the relationships between the thermal noise of a single stage BCMOSFET amplifier and the transistor parameters and the operating parameters. The 1/f noise model derived is not used to examine the amplifier 1/f noise performance in terms of the transistor and operating parameters. The thermal noise model can be used to design low white noise field effect transistor (FET) amplifiers.
Benzer Tezler
- İkinci harmonik şavaktan pompalamalı dağılmış parametreli karıştırıcı tasarımı
Başlık çevirisi yok
MUSTAFA TUNA ORDU
Yüksek Lisans
Türkçe
1995
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. OSMAN PALAMUSTÇUOĞULLARI
- Mikrodalga transistorun yapay sinir ağı ile performans analizi ve modellenmesi
Performance analysis and modelling of a microwave transistor by neural networks
CEMAL TEPE
Doktora
Türkçe
2000
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. FİLİZ GÜNEŞ
- İki boyutlu kafes parametrelerinin sınırlı veri alanlarından hesaplanması
The Calculation of the 2-D lattice parameters from short data records
NURŞEN YILDIZ
Yüksek Lisans
Türkçe
1994
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. AHMET HAMDİ KAYRAN
- Lageos I ve lageos II için doğruluk analizi
Başlık çevirisi yok
GAYE KIZILSU
Doktora
Türkçe
1998
Jeodezi ve Fotogrametriİstanbul Teknik ÜniversitesiÖlçme Tekniği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUHAMMET ŞAHİN
- Modelling and experimental study of low frequency and radio frequency radition from electronic devices
Elektronik sınavlardan yayılan düşük frekans ve radyo frekans (yüksek frekans) yayılımların ölçülmesi ve modellenmesi
HASAN KOÇER
Yüksek Lisans
İngilizce
1998
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiBoğaziçi ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SELİM ŞEKER