Ce katkılı ZnO filmlerinin elde edilmesi, fiziksel karakterizasyonu ve aygıt uygulamaları
Characterization, deposition of the ce doped ZnO films and its device application
- Tez No: 942808
- Danışmanlar: PROF. DR. YASEMİN ÇAĞLAR
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: ZnO, Sol-jel spin kaplama tekniği, Heteroeklem diyot, ZnO, Sol-gel spin coating technique, Heterojunction diode
- Yıl: 2025
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Eskişehir Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Fizik Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu tez çalışması kapsamında, sol-jel spin kaplama tekniği ile cam ve p-Si alttaşlar üzerinde katkısız ve seryum (Ce) katkılı çinko oksit (ZnO) filmleri elde edilmiştir. p-Si alttaş üzerine elde edilen filmlerde ısıl buharlaştırma yöntemi kullanılarak p-Si/n-ZnO:Ce heteroeklem diyotları oluşturulmuştur. Elde edilen filmlerin X-ışını kırınım desenlerinden filmlerin yapısal parametreleri olan yarı pik genişliği, örgü sabitleri, yapılanma sabiti ve dislokasyon yoğunlukları hesaplanmıştır. Filmlerin geçirgenlik spektrumlarından % geçirgenlik değerleri, absorpsiyon spektrumlarından optik bant aralığı değerleri bulunmuştur. Filmlerin morfolojik özellikleri incelemek için atomik kuvvet mikroskobu (AFM) ve taramalı elektron mikroskobu (SEM) kullanılmış olup, film pürüzlülük değerlerinin ve tanecik boyutunun Ce katkı oranının artmasıyla birlikte azaldığı görülmüştür. Elementel analiz yapılan filmlerde Zn, O ve Ce varlığı doğrulanmıştır. p-Si/n-ZnO:Ce heteroeklem diyotlarının elektriksel karakterizasyonları için akım-voltaj ölçümleri alınmış ve diyot parametreleri (idealite faktörü ve bariyer yüksekliği) hesaplanmıştır.
Özet (Çeviri)
In this thesis, undoped and Cerium (Ce) doped Zinc oxide (ZnO) films were on glass and p-Si substrates produced by sol-gel spin coating technique. p-Si/n-ZnO:Ce heterojunction diodes were fabricated by using thermal evaporation method. The structural parameters of the films such as full-width of the half maximum, lattice constants, texture coefficient and dislocation densities were calculated from the X-ray diffraction patterns of the films. The percent transmittance values were obtained from transmittance spectra of the films and the optical band gap values were obtained from absorption spectra. Atomic force microscopy (AFM) and scanning electron microscopy (SEM) were used to examine the morphological properties of the films and it was observed that the film roughness values and particle size decreased with the increase of Ce doping ratio. The elemental analysis confirmed the presence of Zn, O and Ce in the films. For electrical characterization of p-Si/n-ZnO:Ce heterojunction diodes, current-voltage measurements were obtained and diode parameters (ideality factor and barrier height) were calculated.
Benzer Tezler
- Buğdayda farklı melezleme teknikleri kullanarak tohum tutma oranının saptanılması
Başlık çevirisi yok
İSMAİL TÜZÜN
Yüksek Lisans
Türkçe
1986
ZiraatUludağ ÜniversitesiTarla Bitkileri Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HALİS RUHİ EKİNGEN
- Pik demiri ve karbon çeliğinin sulu çözeltiler içindeki korozyon hızının tayini
Determination of the rate of corrosion of the cast iran and carbon steel in the aqueous solutions
EMİNE NAZAN ÜNAL
Yüksek Lisans
Türkçe
1985
Kimya MühendisliğiGazi ÜniversitesiKimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HAYRİ YALÇIN
- Cam ve plastik seraların sonbahar domates üretimi yönünden karşılaştırılması
Başlık çevirisi yok
ERGUN DURAN
- Pre-eklampsi ve eklampsi vakalarında immünoglobülin düzeylerinin değerlendirilmesi (Klinik ve immünobiolojik araştırma)
Examination des valeurs d'immunoglobulines en cas de la toxemie gravidique
M. MURAT SEMİZ
Tıpta Uzmanlık
Türkçe
1987
Kadın Hastalıkları ve DoğumGazi ÜniversitesiKadın Hastalıkları ve Doğum Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MÜLAZIM YILDIRIM