Geri Dön

Antrasen - imin türevi arayüzey tabakalı au/n-si schottky diyotların ışığa bağlı akım-gerilim (I-V) karakteristiklerinin araştırılması

Investigation of light dependent currentvoltage (I-V) characteristics of au/n-si schottkydiodes with anthracene-imine derivativeinterfaci̇al layers

  1. Tez No: 940144
  2. Yazar: ÜMİT ATLIHAN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. NİHAT TUĞLUOĞLU, DOÇ. DR. IRMAK KARADUMAN ER
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Enerji, Energy
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2025
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Giresun Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Enerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Enerji Sistemleri Mühendisliği Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Bu tez çalışmasında, Antrasen-imin türevi AA-AMB organik bileşiği sentezlendi ve spin kaplama metodu ile n-Si alttaş üzerinde ince film olarak kaplanmıştır. Altın (Au) metali, hem doğrultucu hem de omik kontak olarak termal buharlaştırma metodu ile kaplandı. Au/AA-AMB/n-Si/Au yapısında Schottky diyotlar üretilmiştir. Üretilen diyotların karakteristikleri ve parametreleri, karanlıkta ve farklı ışık şiddetlerinde akım-voltaj (I-V) metodu ile araştırılmıştır. Gaussian 09 W üzerinde DFT/B3LYP/6-311G(d,p) yöntemi kullanılarak AA-AMB organik bileşiğinin dielektrik sabiti ve enerji bant aralığının sırasıyla 3,46 ve 3,124 eV olduğunu belirlenmiştir. Karanlık I-V ölçümlerinden doğrultma oranı (RR) 2205 olarak bulunmuştur. Karanlıkta ideallik faktörü (n), engel yüksekliği (ɸ_b) ve doyma akımı (I_0) değerleri 1,96, 0,810 eV ve 43,8 nA olarak 100 mW/cm2 ışık şiddetinde ise 1,03, 0,891 eV ve 1,97 nA olarak hesaplanmıştır. Farklı ışık şiddetlerinde ters beslem akımlarının artışı üretilen diyotun ışığa duyarlı olduğunu ve fotodiyot olarak kullanılabileceğini gösterdi. Farklı ışık şiddetlerinde düz beslem akımlarının davranışı fotovoltaik davranış göstermiştir. Açık devre voltajı (V_oc) ve kısa devre akımı (I_sc) gibi fotovoltaik parametreler ise 20 mW/cm2 ve 100 mW/cm2 ışık şiddetlerinde sırasıyla 0,22 V, 21,53 μA ve 0,17 V, 31,74 μA olarak belirlendi. Fotodiyotun, fotohassasiyeti (S), fototepkiselliği (R), spesifik dedektivite (D^*) ve doğrusal dinamik aralığı (LDR) ters voltaj ve ışık şiddeti ile değişti. Işık şiddeti arttıkça görüntü sensörleri için önemli bir özellik olan doğrusal dinamik aralığın (LDR) da arttığı bulundu (20 ve 100 mW/cm2 için 35,66 dB ve 50,83 dB).

Özet (Çeviri)

In this thesis, anthracene-imine derivative AA-AMB organic compound was synthesized and coated as a thin film on n-Si substrate by spin coating method. Gold (Au) metal was coated by thermal evaporation method as both rectifier and ohmic contact. Schottky diodes with Au/AA-AMB/n-Si/Au structure were fabricated. Characteristics and parameters of the fabricated diodes were investigated by current-voltage (I-V) method in the dark and at different light intensities. By using DFT/B3LYP/6-311G(d,p) method on Gaussian 09 W, the dielectric constant and energy band gap of AA-AMB organic compound were determined as 3.46 and 3.124 eV, respectively. From the dark I-V measurements, the rectification ratio (RR) was found as 2205. The ideality factor (n), barrier height (ɸ_b) and saturation current (I_0) values were calculated as 1.96, 0.810 eV and 43.8 nA in the dark and 1.03, 0.891 eV and 1.97 nA at 100 mW/cm2 light intensity. The increase in the reverse bias currents at different light intensities showed that the produced diode was light sensitive and could be used as a photodiode. The behavior of the forward bias currents at different light intensities showed photovoltaic behavior. Photovoltaic parameters such as open circuit voltage (V_oc) and short circuit current (I_sc) were determined as 0.22 V, 21.53 μA and 0.17 V, 31.74 μA at 20 mW/cm2 and 100 mW/cm2 light intensities, respectively. The photosensitivity (S), photoresponsivity (R), specific detectivity (D^*) and linear dynamic range (LDR) of the photodiode changed with the reverse voltage and light intensity. It was found that the linear dynamic range (LDR), which is an important property for image sensors, also increased as the light intensity increased (35.66 dB and 50.83 dB for 20 and 100 mW/cm2).

Benzer Tezler

  1. Liquefaction characteristics of Turkish lignites

    Başlık çevirisi yok

    M.SACİT ERDEM

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1987

    Kimya MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    DOÇ. DR. NURCAN BAÇ

  2. Benzen'den hareket ederek bazı azo boyar maddelerinin eldesi imkanlarının ve haslıklarının değerlendirilmesi üzerine bir araştırma

    Başlık çevirisi yok

    TÜLİN ÖKTEM

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1987

    Tekstil ve Tekstil MühendisliğiEge Üniversitesi

    Tekstil Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. NECDET SEVENTEKİN

  3. Seka fabrikası atıksu arıtma tesisinden çıkan katı atıkların sıvılaştırma koşullarının araştırılması

    Başlık çevirisi yok

    ÜLKÜ KİMYONŞEN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1988

    Kimya MühendisliğiÇukurova Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. FADİME TANER

  4. Susuz ortamlarda cereyan eden redoks reaksiyonlarının incelenmesi

    Investigation of redox reactions that proceed in non-aqueous media

    SELMA GÜL ÖZTAŞ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1991

    KimyaAnkara Üniversitesi

    PROF.DR. TURGUT GÜNDÜZ