Numerical simulation of interface shape for vertical bridgman-stockbarger crystal growth method
Dikey bridgman-stockbarger kristal büyütme metodu için arayüz şeklinin sayısal simülasyonu
- Tez No: 90810
- Danışmanlar: DOÇ. DR. BÜLENT G. AKINOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Dikey Bridgman kristal büyütme, sayısal ısı transferi, konveksiyon- difüzyon denklemi, Peclet sayısı, Biot sayısı, sıcaklık profili. vı, Arayüzler, Isı geçişi, Kristal büyütme yöntemleri, Sayısal benzetim, Sıcaklık, Vertical Bridgman crystal growth, numerical heat transfer, convection- diffusion eguation, Peclet number, Biot number, temperature profile. IV, Interfaces, Heat transfer, Crystal growth methods, Digital simulation, Temperature
- Yıl: 1999
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
oz DİKEY BRIDGMAN-STOCKBARGER KRİSTAL BÜYÜTME METODU İÇİN ARAYÜZ ŞEKLİNİN SAYISAL SİMÜLASYONU AKAR, EVREN Yüksek Lisans, Fizik Bölümü Tez Yöneticisi: Assoc. Prof. Dr. Bülent G. Akmoğlu Ortak Tez Yöneticisi: Prof. Dr. Ahmet Ecevit Aralık 1999, 70 sayfa. Bu tezde, üç bölgeli dikey Bridgman kristal büyütme sisteminde eriyik-katı arayüz şekli kakkında bilgi elde edilebilmesi amacıyla sayısal simülasyon gerçekleştirildi. Enerji denklemini sonlu fark yaklaşımı metodunu kullanarak çözen bir bilgisayar programı hazırlandı. Sıcaklık profilinin, büyüme hızının (Peclet sayısı), çeper ısı transferi katsayısının (Biot sayısı) ve ampul büyüklüğünün arayüz şekli ve konumu üzerindeki etkileri çözümlendi. Sistemimizi modellemek için değişik yaklaşımlar kullanılmış ve tüm sonuçlar özetlenip tartışılmıştır. Sonuçlar, kullandığımız sıcaklık profili ile GaSe'ın erime sıcaklığında, Peclet sayısı 0.0 ve0.2 arasında hemen hemen düz bir arayüzün elde edilebileceğini gösterdi. Bu değer 0.1 mm/saat'den daha az bir büyüme hızına denk gelmek tedir ki, bu bizim daha önceden GaSe büyütmek için sistemimizde kullandığımız hızlardan daha küçüktür. Arayüzün dışbükeyliliği (veya içbükeyliliği) Peclet sayısına oldukça bağlıyken, konumu Biot sayısına bağlıdır. Sıcaklık profilinin dikliği çok etken bir parametre değildir. Ampul ebatları arayüz şekli için etken bir parametredir. Sonuçların son zamanlarda rapor edilen literatüre uygun olduğu gözlenmiştir.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT NUMERICAL SIMULATION OF INTERFACE SHAPE FOR VERTICAL BRIDGMAN-STOCKBARGER CRYSTAL GROWTH METHOD AKAR, EVREN M.S., Department of Physics Supervisor: Assoc. Prof. Dr. Bülent G. Akınoğlu Co-Supervisor: Prof. Dr. Ahmet Ecevit December 1999, 70 pages. In this thesis, numerical simulation of a three zone vertical Bridgman crystal growth system is carried out to attain information about the shape of the solid- melt interface. A computer program is prepared to solve the energy equation (convection-diffusion equation) by finite difference approximation. Effects of the temperature profile, the growth rate (Peclet number), wall heat transfer coeffi cient (Biot number) and the size of the crucible on the shape and position of the interface are analyzed. Different approaches are used to model our system and all the results are summarized and discussed. The results show that for the Peclet number 0.0-0.2 almost a fiat interface can be obtained at the melting temperature of GaSe with the temperature profile we used. The value 0.2 corresponds to a growth rate less than 0.1 mm/hr, which is much smaller than we used earlier in our system for GaSe growth. The concavity (or convexity) of the interface depends largely on Peclet number whilest the position depends on Biot number. Steepness of the temperature profile is less effective parameter. Size of the crucible is another effective parameter on the iii mmmmshape of the interface. The results are in agreement with recent reports appeared in literature.
Benzer Tezler
- İstanbul Metro tünellerinin flac bilgisayar programı ile modellenmesi
Modelling of tunnels of İstanbul subway with flac computer software
OKAN ÖZBAKIR
Yüksek Lisans
Türkçe
1997
Maden Mühendisliği ve Madencilikİstanbul Teknik ÜniversitesiYeraltı Maden İşletmeciliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ERGİN NASUF
- ADIM: Üç boyutlu canlandırma sistemi
ADIM: A 3D animation system
A.GÖKHAN ERKMAN
Yüksek Lisans
Türkçe
1992
Bilgisayar Mühendisliği Bilimleri-Bilgisayar ve Kontrolİstanbul Teknik ÜniversitesiDOÇ. DR. FÜSUN TUNALI
- İstanbul Metrosunda uygulanan derin kazı destek sisteminin bilgisayar modelinin araştırılması
Computer modelling of the deep excavation support system which was applied in istanbul subway construction
SİNE AVŞAR
Yüksek Lisans
Türkçe
1997
Maden Mühendisliği ve Madencilikİstanbul Teknik ÜniversitesiMaden Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ERKİN NASUF
- Konut projelerinde ön tasar aşamasında, maliyet tahmini için bir model
A Model for cost estimation of housing projects in pre-design process
FULDEN BARAN
- Sonlu elemanlar metodu yardımıyla cam işleme prosesinin ısıl analizi
The Thermal analysis of glass forming process by finite elements method
R.ONUR GÜNDÜZ