Circuit design and technology evaluation of front-end RFic's for wireless communication
Kablosuz haberleşmede kullanılan ön kat RF tümdevreler için devre ve teknoloji değerlendirmesi
- Tez No: 899350
- Danışmanlar: PROF. DR. ŞİMŞEK DEMİR
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2024
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Ses, grafik ve video gibi çeşitli veri türlerini destekleyen kablosuz cihazlara olan talebin patlamasıyla birlikte, kablosuz iletişim teknolojilerine yönelik beklentiler hızla artmaktadır. Mevcut bulk-CMOS teknolojileri, ön uç kablosuz iletişim sistemlerinin gelişen ihtiyaçlarını karşılamakta yetersiz kalmakta ve bu da bileşenlerden entegre devrelere geçişi teşvik etmektedir. GaAs teknolojisi gibi III-V yarı iletken teknolojileri, radyo frekansı entegre devrelerinde üstün elektron hareketliliği, izolasyon ve gürültü özellikleri, ayrıca daha yüksek taşıyıcı hareketliliği ve geçiş frekansları (fT) nedeniyle tercih edilmektedir. Bu avantajlar, GaAs devrelerini geniş bant yüksek performanslı kablosuz iletişim sistemleri için ideal hale getirmektedir. Ancak, RF SOI CMOS son zamanlarda GaAs'a ciddi bir rakip olarak ortaya çıkmış, bulk-CMOS'a kıyasla daha yüksek fT ve daha iyi izolasyon gibi önemli RF performans iyileştirmeleri sunarken CMOS avantajlarını da korumaktadır. Bu yüksek lisans tezi, ön uç kablosuz iletişim cihazlarının alıcılarında, düşük gürültülü yükselteçler (DGY'ler) ve RF anahtarları gibi, GaAs ve RF SOI CMOS teknolojilerinin performanslarını karşılaştırmalı olarak analiz etmektedir. Amaç, geniş bant yüksek performanslı iletişim sistemlerinde GaAs'ın yerine RF SOI CMOS'un geçip geçemeyeceğini değerlendirmek ve böylece yüksek performanslı kablosuz sistemler için SoC çözümlerinin önünü açmaktır.
Özet (Çeviri)
With the explosive demand for wireless-capable devices supporting a variety of data types such as audio, graphics, and video, the expectations for wireless communication technologies are increasing. Current bulk-CMOS technologies are insufficient for the evolving needs of front-end wireless communication systems, leading to a shift from discrete components to integrated circuits (ICs). III-V semiconductor technologies, such as the GaAs process, are favored in radio frequency integrated circuits (RFICs) due to their superior electron mobility, isolation, and noise characteristics, as well as higher carrier mobilities and transition frequencies (fT). These advantages make GaAs circuitry ideal for wideband high-performance wireless communication systems. However, RF SOI CMOS has recently emerged as a potential challenger to GaAs, offering significant RF performance improvements over bulk-CMOS, such as higher fT and better isolation, while retaining CMOS advantages. This master thesis conducts a comparative analysis of receivers in front-end wireless communication devices, such as low noise amplifiers (LNAs) and RF switches, between GaAs and RF SOI CMOS technologies. The objective is to evaluate the potential of RF SOI CMOS to replace GaAs in wideband high-performance communication systems, thereby enabling SoC solutions for high-performance wireless systems.
Benzer Tezler
- Buzdolabı sebzeliklerini kontrollü nemlendirme ünitesi tasarımı
Controlled humidifying unit design for refrigerator crispers
OGÜN HIZAR
Yüksek Lisans
Türkçe
2020
Makine Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ ZEYNEP PARLAR
- Genel amaçlı biopotansiyel kuvvetlendirici
General purposes biomedical signal amplifying
CEYHUN SEZEN
Yüksek Lisans
Türkçe
1992
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiDOÇ. DR. MEHMET KORÜREK
- Yüksek darbe gerilimlerinin sayısal kaydı ve bilgisayarda değerlendirilmesi
Başlık çevirisi yok
CENK BULCA
Yüksek Lisans
Türkçe
1996
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiY.DOÇ.DR. ÖZCAN KALENDERLİ
- Asynchronous design of systolic array architectures in CMOS
CMOS devrelerle asenkron sistolik dizi mimarisi tasarımı
AYŞE NESLİN İSMAİLOĞLU
Doktora
İngilizce
2008
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MURAT AŞKAR
- 3um N-kuyu CMOS teknolojisi ile test kırmığı tasarımı ve tranzistor eşik gerilimi ayarı
Test chip design for 3 um N-well CMOS fabrication technology and threshold voltage adjustment
ZEYNEP D. TOROS
Yüksek Lisans
Türkçe
1991
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. DURAN LEBLEBİCİ