Ag perilen diimit / nGaAs/In schottky diyotlarda frekansa bağlı kapasitans-iletkenlik-gerilim karakteristiklerinin araştırılması
Investigation of frequency-dependent capacitance-conductance-voltage properties of Ag/perylene diimide/n-GaAs/In schottky diodes
- Tez No: 883055
- Danışmanlar: PROF. DR. NİHAT TUĞLUOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Enerji, Energy
- Anahtar Kelimeler: PDI organik malzeme, Schottky diyot, Kapasite-frekans, PDI organic material, Schottky diode, Capacitance-frequency, Conductance-frequency, Series resistance
- Yıl: 2024
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Giresun Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Enerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu tez çalışmasında, tellür katkılı n-tipi GaAs kristali, 2 inç çapında [100] doğrultusunda büyütülmüş, 500 μm kalınlığında, 1-20 Ω-cm özdirencinde seçilmiştir. n-GaAs kristali üzerinde döndürme ile kaplama metodu ile perilen diimit (PDI) organik malzemesi ince film halinde büyütüldü. Isısal buharlaştırma metodu ile omik ve doğrultucu kontaklar sırasıyla indiyum (In) ve gümüş (Ag) metal kullanarak oluşturuldu. Ag/PDI/n-GaAs/In Schottky diyotu üretildi. Elektriksel parametreleri belirlemek için kapasite-iletkenlik-frekans (𝐶 − 𝐺 − 𝑓) ölçümleri 0V-1V voltaj aralığında ve 1 kHz-1MHz frekans aralığında alındı. Frekansa bağlı arayüzey durum yoğunluğu, durulma zamanı ve seri direnç değerler hesaplandı.
Özet (Çeviri)
In this thesis study, tellurium doped n-type GaAs crystal was selected with a diameter of 2 inches, grown in the [100] direction, 500 μm thick, and a resistivity of 1-20 Ωcm. Perylene diimide (PDI) organic material was grown as a thin film on n-GaAs crystal by spin coating method. By the thermal evaporation method, ohmic and rectifying contacts were created using indium (In) and silver (Ag) metal, respectively. Ag/PDI/n-GaAs/In Schottky diode was fabricated. To determine electrical parameters, capacitance-conductivity-frequency (𝐶 − 𝐺 − 𝑓) measurements were taken in the 0V1V voltage range and 1 kHz-1MHz frequency range. Frequency-dependent interface state density, relaxation time and series resistance values were calculated.
Benzer Tezler
- 5 Cl Pu-Be nötron kaynağı kullanarak aktivasyon analizi ile analizi mümkün olan elementlerin dedeksiyon limitlerinin tespiti
Investigation of the possibility in analysis of elements by activation analysis and determination of detection limits of proposed elements using a 5 Cl Pu-Be neutron source
İSMET ÇELENK
- Çandarlı Körfezi'nde yayılış gösteren Ulvales (chlorophyceae) ordusu üyelerinin morfolojisi, anatomisi ve taksonomisi
Başlık çevirisi yok
BERRİN DURAL
- Isı değiştirgeç ağlarının optimum sentezi
Başlık çevirisi yok
SERAP CESUR
Yüksek Lisans
Türkçe
1987
Kimya MühendisliğiEge ÜniversitesiKimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. BENO KURYEL