Antrasen-imin arayüzey tabakalı Au/n-Si Schottky diyotlarda frekansa bağlı kapasitans voltaj ve iletkenlik-voltaj karakteristiklerinden seri direnç ve yüzey durumlarının araştırılması
Investigation of series resistance and surface states from frequency-dependent capacitance voltage and conductance-voltage characteristics in Au/n-Si Schottky diodes with anthracene-imine interfacial layer
- Tez No: 881367
- Danışmanlar: PROF. DR. NİHAT TUĞLUOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Enerji, Energy
- Anahtar Kelimeler: Fotodiyot, Fotovoltaik enerji, Photodiode, Photovoltaic energy
- Yıl: 2024
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Giresun Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Enerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu tez çalışmasında kullanılan n-Si yarıiletken kristali, (100) yönelimli, 1-20 Ω.cm özdirençli ve 400 μm kalınlığına sahip bir yüzeyi parlak diğer yüzeyi mat özelliklere sahiptir. Antrasen-imin türü bir bileşik olan Metil (E)-3-((antrasen-9yl metilen)amino)benzoat bileşiği bu tez boyunca AA-AMB olarak kısaltılmıştır. AA-AMB organik malzemesi, arayüzey tabaka olarak kullanılmak üzere seçilmiş ve spin (döndürme) kaplama metodu ile n-Si üzerinde büyütülmüştür. Isısal buharlaştırma sisteminde Altın (Au) metali, doğrultucu ve omik kontak oluşturmak için kullanılmıştır. Sonuçta, yeni bir Au/AA-AMB/n-Si/ln MOmS tipi Schottky diyot üretildi. Seri direncin (R_s) ve arayüzey durum yoğunluğunun (N_ss) üretilen MOmS tipi yeni tip Schottky diyotun elektriksel ölçümleri üzerine etkisini araştırmak için 20 kHz-1 MHz frekans aralığında ve -5V - +5V gerilim aralığında kapasite-gerilim (C-V) ve iletkenlik-gerilim (G-V) ölçümleri alındı. Frekansa bağlı kapasite-gerilim ölçümlerinden MIS/MOS yapılarda gözlemlenen yığılma-tükenim-terslenim bölgeleri tespit edilmiştir. Frekansa bağlı seri direnç ve arayüzey durum yoğunluğu değerleri belirlendi. Frekansın artmasıyla R_s ve N_ss değerlerinin azaldığı gözlemlendi. Bu davranış taşıyıcıların ac sinyali yüksek frekanslarda takip edemediğine yorumlanmıştır. Au/AA-AMB/n-Si/ln Schottky diyot için N_ss değerleri literatüre göre küçük olup 1011-1012 eV-1 cm-2 mertebesindedir.
Özet (Çeviri)
The n-Si semiconductor crystal used in this thesis has a (100) orientation, a resistivity of 1-20 Ω.cm and a thickness of 400 μm. It has polished properties on one surface and matte properties on the other. Methyl (E)-3-((anthracene-9yl methylene)amino)benzoate compound, which is an anthracene-imine type compound, is abbreviated as AA-AMB throughout this thesis. AA-AMB organic material was selected to be used as the interfacial layer and grown on n-Si by spin coating method. In the thermal evaporation system, gold (Au) metal was used to form rectifier and ohmic contact. As a result, a new Au/AA-AMB/n-Si/ln MOmS type Schottky diode was produced. To investigate the effect of series resistance (R_s) and interfacial density of states (N_ss) on the electrical measurements of the new type of MOmS type Schottky diode produced, capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G-V) measurements in the frequency range of 20 kHz-1 MHz and voltage range of -5V - +5V were taken. Accumulation-depletion-inversion regions observed in MIS/MOS structures were determined from frequency-dependent capacitance-voltage measurements. Frequency-dependent series resistance and interface state density values were determined. It was observed that R_s and N_ss values decreased with increasing frequency. This behavior has been interpreted as carriers not being able to follow the ac signal at high frequencies. N_ss values for Au/AA-AMB/n-Si/ln Schottky diode are small compared to the literature and are in the range of 1011-1012 eV-1 cm-2.
Benzer Tezler
- Benzen'den hareket ederek bazı azo boyar maddelerinin eldesi imkanlarının ve haslıklarının değerlendirilmesi üzerine bir araştırma
Başlık çevirisi yok
TÜLİN ÖKTEM
Yüksek Lisans
Türkçe
1987
Tekstil ve Tekstil MühendisliğiEge ÜniversitesiTekstil Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. NECDET SEVENTEKİN
- Seka fabrikası atıksu arıtma tesisinden çıkan katı atıkların sıvılaştırma koşullarının araştırılması
Başlık çevirisi yok
ÜLKÜ KİMYONŞEN
Yüksek Lisans
Türkçe
1988
Kimya MühendisliğiÇukurova ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. FADİME TANER
- Susuz ortamlarda cereyan eden redoks reaksiyonlarının incelenmesi
Investigation of redox reactions that proceed in non-aqueous media
SELMA GÜL ÖZTAŞ
