SOI-SIMOX taban üzerinde CMOS tümdevre üretim süreci tasarımı ve gerçeklenmesi
Implementation of SOI CMOS process
- Tez No: 84961
- Danışmanlar: PROF. DR. ATİLLA ATAMAN
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: VLSI, CMOS, SOI, Düşük Güç, Düşük Gerilim, Tümdevre tasarımı, Tümdevre üretim, VLSI, CMOS, SOI, Low Power, Low Voltage VI, Integrated circuits design, Integrated circuits production
- Yıl: 1999
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Yıldız Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZET Daha hızlı ve daha yüksek tümleştirme yoğunluğuna sahip MOS tümdevreler üretebilmek amacıyla daha küçük hat genişliğine sahip tranzistor üretme çalışmaları sürdürülmektedir. Fakat bu durum tümdevrelerin güç tüketimimde yükseltecektir. Güç tüketiminin düşürülmesi üzerinde önemle durulması gereken bir konudur. Düşük güç, düşük gerilim uygulamaları için SOI (Oksit Yalıtımlı Silisyum) teknolojisi ümit verici bir çözüm olarak gözükmektedir. SOI teknolojisinin getirdiği değişiklik devrenin toplam parazitik kapasitesini azaltmaktır. Bu çalışma çerçevesinde oyuk kanallı SOI CMOS tümdevre üretim süreci geliştirilmiştir. Geliştirilen bu süreç mikron-altı NMOS ve PMOS tranzistorlar ile ring osilatörler içeren bir test tümdevrenin üretimine uygulanmıştır. Üretim akışının kanal inceltme sürecinde büyütülen oksitin kalınlığı değiştirilerek, silisyum film kalınlıkları 73nm ve 46nm olan iki farklı tür SOI MOS tranzistor tipi üretilmiştir. Silisyum film kalınlığı 46nm olan SOI NMOS tranzistorun eğiminin aynı süreçle üretilen standart taban NMOS tranzistorun eğimine göre kanal boylan kısaldıkça küçük kaldığı gözlenmiştir. Eğimdeki bu bozulmanın nedeni kanal inceltme aşamasında oluşan gerilmelerden kaynaklandığı düşünülmektedir. SOI CMOS test tümdevresinde bulunan 99 evirici kattan oluşan ring osilatörü 250 °C ortam sıcaklığında ve IV gibi düşük besleme geriliminde test edildi ve sonuçları verildi.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT In order to realize higher-speed and higher-packing density MOS integrated circuits, dimensions of transistors have continued to shrink. However the power consumption of modem VLSI' s has become large as a result of higher speed and higher packing density and reducing the power is strongly desired. For this purpose, Silicon-On-Insulator (SOI) technology has been proposed as a potential candidate for low power and low voltage application in modern VLSI circuits due to reduced parasitic capacitance. In this study, a recessed-channel (RC) SOI CMOS technology has been developed and applied to produce a test chip including sub-micron NMOS and PMOS transistors, ring oscillators. Thin-film fully depleted RCSOI MOSFET's with channel film thickness of 73nm and 46nm have been fabricated by the recess oxide variation. We presented experimental data on the degradation of the transconductance in the fully depleted RCSOI transistors with channel lengths ranging from 27um to 0.75 urn. It has been shown that decreasing the length of recessed area increases the degradation of the transconductance for 46nm silicon film thickness. Degradation of transconductance of RCSOI NMOS transistors was calculated with respect to the RC bulk silicon NMOS transistors which processed simultaneously together with SOI wafers. Degradation attributed to oxidation induced stress at the recessed channel region occurred during recess oxide formation. SOI CMOS inverter type with 99 stage ring oscillator were tested up to 250 °C ambient temperature and down to 1 V and results are also given.
Benzer Tezler
- Döner fırında katı esaslı redükleyici kullanılarak sünger demir üretimi
Spange iron production in the rotary tube furnace by using solid reductant
NAZIM NARÇİN
- Trakya bölgesi (Malkara) şartlarında şeker pancarında toprak analizine göre üst gübreye bağlı olarak farklı dozlarda yaprak gübresi kullanımının pancarda verim ve kalite parametrelerine etkisi
Malkara ares of thrace, in order to determinethe effect on yield and quality of foliar fertilizer used in conjuction with a top dressing of fertilizer, the amountf of winich was determined by the results of soi
SEMİH SEYRAN ÇAVUŞOĞLU
- Silicon-on-insulator optical waveguides and waveguide devices
Yalıtkan üstü silisyuma dayalı optik dalga kılavuzları ve dalga kılavuzuna dayalı aygıtlar
İSA KİYAT
Yüksek Lisans
İngilizce
2000
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ATİLLA AYDINLI
- Phytophthora capsiciye karşı dayanıklı ve töleranslı yabancı orijinli bazı biber çeşitlerinin Tokat koşullarında denenmesi
Başlık çevirisi yok
NAİF GEBOLOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
1988
ZiraatCumhuriyet ÜniversitesiBahçe Bitkileri Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ABDURRAHMAN YAZGAN
- Cr, Co, Ni ve Zn'nin o-fenilendiamin ve 2-aminofenol komplekslerinin sentezi, ŞCo(opd)2ÖSO4 ve ŞCrC1 2 (opd)2Ö C1 nin akuasyon kinetiği
The Synthesis of o-phenylene-diamine and 2-aminophenol complexes of Cr, Co, Ni and Zn, the aquation kinetics of ŞCo(opd)2Ö SO4 and ŞCrCl2(opd)2Ö C1
ÜMMÜHAN ÖZDEMİR