Impurity states in some semiconductive chalcogenides
Bazı üçlü yarıiletken çalkogenitlerde safsızlık durumları
- Tez No: 82832
- Danışmanlar: PROF. DR. HÜSNÜ ÖZKAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Fotoışıma, safsızlık durumları, saçılma mekanizmaları, mobilite, iletkenlik, üçlü bileşikler, çalkogenitler. VI, Fotolüminesans, Safsızlık, Saçılma, Yarı iletkenler, Photoluminescence, impurity states, scattering mechanisms, mobility, conductivity, ternary compounds, chalcogenides. IV, Impurity, Scattering, Semiconductors
- Yıl: 1999
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
oz BAZI ÜÇLÜ YARIİLETKEN ÇALKOGENİTLERDE SAFSIZLIK DURUMLARI Yılmaz, İbrahim Yüksek Lisans, Fizik Bölümü Tez Yöneticisi: Prof. Dr. Hüsnü Özkan Ortak Tez Yöneticisi: Prof. Dr. Nizami Gasanly Eylül 1999, 73 sayfa AglnsSg ve CuInsSg tek kristallerinin safsızlık durumları optik, elektriksel ve yapısal yöntemlerle araştırıldı. AglnsSg tek kristallerinin fotoışıma spektrumlan 1.44-1.91 eV enerji diliminde ve 10-170 K sıcaklık aralığında incelendi. 0.97 W cm"2 uyarma yoğunluğunda ve 10 K sıcaklığında, merkezi 1.65 eV enerjisinde olan bir fotoışıma bandı gözlendi. Sıcaklığın artması ve uyarma yoğunluğunun azalmasıyla fotoışıma bandının kırmızıya kaydığı görüldü. Görülen fotoışıma bandım açıklamak için ışımanın iletkenlik bandının altında 0.06 eV'de bulunan verici seviyelerindekielektronların valans bandının 0.32 eV üzerindeki alıcı seviyelerindeki boşluklarla ışıyan bir şekilde tekrar birleşmesinden kaynaklandığı önerildi. Safsızlık durumları ve saçılma mekanizmaları hakkında bilgi edinebilmek için her iki örneğin elektriksel özdirenç, Hail katsayısı ve mobilite ölçümleri 80-420 K sıcaklık aralığında yapıldı, n-tipi AglnsSs tek kristali için, Hail eğrisinden yararlanarak 0.06 eV enerjili verici seviyesi saptandı. Örneklerin mobilite davranışı, AglnsSg için fonon saçılmasının 80-260 K sıcaklık aralığında baskın olduğunu buna karşın akustik fonon, optik fonon ve iyonlaşmış safsızlık saçılmalarının CuInsSg tek kristalinin mobilitesini belirlediğini gösterdi. Ayrıca AglnsSg ve CuInsSg tek kristallerinin yapı verileri bu örneklerin kübik spinel yapıda olduklarını doğruladı.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT IMPURITY STATES IN SOME TERNARY SEMICONDUCTIVE CHALCOGENIDES Yılmaz, Ibrahim M.S., Department of Physics Supervisor: Prof. Dr. Hüsnü Özkan Co-supervisor: Prof. Dr. Nizami Gasanly September 1999, 73 pages The impurity states in AglnsSg and CuInsSg single crystals were studied by optical, electrical and structural means. Photoluminescence spectra of AglnsSg single crystals were investigated in the 1.44-1.91 eV energy region and in the 10-170 K temperature range. The PL band was observed to be centered at 1.65 eV at 10 K and with an excitation intensity of 0.97 Wcm"2. The red shift of this band with increasing temperature and with decreasing excitation intensity was observed. To explain the observed PL behavior, we propose that emission is due to radiative recombination of a donor-acceptor pair, with an electron occupying a donor level located at 0.06 eV below 111the conduction band, and a hole occupying an acceptor level located at 0.32 eV above the valence band. The electrical resistivity and Hall coefficient of both samples were measured in the 80-420 K temperature range to obtain information about the impurity states and the scattering mechanisms. The donor level was found to be at 0.06 eV from Hall curve for n-type AglnsSg single crystal. The mobility behavior of the samples showed that phonon scattering was dominant for AglnsSg in the temperature range 80-260 K whereas the acoustic phonons, optical phonons, and ionized impurity scattering determine the mobility of CuInsSg single crystal. In addition, the crystal data for AglnsSg and CuInsSg single crystals confirmed that these samples also have cubic spinel structure.
Benzer Tezler
- Muğla yöresi kramitlerden alkali füzyon yöntemiyle kromat
Chromate production from chromites in Muğla region by alkali fusion method
KENAN YILDIZ
- Mos tranzistorlarda kanal katkılama yönteminin oksit ve arayüzey tuzakları üzerine etkisi
The Channel doping method's effect on oxide and interface traps in mos transistors
ENGİN KONUR
Doktora
Türkçe
1999
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. UĞUR ÇİLİNGİROĞLU
- Poliaminokarboksilli asit Ce(IV) redoks sistemleriyle polimerleştirilmiş poli(metil metakrilat)ların karakterizasyonu
Başlık çevirisi yok
ELİF HEKİMOĞLU
- Tinkal mineralinden boraks tuzları üretiminde safsızlık davranışları ve giderilmesi
The Investigation of the sources and removal of impurities in the borax salts production processes from tincal ore
NERGÜL YAVAŞOĞLU
- Borik asitin kristalizasyonu üzerine safsızlıkların etkisi
Effects of impurities on the crystallization of boric acid
CAHİT KARAKAYA