Evaluation of DC parameters of MESFET TOM equivalent circuit
MESFET TOM denklik devresi DC parametrelerinin elde edilmesi
- Tez No: 82656
- Danışmanlar: PROF. DR. CANAN TOKER
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: TOM, MESFET, savak-kaynak model parametreleri, kapı akımı ve bozulma parametreleri, karşı tarafa iletkenlik, savak iletkenliği, optimizasyon IV, Optimizasyon, Savak, TOM modeli, Transistör, TOM, MESFET, drain-source model parameters, gate current and breakdown parameters, transconductance, drain conductance, optimization 111, Optimization, Weir, TOM model, Transistor
- Yıl: 1999
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
oz MESFET TOM DENKLİK DEVRESİ DC PARAMETRELERİNİN ELDE EDİLMESİ KASIMCAN, R. Cumhur Yüksek Lisans, Elektrik ve Elektronik Mühendisliği bölümü Tez Yöneticisi : Prof.Dr. Canan Toker Eylül 1999, 198 Sayfa Bu çalışmada, Metal Yarıiletken Alan Etkili Transistörler (MESFETs) TriQuint' s Own Model (TOM) denklik devresi parametrelerinin elde edilmesi incelenmektedir. Bu parametreler, DC ölçümler ve S-parametre ölçümleri ile elde edilebilir. Bu çalışmanın amacı, DC parametrelerini bulmak ve bu DC parametreler kullanılarak elde edilen TOM S-parametreleri ve ölçülen S-parametreler arasında en iyi uyumu elde etmektir. C/NL ve Matlab bu çalışmada kullanılan yazılım araçlarıdır. FZERO, FMINS ve FSOLVE, en iyi sonuca mümkün olan en kısa sürede ulaşmak için, çoğunlukla kullanılan Matlab yöntemleridir. TOM savak-kaynak model parametreleri elde edildikten sonra kapı akım ve bozulma parametrelerini ve kapı, kaynak ve savak dirençlerini elde etmek kolaydır. Daha sonra, kapı-kaynak ve kapı- savak kapasitanslan, karşı tarafa iletkenlik ve savak iletkenliği değerleri elde edilebilir. Bütün bu parametreler elde edildikten sonra, DC parametreler kullanılarak elde edilen TOM S-parametreleri ve ölçülen S-parametreler arasında iyi bir uyum sağlamak için optimizasyon yöntemi kullanılır. Ölçülen voltaj-akım karakteristikleri ve bulunan TOM MESFET parametreleri kullanılarak elde edilen voltaj-akım karakteristikleri arasındaki uyum, elde edilen TOM MESFET parametrelerinin doğruluğunu kontrol etmek için kullanılır. Bu uyum oldukça iyi olduğu için, elde edilen parametrelerin doğru olduğu söylenebilir.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT EVALUATION OF DC PARAMETERS OF MESFET TOM EQUIVALENT CIRCUIT KASIMCAN, R. Cumhur M.Sc, Department of Electrical and Electronics Engineering Supervisor: Prof.Dr. Canan Toker September 1999, 198 Pages This study examines the evaluation of DC parameters of Metal Semiconductor Field Effect Transistors (MESFETs) TriQuint' s Own Model (TOM) equivalent circuit. These parameters may be obtained using DC measurements and S-parameter measurements. The study aims to find DC parameters and obtain best fitting between measured S-parameters and obtained S-parameters of TOM using these DC parameter values. C/NL and Matlab are the software tools used in this study. FZERO, FMINS and FSOLVE are the mostly used methods in Matlab to reach best result in the shortest possible time. After obtaining TOM drain-source model parameters, it is easy to find gate current and breakdown parameters and gate, source and drain resistances. Then, gate-source and gate-drain capacitances, transconductance and drain conductance may be obtained. After obtaining all of these parameters, optimization method is used to satisfy a good fitting between measured S-parameters and obtained S-parameters of TOM using DC parameter values. The fitting between measured voltage-current characteristics and obtained voltage-current characteristics using obtained TOM MESFETs parameters is used to control the validity of the obtained TOM MESFETs parameters. Since this fitting is somewhat good, it can be said that obtained parameters are accurate.
Benzer Tezler
- Kesintisiz güç kaynaklarında mikrodenetçilerin kullanılması
Using microcontrollersin uninterruptible power supplies
FERHAT ŞİRİN
Yüksek Lisans
Türkçe
1992
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF. DR. NEJAT TUNÇAY
- Sodyum perboratın saf ve saf olmayan ortamlarda nükleasyon kinetiğinin incelenmesi
Investigation of nucleation kinetics of sodium perborate in pure and impure media
SİBEL TİTİZ
- Doğru akım özdirenç yönetimde tabaka ayrımlılığının araştırılması
Investigation of layer differences with DC resistivity method
TOLGA GÖNENÇ
Yüksek Lisans
Türkçe
2000
Jeofizik MühendisliğiDokuz Eylül ÜniversitesiJeofizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. MUSTAFA AKGÜN
- Sebzeli alabalık (oncorhynchus mykiss, W.1792) filetosunun dondurarak depolanması sırasında meydana gelen kalite değişimleri
The Quality changes of trout (oncorhynchus mykiss, W.1792) fillets with vegetable sauce during frozan storage
BAHAR TOKUR
Doktora
Türkçe
2000
Su ÜrünleriEge ÜniversitesiSu Ürünleri Avlama ve İşleme Teknolojisi Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. ABDURRAHMAN POLAT
DOÇ.DR. ŞÜKRAN ÇAKLI
- EMPT ile enerji iletim sistemlerinde açma-kapama olayları analizleri
Switching phenomena analyses of power transmission systems with EMTP
TANER DENİZ
Yüksek Lisans
Türkçe
1995
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiDOÇ.DR. ADNAN KAYPMAZ