Extraction of the circuit parameters of the mesfet small-signal equivalent circuit
MESFET küçük sinyal eşdeğer devresinin devre elemanlarının bulunması
- Tez No: 82570
- Danışmanlar: PROF. DR. CANAN TOKER
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: MESFET, TOM, küçük-sinyal eşdeğer devresi, S- parametreleri. iv, Eşdeğer devre, TOM modeli, MESFET, TOM, small-signal equivalent circuit, S-parameters. m, Equivalent circuit, TOM model
- Yıl: 1999
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
oz MESFET KÜÇÜK SİNYAL EŞDEĞER DEVRESİNİN DEVRE ELEMANLARININ BULUNMASI DURMUŞ, İsmail Yüksek Lisans Tezi, Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Anabilim Dalı Tez Yöneticisi : Prof. Dr. Canan TOKER Eylül 1999, 96 sayfa. TOM (Triquint's Own Model) modeli kullanılarak MESFET küçük sinyal eşdeğer devre elemanlarının elde edilmesinde yeni bir yöntem tanımlanmıştır. Bu yöntemin optimizasyon ve benzeri yöntemlere göre tercih edilmesinin sebebi optimizasyon ve benzeri yöntemlerin sonuçlarının ilk değerlere bağımlı olmasıdır. Eşdeğer devrenin Y-parametre ifadeleri analitik yöntemler ile bulunmuştur. Sistematik bir yöntem ile küçük devre elemanlarının elde edilmesi amacı ile ölçümü yapılan S-parametreleri Y- parametrelerine dönüştürülür. Kullanılan yöntem hızlı ve hassastır, elde edilen eşdeğer devre 50 GHz'e kadar ölçülen S-parametrelerine uygunluk gösterir. Bu yöntem tüm ölçüm frekanslarında kullanılabilir ve bazı düşük frekans hassasiyeti olan cihazlarda da iyi sonuç vermektedir.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT EXTRACTION OF THE CIRCUIT PARAMETERS OF THE MESFET SMALL-SIGNAL EQUIVALENT CIRCUIT DURMUŞ, İsmail M.S. in Electrical and Electronics Engineering Supervisor : Prof. Dr. Canan TOKER September 1999, 96 pages. A new method for determining the TOM (Triquint's Own Model) small-signal equivalent circuit parameters of MESFET (Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor) transistors is described. This method is preferred to optimization and other similar methods because of the dependency of the results on the initial conditions. Y-parameter expressions of the equivalent circuit are obtained analytically. Measured S-parameters are converted to Y- parameters by means of which, a systematic method is developed to extract the small-signal parameters. This method is fast and accurate, and the determined equivalent circuit fits the S-parameters very well up to 50GHz. The method can be used for whole range of measurement frequencies and can even be applied to devices exhibiting problems at the low-frequencies.
Benzer Tezler
- Extraction and scling of TOM model parameters of GaAs MESFETS
GaAs MESFET'lerin TOM model parametrelerinin bulunması ve ölçeklendirilmesi
ABDULLAH ÇELEBİ
Yüksek Lisans
İngilizce
2000
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CANAN TOKER
- Çok boyutlu kaotik sistemler ile şifreleme
Encryption with multi-dimensional chaotic systems
ASİYE YİĞİT
Yüksek Lisans
Türkçe
1997
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. CÜNEYT GÜZELİŞ
- Sembolik devre analizi
Sembolic circuit analysis
RECAİ OKTAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
1997
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HAKAN KUTMAN
- Homomorfik filtreleme ile EKG analizi
Başlık çevirisi yok
HÜSEYİN HIZ
Yüksek Lisans
Türkçe
1995
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiDOÇ.DR. MEHMET KORÜREK
- Tavandan soğutmalı güneş enerjili absorpsiyonlu soğutma sistemi
Ceiling cooling with solar obsorbtion refrigeration system
BİNNAZ SARIBEK