Geri Dön

The Admittance analysis of the PECVD deposites silicon nitride thin films

PECVD tekniği kullanılarak büyütülmüş silisyum nitrür ince filmlerin admittans analizleri

  1. Tez No: 75977
  2. Yazar: SELMA MUŞABAK
  3. Danışmanlar: Belirtilmemiş.
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: MİS, Arayüz Düzeyleri, İletkenlik, Tünelleme Modeli. iv, Buhar biriktirme, Elektriksel özellikler, Silisyum nitrür, Tünelleme, İnce filmler, MIS, Interface Trap, Conductance, Tunneling Model. HI, Vapour deposition, Electrical properties, Silicon nitride, Tunelling, Conductivity, Thin films
  7. Yıl: 1998
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

oz PECVD TEKNİĞİ KULLANILARAK BÜYÜTÜLMÜŞ SİLİSYUM NİTRÜR İNCE FİLMLERİN ADMİTTANS ANALİZLERİ MUŞABAK,Selma Yüksek Lisans, Fizik Bölümü Tez Yöneticisi: Prof. Dr. Bayram KATIRCIOĞLU Ocak 1998, 110 sayfa Plazmayla hızlandırılmış kimyasal buhar depolama (PECVD) tekniği ile hazırlanmış silisyum nitrür ince filmlerin elektriksel özellikleri belirlenmiştir, a- SiNx:H/Si arayüzündeki yerel düzeylerin, silisyum yasak enerji aralığı içindeki yoğunluk, ve etkin kesit dağılımları iletkenlik tekniğinin üç farklı yaklaşımı kullanılarak belirlenmiştir. (Nicollian yaklaşımı, Brews yaklaşımı ve Yadava tarafından yapılan analitiksel yaklaşım) ve bu farklı yaklaşımlardan elde edilen sonuçlar arasmda karşılaştırmalar yapılarak tutarlılıkları saptanmıştır. Metal Silisyum-Nitrür Silisyum (MİS) yapının yığılma kapasitansının frekansa bağımlılığı gözlenmiştir ve bu olayı açıklayan, arayüz düzeylerinin tünelleme modeli analiz edilmiştir. Başka bir deyişle, MİS yapılar için, yığılma evresine ait geçit voltaj aralığında elde edilmiş olan, arayüz düzeylerinin frekansa bağımlı admittansı gözden geçirilmiş ve sonucunda Mui ve çalışma arkadaşları tarafından çıkarılmış olan ilgili ifadelerde bulunmayan bir çarpım katsayısı gözlenmiştir.

Özet (Çeviri)

ABSTRACT THE ADMITTANCE ANALYSIS OF THE PECVD DEPOSITED SDLICON NITRIDE THIN FILMS MUŞABAK,Selma M.S., Department of Physics SupervisonProf. Dr. Bayram KATIRCIO?LU January 1998, 110 pages Hydrogenated amorphous silicon nitride (a-SiNx:H) thin films, prepared by PECVD technique was electrically characterized. a-SiNx:H/Si interface trap parameters like the interface trap density and capture cross section distributions in the silicon bandgap were determined by using three different approaches of conductance method based on statistical model (Nicollian-Goetzberger approach, Brews' approach and analytical approach due to Yadava) and the consistency has been investigated. The frequency dispersion of the accumulation capacitance of MIS structure was observed and tunneling model of interface traps which explains this phe nomenon was analyzed. In other words, the frequency dependent trap admittance derived for MIS structure at gate voltage range corresponding to accumulation regime was revised and outlined in order to carry out that an influent multiplying factor (tunneling distance xt over insulator thickness 2x7 ) is missed out in the relevant expressions adapted by Mui and coworkers.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    75878

    Object oriented graphical editor based power system analysis package implementation

    Güç sistemleri analizleri için nesneye yönelik modelleme ile grafiksel editor tabanlı uygulama geliştirilmesi

    OĞUZ ONAY

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1998

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NEZİH GÜVEN

  2. Tez No

    2161

    Çift diyodlu simetrik olmayan bir gunn osilatörünün çalışma karakteristiklerinin teorik ve deneysel incelenmesi

    Theoretical and experimental analysis of an asymmetrically loaded two-diode gunn oscillator

    CEVDET IŞIK

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1985

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF. DR. BİNGÜL YAZGAN

  3. Tez No

    29621

    Analysis of flange-mounted finite rectangular waveguide arrays

    Toprak yüzeye açılan sonlu sayıda dikdörtgen dalga kılavuzu dizisi analizi

    HÜSEYİN YAVUZ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    1993

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. O. MERİH BÜYÜKDURA

  4. Tez No

    76004

    Spectral analysis of topography and gravity in Central Anatolian region

    Orta Anadolu bölgesinin yükseklik ve gravite spektral analizi

    MAHMOUD EJWELİ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1998

    İnşaat MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    İnşaat Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. S. METE NAKİBOĞLU

  5. Tez No

    77703

    Computer aided design and analysis of operational transconductance amplifier based communications systems

    Bilgisayar yardımıyla işlemsel iletili yükselteç kullanarak haberleşme sistemlerinin tasarım ve analizi

    AHMET SEÇKİN ŞEKEROĞLU

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1998

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiGaziantep Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ARİF NACAROĞLU

Geri Dön