High-operating-temperature (HOT) infrared detectors based on antimonide heterostructures
Antimoni çokluyapı tabanlı yüksek sıcaklıkta çalışan (HOT)kızılötesi dedektörler
- Tez No: 750499
- Danışmanlar: PROF. DR. UĞUR SERİNCAN
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Dedektif, Epitaksi, Kızılötesi, Yüksek sıcaklık, Detective, Epitaxy, Infrared, High temperature
- Yıl: 2022
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Eskişehir Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada, orta kızılötesi bölgesinde algılama yapmak amacıyla InAs/InAsSb süperörgü malzeme sisteminin kullanıldığı p-i-n ve nBn dedektör yapıları tasarlandı. Tasarlanan dedektör yapıları moleküler demet epitaksi tekniğiyle GaSb alttaş üzerine büyütüldü. Büyütme oranı, alttaş, akı modülasyonu gibi parametreler değiştirilerek kristal kalitesine olan etkileri incelendi. Üretilen dedektör yapılarının tek piksel aygıt fabrikasyonu yapılarak, karanlık akım ve spektral tepkileri incelendi. Ayrıca fotolüminesans tekniği kullanılarak soğurucu ve bariyer katmanlarındaki rekombinasyon mekanizmaları ve lokalize durumlar araştırıldı ve deneysel çalışmaların sonuçları sunulmuştur. Radyometrik yaklaşım ile farklı sahne sıcaklığında bir InAs/InAsSb dedektör için kuyu doluluk miktarı, dinamik aralık ve bit kayıpları gibi performansa etki eden parametreler incelenmiştir. Yapılan analizlerde dedektöre ait kuantum verimi, gürültüye eşdeğer sıcaklık farkı ve piksel homojensizliği hesaplamalarda göz önünde bulundurulmuştur.
Özet (Çeviri)
In this study, InAs/InAsSb based p-i-n and nBn detector structures were designed for mid-infrared region detection. The designed detector structures were grown on GaSb substrates by molecular beam epitaxy technique. By changing parameters such as growth rate, flux modulation and substrate vendor, crystal quality of the grown structures were monitored. The dark current and spectral responses of the detectors were evaluated by fabricating single pixel devices. In addition, recombination mechanisms and localized states in the absorber and barrier layers were investigated using the photoluminescence technique and the results of the experimental studies were presented. With the radiometric approach, parameters affecting system performance such as well fill, dynamic range and bit losses were investigated for an InAs/InAsSb based imager at different scene temperatures. Detector parameters such as quantum efficiency, noise equivalent temperature differences and pixel non-uniformity were considered in the analysis.
Benzer Tezler
- İzmir'de bazı yolların kapatılarak yaya bölgeleri oluşturma da kent peyzajını geliştirme açısından yeniden planlanması üzerinde araştırmalar
Başlık çevirisi yok
BAHAR TÜRKYILMAZ
Yüksek Lisans
Türkçe
1985
Şehircilik ve Bölge PlanlamaEge ÜniversitesiŞehir ve Bölge Planlama Ana Bilim Dalı
- Diesel motorları yakıt püskürtme sistemlerinin dinamik simülasyonu
Başlık çevirisi yok
İRFAN KARAGÖZ
Yüksek Lisans
Türkçe
1986
Makine MühendisliğiUludağ ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. OĞUZ BORAT
- Atherosklerotik kalp hastalıklarında risk faktörleri
Risk factors in the coronary artery disease
MURAT SUHER