SiGe teknolojisinde pin diyot tasarımı ve analizi
Pin diode design and analysis in SiGe technology
- Tez No: 744916
- Danışmanlar: PROF. DR. ALİ TANGEL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Anten, PIN diyot, Silisyum, Antenna, PIN diode, Silicon
- Yıl: 2022
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Kocaeli Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
İleri teknolojinin gelişmesi yarı iletken devre elemanlarının kullanımını popüler hale getirmiştir. Bu alanda önemli bir yere sahip olan yarı iletken malzemelerin kullanımları da doğru orantılı olarak artmıştır. Transistör, PİN diyot gibi yarı iletken elemanların kullanımında radyo frekansı (RF) uygulamaları özellikle anahtarlama alanında çok önem kazanmıştır. SPST, SPDT, sınırlayıcı (limiter) ve faz dizinli radarlarda pin diyotun mikrodalga frekanslarında anahtarlama yapması özellikle askeri ihtiyaç açısından önemli bir nitelik haline gelmektedir. Silisyum-germanyum teknolojisi, yarı iletken devre elemanlarının çalışma performansını daha üst seviyeye çıkararak özellikle“Hetero Junction Bipolar Transistor”gibi aygıtlarda kullanılmaktadır. Devrede anahtarlama yapan üretim maliyeti daha uygun ve üretim süreci HBT'ye paralel olarak tasarlanabilen bir diğer elektronik devre elemanı ise SiGe PİN diyotlardır. SiGe pin diyotu düşük araya girme kaybı ve yüksek izolasyon sağlamasıyla, yüksek frekanslarda anahtarlama yapabilme avantajına sahiptir. Bu avantaj SiGe teknolojisi ile üretilen PİN diyotu oldukça popüler hale getirmiştir. Bu tez çalışmasında, SiGe PİN diyotun tasarımının fabrikasyon adımları ile birlikte, analizi ve sonuçları anlatılmaktadır. Literatürde SiGe teknolojisi ile tasarlanan PİN diyotun üretim süreçleri ve çalışma analizlerini içeren çalışmalar oldukça nadir bulunmaktadır. Bu tezde, bahsedilen tasarımın, fabrikasyon adımları ve analiz aşamalarının olduğu bir çalışma yapılarak, Ku bant aralığında çalışan bir SiGe PİN diyot gerçeklenmesi hedeflenmiştir. Çalışmada, tasarımın ideal parametrelerinin kullanımının yanı sıra parametre değişikliği yapılarak farklı geometrideki PİN diyotların farklı elektriksel analizi de gerçekleştirilmiştir.
Özet (Çeviri)
The development of advanced technology has popularized the use of semiconductor circuit elements. The use of semiconductor materials, which have an important role in this field, has increased proportionally. Radio frequency (RF) applications in the use of semiconductor elements such as transistors and PIN diodes have gained importance especially in the field of switching. In SPST, SPDT, limiter and phase array radars, the switching of the PIN diode at microwave frequencies becomes an important feature, especially in terms of military needs. Silicon-germanium technology is used in devices such as“Hetero Junction Bipolar Transistor”by increasing the working performance of semiconductor circuit elements to a higher level. SiGe PIN diodes are another electronic switches in the circuit and the production cost is more convenient and process can be designed in parallel with the HBT. SiGe PIN diode has the advantage of being able to switch at high frequencies by providing low insertion loss and high isolation. This advantage has made the PIN diode produced with SiGe technology very popular. The fabrication steps of the design of the SiGe PIN diode, as well as its analysis and results are described. In the literature, studies involving the production processes and operational analyzes of the PIN diode designed with SiGe technology are very rare. In this thesis, it is aimed to study a SiGe PIN diode operating in the Ku band range, including fabrication steps and analysis steps. In the study, besides the use of the ideal parameters of the design, the electrical analysis of the different pin diodes formed by parameter changes were also carried out.
Benzer Tezler
- Modeling and implementation of biological neural systems
Biyolojik sinir sistemlerinin modellenmesi ve gerçeklenmesi
ÖZGÜR ERDENER
Doktora
İngilizce
2016
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. İSMAİL SERDAR ÖZOĞUZ
- Epitaksiyel ince yarıiletken filmlerin ikincil iyon kütle spektrometre parametrelerinin incelenmesi
Investigation of parameters of the epitaxial thin semiconductor films obtained from SIMS
SEVİLAY KÖSE
Yüksek Lisans
Türkçe
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ENGİN BAŞARAN
- Çift katmanlı düşürücü tip DC-DC çevirici tabanlı yeni bir adaptif mppt algoritması geliştirilmesiyle enerji verimliliğinin arttırılması
Increasing energy efficiency by developing a new adaptive mppt algorithm based on a two-legged interleaved DC-DC buck converter
SİNAN SARIKAYA
Doktora
Türkçe
2023
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSakarya ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CENK YAVUZ
- Silicon germanium multi quantum wells for high efficiency optoelectronic devices
Silisyum germanyum çoklu kuantum kuyuları içeren yüksek verimli optoelektronik aygıtlar
ALPER YEŞİLYURT
Yüksek Lisans
İngilizce
2011
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü
YRD. DOÇ. DR. ALİ KEMAL OKYAY
- Organik tabanlı güneş pili üretimi ve karakterizasyonu
Organik tabanli güneş pili üretimi ve karakterizasyonu
SAEEDULLAH SAJJAD
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AHMET ALTINDAL