Geri Dön

Geniş frekans aralığında dikey grafen-PVP/n-Si Schottky bariyer diyotun üretimi ve karakterizasyonu

Production and characterization of vertical graphene--PVP/n-Si Schottky barrier diode in a wide frequency range

PDF İndir

  1. Tez No: 740815
  2. Yazar: GİZEM KOCA
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. OSMAN ÇİÇEK
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Dielektrik özellikler, Elektriksel özellikler, Yarı iletkenlik, Dielectric properties, Electrical properties, Semiconductivity
  7. Yıl: 2022
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Kastamonu Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Bu çalışmada, Altın (Au) ve Silikon katmanlı, spin kaplı grafen-PVP ince filme dayalı heteroeklem yapının Cm ve Gm/ω ölçümleri kullanılarak gerilime bağlı ve geniş frekans aralığında (5kHz-5MHz) elde edilen elektrik ve dielektrik özellikleri incelendi. Seri direnç (Rs), fermi enerji seviyesi (EF), arayüzey durum yoğunluğu (Nss), tüketim tabakasının genişliği (Wd), kurulma voltajı (Vbi), iletkenlik bandına ait etkin taşıyıcı yoğunluğu (NC), maksimum elektrik alanı (Em), katkılanan verici atomlarının yoğunluğu (ND), bariyer yüksekliği (ФBO) gibi elektriksel parametreler hesaplandı. Deneysel olarak, kapasitans (C) ve iletkenlik (G/) değerleri frekans azaldıkça artmaktadır. Aynı zamanda, gerilime bağlı olarak tükenme ve yığılım bölgelerinde artış göstermektedir. Özellikle seri direnç (Rs –V-f) eğrisi, yığılım ve tükenme bölgelerinde düşük frekans değerlerinde pik verir, yüksek frekanslara doğru bu pik azalır. Arayüzey durum yoğunluğu (Nss –V) değerleri ise oda sıcaklığında ve -3V ile 3V aralığında pozitif beslem bölgelere doğru artmaktadır. Dielektrik özellikleri incelendiğinde; dielektrik sabiti (ε'), ac iletkenlik (σac), dielektrik kaybı (ε''), kayıp açı faktörü (tanδ), elektrik modüllerinin gerçek ve imajiner kısımları (M' and M'') hesaplandı. Hesaplara göre dielektrik sabiti ve kaybı, frekans arttıkça azalmakta olup tanδ değerinde ise çok küçük bir değişiklik gözlenmektedir. σac, gerçek ve imajiner kısımlar ise frekans arttıkça artmaktadır. Deneysel olarak, yüksek dielektrik sabiti (εmax'), geleneksel malzemelerin (SiO2 vb.) ve PVP'ye uygun katkılı malzemelerin maksimum değerinden çok yüksektir. Sonuçlar, yüksek değere sahip grafen-PVP ince filmin geleneksel bir cihaz yerine metal-organik/polimer-yarı iletken cihaz teknolojilerinde bir potansiyele sahip olduğunu göstermektedir. Sonuç olarak, Au/grafen-PVP/n-Si yapısı için tüm bu parametrelerin kuvvetle frekansa bağlı olduğu bulunmuştur.

Özet (Çeviri)

In this study, the electrical and dielectric properties of the heterojunction structure based on spin coated graphene-PVP thin film on silicon with Gold (Au) Schottky contacts were investigated using voltage-dependent Cm and Gm /ω measurements in a wide frequency range (5kHz-5MHz).Fermi energy level (EF), Series resistance (Rs), the density of allowed energy states in the conduction band (NC), interfacial state density (Nss), set-up voltage (Vbi), depletion layer width (Wd), maximum electrical field (Em), concentration of donor atoms (ND), potential barrier height (Фbo) were calculated. Experimentally, the capacitance and conductivity values increased with decreasing frequency, in the depletion and accumulation regions. In particular, the series resistance curve peaks at low frequency values in the accumulation and depletion regions, and this peak decreased towards high frequencies. The Nss –V values increased with towards positive bias regions, in the range of -3V to 3V. When the dielectric properties are examined, dielectric constant (ε'), ac conductivity (σac), dielectric loss (ε''), tangent loss (tanδ), real and imaginary parts (M' and M'') of electrical modules were calculated. According to the calculations, the dielectric constant and loss decreased with incresing frequency, and a very small change in the tanδ value was observed. AC conductivity, M' and M'' increased with increasing frequency. Experimentally, the high dielectric constant (εmax') is higher than the maximum value of conventional materials (SiO2 etc.) and doped materials suitable for PVP. The results show that the high value graphene-PVP thin film has potential in metal organic semiconductor device technologies rather than a conventional device. As a result, it was found that all these parameters were strongly frequency dependent for the Au/graphene-PVP/n-Si structure.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    142597

    Yeni Cami'nin akustik açıdan performans değerlendirmesi

    Evaluation of the acoustical performance of the New Mosque

    EVREN YILDIRIM

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2003

    Mimarlıkİstanbul Teknik Üniversitesi

    Mimarlık Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEVTAP YILMAZ DEMİRKALE

  2. Tez No

    1012088

    Design, fabrication and experimental validation of frequency - selective surface using regression - based inverse modeling for broadband RCS manipulation in the x-band

    X-bantta geniş bant radar kesit alanı (RCS) manipülasyonu için regresyon tabanlı ters modelleme kullanılarak frekans seçici yüzeyin tasarımı, üretimi ve deneysel doğrulaması

    İREM NAZ DEMİREĞEN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2026

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiMuğla Sıtkı Koçman Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ KUTLU KARAYAHŞİ

  3. Tez No

    482326

    A new composite resonator architecture based on coupled vertical NW arrays

    Kuplajlanmmış dikey nanotel dizileri tabanlı yeni bir kompozit çınlaç mimarisi

    YASİN KILINÇ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2017

    Makine MühendisliğiKoç Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Bilim Dalı

    DOÇ. DR. BURHANETTİN ERDEM ALACA

  4. Tez No

    1010320

    Knitted textiles as a growing medium for mycelium to enhance acoustic comfort in vertical landscape architecture

    Miselyum için büyüme ortamı olarak örgü tekstillerin kullanımı: Dikey peyzaj mimarisinde akustik konforun artırılması

    SHEIDA SHAKERI

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2026

    Peyzaj Mimarlığıİstanbul Teknik Üniversitesi

    Peyzaj Mimarlığı Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ MUHAMMED ALİ ORNEK

  5. Tez No

    463005

    Design of high gain wideband quad-ridged horn antenna for emc testing

    Emc testlerinde kullanılmak üzere yüksek kazançlı genişbant dört çıkıntılı boynuz anten tasarımı

    BEKİR SOLAK

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2017

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiÖzyeğin Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. AHMET TEKİN

    DOÇ. DR. MUSTAFA SEÇMEN

Geri Dön