Geri Dön

Metal-yalıtkan-metal ve metal-yalıtkan-yarıiletken yapılar için ince yalıtkan tabakaların üretilmesi, karakterizasyonu ve uygulaması

Fabrication, characterization and application of thin insulator films for metal-insulator-metal and metal-insulator-semiconductor devices

  1. Tez No: 729322
  2. Yazar: BERKER HÜSAM
  3. Danışmanlar: PROF. DR. UĞUR SERİNCAN
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Diyodlar, Metaller, Yalıtkan tabaka, Yarı iletkenler, Diodes, Metals, Insulator layer, Semiconductors
  7. Yıl: 2022
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Eskişehir Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Yüksek frekans elektroniği ve GHz-THz bölgede enerji çevrimi uygulamalarında arkma (tünelleme) temelli aygıtlar önem arz eder. Arkma olasılığının yüksek olması için bu aygıtlardaki yalıtkan tabakaların kalınlıkları 10 nm altında üretilmek durumundadır; bu da yaygın kullanımlarına engel teşkil eden çeşitli sorunları beraberinde getirir. Çalışmada bu engellerin neler oldukları ve nasıl ölçülebilecekleri üzerine bilgi verilmiştir. Bu aygıtların işleyişinin anlaşılması için bir benzetim (simulasyon) hazırlanmıştır. Malzemenin özündeki ve aygıt yapısı içerisinde bulunmasından kaynaklı sorunlar açıklanmış; üretim kusurları ve aygıt davranışı incelenmiş; başarılı aygıtlardan GHz bölgede enerji çevrimi uygulaması hazırlanmıştır. Ark diyotun yaygın kullanımı için üretim sorunlarına çözüm önerileri belirtilirken, farklı bir aygıt düşüncesi de sunulmuştur.

Özet (Çeviri)

In high frequency electronics and GHz-THz regime energy conversion applications, tunneling mechanism-based devices have high significance. To achieve high tunneling probability, insulating layers in these devices should be produced under 10 nm thicknesses; that, though, brings several obstacles whence prevent their widespread usage. In this work, information was given on what those problems are and how they ought to be measured. Simulation for understanding the mechanism of these devices was performed. Problems induced by material itself and its presence inside the structure of the device were explained; fabrication deficiencies and device characteristics were investigated; with efficient devices, energy harvesting application in GHz regime was prepared. While solutions were suggested on fabrication problems to widen the tunneling diode usage, a new device concept was presented.

Benzer Tezler

  1. Yüksek dielektrik sabitli yalıtkan filmlerin üretilmesi ve mos yapıda incelenmesi

    Fabrication and characterization of high-k dielectric films in mos structure

    AYŞE EVRİM SAATCİ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. KUBİLAY KUTLU

  2. PECVD yöntemiyle büyütülmüş BN filmlerin opto-elektronik özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of PECVD grown BN thin films opto-electronic properties

    BORA BOZKURT

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ORHAN ÖZDEMİR

  3. Fabrication and characterization of P3HT-WO3 hybrid thin films and device applications

    P3HT-WO3 hibrit ince filmlerin üretimi, karakterizasyonu ve cihaz uygulamaları

    FATMA BEYZA YEDİKARDEŞ ER

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2024

    Kimyaİstanbul Teknik Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ESRA ZAYİM

    PROF. DR. MUSTAFA ALTUN

  4. Influence of substrate and environmental conditions on nanoscale patterning of graphene via local anodic oxidation

    Alttaşın ve çevresel koşulların lokal anodik oksidasyon aracılığıyla grafen üzerine yapılan nano-desenlemeye etkisi

    YAREN SEZEN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2026

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ONUR ERGEN

  5. Characterization of conductive properties of thin films in terahertz region

    İnce filmlerin iletkenlik özelliklerinin terahertz bölgesinde karakterizasyonu

    MERVE AKKAYA

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2017

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HAKAN ALTAN

    DOÇ. DR. CUMALİ SABAH