Improved robustness, stability and linearity in GaN based high electron mobility transistors for 5g applications
5g uygulamaları için GaN tabanlı yüksek elektron mobiliteli transistörlerde geliştirilmiş sağlamlık, kararlılık, ve doğrusallık
- Tez No: 686786
- Danışmanlar: PROF. DR. EKMEL ÖZBAY, DR. BAYRAM BÜTÜN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: MIS, MOS transistör, Metal insulator semiconductor, MOS transistor
- Yıl: 2021
- Dil: İngilizce
- Üniversite: İhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi
- Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
5G teknolojisi yüksek frekanslı ve yüksek güce sahip güç yükselticilere ihtiyaç duymaktadır. GaN tabanlı yüksek-elektron-mobiliteli transistörler (YEMT) bu ihtiyaçları karşılamak için ümit vadeden adaylardır. Neredeyse 30 yıldır üzerine çalışılmasına rağmen, bu teknolojinin liderliği ele geçirmesinin önünde kararsız performans, yüksek doğrusalsızlık ve ömür hesaplamalarındaki belirsizlikler gibi problemler mevcuttur. Bu tez çalışmasında, GaN yüksek-elektron-mobiliteli güç yükseltici teknolojisinin en önemli problemlerinden bazıları ayrıntılı bir şekilde çalışılmıştır. GaN yüksek-elektron-mobiliteli güç yükselticilerin ısınma davranışını incelemek için fiziksel temelli aygıt simülasyonları kullanılmış ve güncel yöntemlerden daha gerçekçi bir model geliştirilmiştir. Aygıtlar üretilmiş ve tarak-şekilli kapı kontağı yapısı ile 6.4 V kararlı kapı gerilim kapsamına sahip yüksek doğrusallıkta güç yükselticiler elde edilmiştir. Konvansiyonel aygıtlara kıyasla OIP3'de 6.5 dB iyileşme elde edilmiştir. Son olarak, aygıtların kararlılığı ve sağlamlığı, pasivasyon göz önüne alınarak çalışılmıştır. Yüzey biçimi, doğru akım davranışı, uzun süreli kararlılık, atımlı akım-gerilim performansı ve pozitif kapı gerilimine dayanımda önemli ilerlemeler sunulmuştur. Elde edilen bilgiler, GaN yüksek-elektron-mobiliteli transistörlerin 5G uygulamalarında yer almasına yardımcı olacaktır.
Özet (Çeviri)
5G technology requires high frequency and high power transistors. GaN-based high-electron-mobility transistors (HEMTs) are promising candidates to answer these needs. Although it is studied nearly for 30 years, there are still problems with this technology such as high non-linearity, unstable behavior and uncertainties in lifetime estimations, to take the lead. Some of the most important problems of GaN HEMT technology are studied elaborately in this thesis. Electro-thermal simulations are used to analyze the heating behavior of HEMT power devices under operation and a new more realistic model is developed. Fabrication of devices is governed and highly linear transistors with 6.4 V gate voltage span are achieved by using fin-like structures. 6.5 dB improvement in OIP3 is obtained compared to conventional devices. Finally, the stability and robustness of these devices are studied in the view of passivation. Significant improvement in surface morphology, DC operation, long-term stability, pulsed IV performance, and forward gate bias stress durability has been demonstrated. Findings will help the implementation of GaN HEMT devices into 5G applications.
Benzer Tezler
- Sincap kafesli asenkron makinanın kayma kipli vektör kontrolü
Başlık çevirisi yok
RENAN MERT ÖZEL
Yüksek Lisans
Türkçe
1996
Bilgisayar Mühendisliği Bilimleri-Bilgisayar ve Kontrolİstanbul Teknik ÜniversitesiDOÇ.DR. İBRAHİM EKSİN
- Generalized aeroservoelastic stability analysis of rotorcraft
Başlık çevirisi yok
AYKUT TAMER
Doktora
İngilizce
2012
Havacılık ve Uzay MühendisliğiPolıtechnıco Dı Mılano (technıcal Unıversıty Of Mılan)Havacılık Bilimi ve Teknolojileri Ana Bilim Dalı
PROF. PIERANGELO MASARATI
- Gadoterat meglumin'in bozunma ürünlerinin varlığında yüksek basınçlı sıvı kromatografisi ile analizi
Analysis of Gadoterate meglumine in the presence of degradation products by high pressure liquidchromatography
MERVE GÖKŞEN
Yüksek Lisans
Türkçe
2023
KimyaHacettepe ÜniversitesiAnalitik Kimya Ana Bilim Dalı
PROF. DR. İNCİLAY SÜSLÜ
- F16 uçağının boylamsal hareketinin dayanıklı kontrolü
Robust control of longitudinal motion of F16 aircraft
AHMET DOĞANCI
Yüksek Lisans
Türkçe
2004
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiY.DOÇ.DR. TURAN SÖYLEMEZ
- Stability robustness and rendering fidelity trade-offs of haptic interfaces under admittance control
Admitans kontrolü altındaki dokunsal arayüzlerinin kararlılık gürbüzlüğü ve görünteleme doğruluğu arasındaki ödünleşimler
ÖMER BURAK ALADAĞ
Yüksek Lisans
İngilizce
2023
Mekatronik MühendisliğiSabancı ÜniversitesiMekatronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. VOLKAN PATOĞLU