Geri Dön

İki boyutlu malzeme temelli alan etkili transistör geliştirilmesi

2-dimension material based field effect transistor fabrication

PDF İndir

  1. Tez No: 654126
  2. Yazar: SAİT ÖZTÜRKMEN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET AKİF ERİŞMİŞ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2020
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Necmettin Erbakan Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

İki boyutlu malzemelere olan ilgi son yıllarda hızla artmaktadır. Bunun sebebi de iki boyutlu malzeme kavramının literatürde oldukça yeni konu olmasıdır. Bu çalışmada iki boyutlu malzeme temelli alan etkili transistör (FET) üretimi gerçekleştirilmeye çalışılmıştır. Bu üretim için özgün bir tasarım gerçekleştirilmiş ve bu tasarımın gerçekleştirilmesi için gerekli maske tasarımı Klayout programı yapılmıştır. Bu maske tasarımında elektrotlar arasındaki mesafe, iki boyutlu malzemenin kalınlığı ve kapı elektrodunun genişliği gibi farklı parametrelerde tasarımlar yapılmıştır. Tasarlanan bu maske ile transistörler üretilmiştir. Yapılan testler sonucunda bir transistörün yaklaşık olarak 27 Volt değerinde dirac gerilimi olduğu gözlemlenmiş ve bu dirac voltajı değerinde 52 kOhm değerinde iç direnç ölçülmüştür. Necmettin Erbakan Üniversite'sinde ilk defa iki boyutlu malzemeler kullanılarak transistör üretilmiştir ve bu konuda bilgi ve tecrübe birikimi elde edilmiştir. Bu elde edilen bilgi birikimi ile iki boyutlu malzeme temelli transistörlerle yapılacak sensör gibi uygulamalara temel oluşturulmuştur.

Özet (Çeviri)

Interest in two-dimensional materials has been increasing rapidly in recent years. This is because the concept of two-dimensional material is a fairly new topic in the literature. In this study, two dimensional material based field effect transistor (FET) production has been tried to be practiced. An original design was made for this production and the mask design required for the realization of this design was made with the Klayout program. In this mask design, different parameters such as the distance between the electrodes, the thickness of the two-dimensional material and the width of the gate electrode are designed. Transistors were produced with this designed mask. As a result of the tests, it was observed that a transistor had a dirac voltage of approximately 27 Volts and an internal resistance of 52 kOhm was measured at this dirac voltage value. Transistors were produced for the first time in Necmettin Erbakan University by using two-dimensional materials and knowledge and experience was gained in this regard. With this knowledge, the basis for applications such as sensors to be made with two-dimensional material-based transistors was formed.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    382348

    Nano-scale chemically modified thin film characterization for chemical mechanical planarization applications

    Nano-boyutta kimyasal modifiye edilmiş ince filmlerin kimyasal-mekanik düzleştirme uygulamaları için karakterizasyonu

    AYŞE KARAGÖZ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Mühendislik BilimleriÖzyeğin Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. GÜL BAHAR BAŞIM DOĞAN

  2. Tez No

    999398

    Influence of substrate and environmental conditions on nanoscale patterning of graphene via local anodic oxidation

    Alttaşın ve çevresel koşulların lokal anodik oksidasyon aracılığıyla grafen üzerine yapılan nano-desenlemeye etkisi

    YAREN SEZEN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2026

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ONUR ERGEN

  3. Tez No

    648921

    Yüksek verimli ve ısıl dayanımlı perovskit güneş hücreleri için yeni ftalosiyanin türevi boşluk taşıyıcı malzemelerin geliştirilmesi

    Development of new phthalocyanine derivatives as hole transport material for high efficient and thermally stable perovskite solar cells

    ZEYNEP DALKILIÇ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    Kimyaİstanbul Teknik Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. AYFER KALKAN BURAT

  4. Tez No

    991188

    The design and transport properties of nano-devices based on two-dimensional semiconductors

    İki-boyutlu yarı iletkenlere dayalı nano-cihazların tasarımı ve taşıma özellikleri

    DOĞUKAN HAZAR ÖZBEY

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2025

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı (disiplinlerarası)

    DOÇ. DR. ENGİN DURGUN

  5. Tez No

    703212

    Grafen tabanlı alan etkili transistörler

    Graphene based field-effect transistors

    MERVE AKIN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiNecmettin Erbakan Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET AKİF ERİŞMİŞ

Geri Dön