Al/MA/p-Si yapıların elektriksel özelliklerinin farklı metodlarla incelenmesi
Investigation of electrical properties of Al/MA/p-Si structures with different methods
- Tez No: 599749
- Danışmanlar: PROF. DR. SEMA BİLGE OCAK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2019
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Al/maleicanhidrit(MA)/p-Si metal-polimer-yarı iletken (MPS) diyotlar, bir organik filmin p-Si tipi bir silisyum alttabaka üzerine dönerek kaplama yöntemiyle hazırlanmıştır. Termal buharlaştırma yöntemiyle omik ve doğrultucu kontaklar oluşturulduktan sonra yapıların oda sıcaklığında ve karanlık ortamda gerilime bağlı akım, kapasitans ve iletkenlik 1MHz değerleri ölçümleri yapılmıştır. İdealite faktörü (n), bariyer yüksekliği (ΦB) ve seri direnç gibi ileri I–V özelliklerinden diyot parametreleri dört farklı yöntemle analiz edilmiştir. Bu yöntemler standart I–V karakteristikleri, Cheung, Norde, Lien-So–Nicolet ve Werner yöntemleridir. Bu yöntemlerden elde edilen idealite faktörü, seri direnç ve bariyer yükseklik değerleri karşılaştırılarak tartışılmıştır. Metal/polimer/yarı iletkenlerin elektriksel özelliklerini açıklamak için MPS yapılarında kapasitans-gerilim (C-V) ve iletkenlik-gerilim (G-V) özelliklerinden yoğunluk ve seri direnç ara yüzey durumlarının araştırılması yapılmıştır.Arayüzey durum yoğunluğu Dit ve seri direnç Rs değerleri, C ve G ölçümlerinden hesaplanmıştır.I-V ve C-V karakteristiklerin ideal olmayan davranışlerı, arayüzey durumlarından ve seri direnç değerlerinden kaynaklanır. MPS yapıların I-V, C-V-f ve G-V-f karakteristikleri, diyotun bariyer yüksekliğine, arayüzey durumlarına ve seri direnç değerleri gibi elektriksel parametrelerine güçlü bir şekilde bağlı olduğu gösterildi.
Özet (Çeviri)
Al/maleic anhydride (MA)/p-Si metal–polymer–semiconductor (MPS) diodes have been prepared by spincoating of an organic film on p-Si substrate. After formation of omic and rectifier contacts by thermal evaporation technique the voltage dependent current, capacitance and conductivity measurements (1MHz) of structures have been performed at room temperature and in a dark environment. The diode parameters from the forward I–V characteristics such as the ideality factor (n), barrier height (ΦB)and series resistance have been analyzed by four different methods. These methods are standard I–V characteristics, Cheung, Norde, Lien–So–Nicolet and Werner methods. The ideality factor, series resistance and barrier height values obtained from these methods have been compared and discussed in accordance with each other. The investigation of interface states density and series resistance from capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G-V) characteristics in the MPS structures with thin interfacial insulator layer have been reported in order to explain the electrical characteristics of metal/polymer/semiconductor (MPS) with Maleic anhydride (MA) interface. The values of interface states density Ditand series resistance Rs were calculated from measurements of C and G. These values of Dit and Rs were responsible for the non-ideal behavior of I-V and C-V characteristics. TheI-V, C-V-f and G-V-f characteristics confirmed that the barrier height, Dit and Rs of the diode were shown parameters that strongly dependent on the electrical parameters in the MPS structures.
Benzer Tezler
- Effects of epoxy resin and hardener type on durability and mechanical properties of epoxy mixes
Epoksi karışımlarında epoksi reçinesi ve sertleştirici tipinin durabilite ve mekanik özellikler üzerine etkisi
EREN ÖZEREN
Yüksek Lisans
İngilizce
2006
Polimer Bilim ve Teknolojisiİstanbul Teknik ÜniversitesiPolimer Bilim ve Teknolojisi Bölümü
PROF.DR. HULUSİ ÖZKUL
- Metal-yalıtkan-yarıiletken (Al/SiO2/p-Si) yapıların elektrik ve dielektrik özelliklerinin frekans ve potansiyele bağlı incelenmesi
The investigation of frequency and voltage dependent electrical and dielectric properties of metal-insulator-semiconductor (Al/SiO2/p-Si) structures
ZEKAYİ SÖNMEZ
Doktora
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Investigation of electrical properties of au/fe3o4/p-si/al and au/fe3o4/p-si/al heterojunctions dependent on temperature
Au/Fe3O4/p-Si/Al ve Au/Fe3O4/p-Si/Al heteroyapilarin elektri̇ksel özelli̇kleri̇ni̇n sicakliğa bağli olarak i̇ncelenmesi̇
ALİ RIZA DENİZ
Doktora
İngilizce
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞAKİR AYDOĞAN
- Organik ara yüzey tabakalı metal-yarıiletken (MS) yapıların oluşturulması ve frekansa bağlı elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Formation of metal-semiconductor (MS) structures with organic interface layers and examination of frequency-dependent electrical properties
NESLİHAN DELEN
Doktora
Türkçe
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. AKİF ÖZBAY
- MPS yapıların hazırlanması ve dielektrik özelliklerinin frekans ve voltaja bağlı incelenmesi
Preparation of the MPS structures and the investigation of dielectric properties as a function of frequency and voltage
SEDA KARADAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2020
Kimya MühendisliğiGazi ÜniversitesiKimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUZAFFER BALBAŞI