Geri Dön

Au / 9 - [(5-nitropiridin-2-aminoetil) iminometil] -antrasen (NAMA)/n-Si/Indiyotların ışık altında karakteristik parametrelerinin incelenmesi

The investigation of the electrical parametersunder the different illuminations intensity ofAu / 9 - [(5-nitropiridin-2-aminoetil) iminometil] -antrasen (NAMA)/n-Si/In schottky diode

  1. Tez No: 577261
  2. Yazar: AHMET APAYDIN
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. SERKAN EYMUR
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Enerji, Energy
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2019
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Giresun Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Enerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Çalışmamızda; n tipi Si altlık üzerine 9-[(5-nitropiridin-2-aminoetil) iminometil] -antrasen (NAMA) organik bileşiği spin kaplama yöntemi ile kaplanmıştır. Bir Schottky diyot örneği olan Au/NAMA/n-Si/In üretilmiş ve bu diyotun elektriksel karakterizasyonu amacı ile oda sıcaklığında, karanlık ve farklı aydınlatma şiddetleri altında I-V ölçümleri alınmıştır. Karanlık ve 100 mW/cm2 için idealite faktörü değerleri sırasıyla 3,54 ve 1,39 olarak hesaplanmıştır. Engel yüksekliği değerleri ise karanlık ve 100 mW/cm2 için sırasıyla 0,756 eV ve 0,903 eV olarak hesaplanmıştır. Aydınlatma şiddetinin artışı ile idealite faktörü değerinin azaldığı, engel yüksekliği değerinin ise arttığı izlenmiştir. Seri direnç (Rs) değerleri Cheung&Cheung metodu uygulanarak belirlenmiştir. Seri direnç değerleri karanlık ve 100 mW/cm2 için sırasıyla 10944 Ω ve 8281Ω olarak bulunmuştur.

Özet (Çeviri)

In our study; 9 - [(5-nitropyridin-2-aminoethyl) iminomethyl] -antracene (NAMA) organic compound was coated on the n-type Si substrate by the spin coating method. A Schottky diode sample, Au / NAMA / n-Si / In, was produced and I-V measurements were taken at room temperature under dark and different illumination intensities for the purpose of electrical characterization of this diode. The ideality factor values for dark and 100 mW / cm2 were calculated as 3.54 and 1.39, respectively. Barrier height values were calculated as 0,756 eV and 0,903 eV respectively for dark and 100 mW / cm2. It was observed that the value of ideality factor decreased, and the barrier height of obstacle increased with the increase of illumination intensity. Series resistance (Rs) values were determined by applying Cheung & Cheung method. Series resistance values were found to be 10944 and 8281, respectively, for dark and 100 mW / cm2.

Benzer Tezler

  1. 59.5 keV'de farklı elementler için koherent saçılma diferansiyel tesir kesitinin ölçülmesi

    The measurement of coherent scattering differential cross section of different elements

    ORHAN İÇELLİ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1998

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. SALİH ZEKİ ERZENEOĞLU

  2. The crystal and molecular structure analysis of C22 H22 N2 O4 and C18 H15 Au CL P

    C22 H22 O4 ve C18 H15 Au Cl P bileşiklerinin kristal ve moleküler yapı analizi

    FUNDA DUR

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2004

    Fizik ve Fizik MühendisliğiDokuz Eylül Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    Y.DOÇ.DR. MUHİTTİN AYGÜN

  3. Au/SiO2/N-Si MOS yapıların C-V-F ve G-V-F karakteristiklerinin incelenmesi

    Investigation of C-V-F and G-V-F characteristics of Au/SiO2/N-Si structures

    YAVUZ NURTAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSelçuk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. Ö. FARUK YÜKSEL

  4. Au/n-InP ve Au/Pyronine-B/n-InP Schottky yapıların sıcaklığa bağlı elektriksel karakterizasyonu

    Temperature dependence of electrical characteristics of Au/n-InP and Au/Pyronine-B/n-InP Schottky structures

    MURAT SOYLU

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2007

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. BAHATTİN ABAY

  5. Au/yarıiletken polimer (P3DMTFT)/n-GaAs Schottky yapının elektriksel parametrelerinin sıcaklık bağımlılığı

    The analysis of temperature dependence of Au/semiconductor polymer (P3DMTFT)/n-GaAs Schottky diode parameters

    YILMAZ KANSIZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel Üniversitesi

    Katıhal Fiziği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ALİ KÖKCE

  6. Synthesis and characterization of poly(N-hydroxymethacrylamide-allylthıourea) hydrogels and their selectivity to Au(III), Pt(II), Pd(II), and Ag(I) ions

    Poli (N-hidrosimetilmetakrilamid-alliltiyoüre) hidrojellerin sentezi, karakterizasyonu ve Au(III), Pt(II), Pd(II), ve Ag(I) iyonlarına karşı seçiciliği

    SERHAT DÖKER

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2004

    KimyaHacettepe Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. MEHMET DOĞAN