Yarı iletken altlık üzerine InGaP nanofiberlerin üretimi ve karakterizasyonu
Effect of layer thickness on i-v characteristics of InGaP nanofibers fabricated by electrospinning on N-Si substrates
- Tez No: 572291
- Danışmanlar: DOÇ. DR. NALAN ÇİÇEK BEZİR
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2019
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Süleyman Demirel Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
InGaP nano lifleri ilk olarak n-Si substratları üzerinde, sabit voltaj (25 kV), yükseklik (6 cm) ve akış hızı (0.3 mL / s) ve farklı işlem sürelerinde (10, 20, 25 dakika) uygulanan elektrospinleme yöntemiyle oluşturulmuştur. Hazırlanan numunelerin karakterizasyonu, X-ışını difraksiyonu (XRD), diferansiyel taramalı kalorimetre / termal gravimetrik analiz (DSC / TGA), Taramalı elektron mikroskobu (SEM) ve enerji dağıtıcı X-ışını spektrometresi (EDX) ile yapıldı. Ayrıca, InGaP / n-Si örneklerinin akım-gerilim ölçümleri yapılmıştır. Elde edilen sonuçlar, üç kalınlıkta InGaP katmanı ile üretilen tüm InGaP / n-Si örneklerinin I-V özelliklerinin, teori ile iyi bir uyum içinde olduklarını ve aynı zamanda rektifiye edici özellikler sergilediklerini göstermiştir.
Özet (Çeviri)
InGaP nanofibers were firstly formed on n-Si substrates by electrospinning method applying constant voltage (25 kV), height (6 cm), and flow rate (0.3 mL/h) and at different process times (10, 20, 25 minutes). Characterization of the prepared samples was performed by X-ray diffraction (XRD), the differential scanning calorimetry/the thermal gravimetric analysis (DSC/TGA), Scanning electron microscopy (SEM), and energy dispersive X-ray spectrometer (EDX). Furthermore, the current-voltage measurements of the InGaP/n-Si samples have been carried out. The obtained results have shown that I-V characteristics of all the InGaP/n-Si samples fabricated with three thicknesses of InGaP layers are rather in a good agreement with the theory and that they also have exhibited rectifying properties.
Benzer Tezler
- Fotovoltaik uygulamalarda kullanılmak üzere elektro-kimyasal biriktirme yöntemi ile üretilen yarıiletken zns ince filmlerin karakterizasyonu
Characterization of semiconductor ZnS thin films produced by electro-chemical deposition method for photovoltaic applications
ESRA ERTÜRK
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
EnerjiTekirdağ Namık Kemal ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HAFIZ ALİSOY
- Katodik ark plazma işlemi ile CrSi2 yarıiletken filmlerin üretimi
CrSi2 semiconductor film production via cathodic arc plasma deposition
BERİL KOZÇAZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA ÜRGEN
- Anataz fazının titanyum diskler üzerinde hidrotermal işlemle büyütülmesi
Growing anatase phase on titanium disks by hydrothermal process
MEHMET YENAL YALÇINKAYA
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
KimyaGebze Teknik ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. KORAY ÖZTÜRK
- Sünger yapılı ZnO seramik fotokatalizör üretimi ve fotokatalitik aktivite incelemesi
Production of ZnO ceramic foam catalyst and examining of photocatalytic activity
MEMNUNE DAĞLAR
Yüksek Lisans
Türkçe
2016
Çevre MühendisliğiGebze Teknik ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. KORAY ÖZTÜRK
- Production of diamond-like carbon films and modelling of piezoresistance/optical properties
Elmas benzeri karbon filmlerin üretimi ve piezodirenç/optik özelliklerinin modellenmesi
ERAY HUMALI
Doktora
İngilizce
2025
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUHAMMET KÜRŞAT KAZMANLI