Au/BOD-Z-EN/n-Si/In Schottky diyotunun farklı aydınlatma şiddetleri altında elektriksel parametrelerinin araştırılması
The investigation of the electrical parameters under the different illuminations intensity of Au/BOD-Z-EN/n-Si/In Schottky diode
- Tez No: 545535
- Danışmanlar: PROF. DR. NİHAT TUĞLUOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Enerji, Energy
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2019
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Giresun Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Enerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada, BOD-Z-EN organik bileşiği spin kaplama yöntemi ile n tipi Si altlık üzerine ince film olarak büyütülmüştür. Sonuç olarak Au/BOD-Z-EN/n-Si/In Schottky diyotu üretilmiş ve diyotun ana elektriksel karakteristikleri oda sıcaklığında, karanlıkta ve farklı aydınlatma şiddetleri altında I-V ölçümleri kullanılarak incelenmiştir. İdealite faktörü (n) değerleri karanlık ve 100 mW/cm2 için sırasıyla 2,33 ve 1,55 bulunmuştur. Engel yüksekliği (ɸ𝑏) değerleri karanlık ve 100 mW/cm2 için sırasıyla 0,86 eV ve 0,90 eV bulunmuştur. Artan aydınlatma şiddeti ile birlikte idealite faktörü değerinin azaldığı, engel yüksekliği değerinin arttığı görülmüştür. Ek olarak, seri direnç (Rs) değerleri Cheung&Cheung metodu kullanılarak belirlenmiştir. Seri direnç değerleri karanlık ve 100 mW/cm2 için sırasıyla 5850 Ω ve 2375 Ω olarak bulunmuştur. Au/BOD-Z-EN/n-Si/In diyotunun açık devre voltajı (Voc) ve kısa devre akımı (Isc) değerleri 100 mW/cm2 aydınlatma şiddeti için sırasıyla 0,15 V ve 10,71 mA bulunmuştur. Sonuçlar incelendikten sonra elde etmiş olduğumuz Au/BOD-Z-EN/n-Si/In Schottky diyotunun ışığa karşı duyarlı olduğu ve fotovoltaik özellik gösterdiği görülmüştür.
Özet (Çeviri)
In this study, BOD-Z-EN organic compound thin films on n type Si wafer have been deposited by spin coating method. As a result, Au/BOD-Z-EN/n-Si/In Schottky diode was fabricated and main electrical characteristics of the diode were investigated using I-V measurements in dark and under various illumination intensity at room temperature. The ideality factor (n) values have been found to be 2,33, 1,55 for dark and 100 mW/cm2, respectively. The barrier height (ɸ𝑏) values have been found to be 0,86 eV, 0,90 eV for dark and 100 mW/cm2, respectively. With increasing lighting intensity, it was seen that the value of ideality factor decreased and the barrier height value increased. In addition to, the series resistance (Rs) values from Cheung&Cheung method have been determined. The series resistance values have been found to be 5850 Ω and 2375 Ω at dark and 100 mW/cm2, respectively. The open circuit voltage (Voc) and the short circuit current (Isc) values of the Au/BOD-Z-EN/n-Si/In diode were 0,15 V and 10,71 mA for 100 mW/cm2 illumination intensity, respectively. After investigating the results, it was observed that the Au/BOD-Z-EN/n-Si/In Schottky diode was sensitive to light and showed photovoltaic properties.
Benzer Tezler
- BOD-Z-EN organik arayüzey tabakalı Schottky diyotların üretimi ve kapasite-iletkenlik-voltaj karakteristiklerinin incelenmesi
Production of Au/BOD-Z-EN/n-Si/In Schottky diode and investigation of capacity-conductivity- voltage characteristics
ESRA AKKÖSE
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
EnerjiGiresun ÜniversitesiEnerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SERKAN EYMUR
- Gemilerin manevra denklemlerinin bilgisayarla çözümü
The Solutions of equations of ship manoeuvres by the computer
EMİN KORKUT
- Kuru incirlerde küf florası ve aflatoksigenik küflerin saptanması
Başlık çevirisi yok
SİBEL BÜYÜKŞİRİN
- Men Kültüyle ilgili Eskişehir, Afyon, Kütahya ve Pamukkale Arkeoloji müzelerinde bulunan bazı taş eserler
Some monuments concerning the cult of Men from Archaeology museums of Eskişehir, Afyon, Kütahya and Pamukkale
BANU BÜYÜKGÜN
- Çukurova bölgesinde depolanmış ürünlerde zararlı olan böcek türlerinin saptanması
Başlık çevirisi yok
ÖZEN UTKU