Radiation effects in semiconductor devices
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 5432
- Danışmanlar: DOÇ. DR. F. ESEN ÖZSAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Nükleer Mühendislik, Nuclear Engineering
- Anahtar Kelimeler: Nükleer radyasyon, Radyasyon etkileri, Yarı-iletken elemanlar. iv, Nuclear radiation, Radiation effects, Semiconductor devices. m
- Yıl: 1989
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
YARI -İLETKEN ELEMANLARDA RADYASYON ETKİLERİ HANLIO?LU, Gûltekin Mühendislik Fakültesi Makina Mühendisliği Bölümü Nükleer Mühendislik Programı, Yüksek Lisans Tezi Tez Yöneticisi: Doç. Dr. F.Esen ÖZSAN 91 Sayfa, Şubat 1989 ÖZET Bu çalışmanın esas amacı, nükleer radyasyonun elektronikte kullanılan yarı -iletken elemanlardaki etkilerini araştırmaktır. Yarı-iletken bir elemanın radyasyona maruz kalması onun fiziksel değişkenlerinin etkilenmesine neden olur. Bu sebepten dolayı elemanların akım kazançları, hızları, sızıntı akımları gibi elektriksel değişkenleri değişir. Bu yüzden, elektronik elemanların radyasyonlu bir ortamda güvenilir bir şekilde kullanılabilmesi için devre tasarımcılarının ve kullanıcılarının bu etkileri dikkate almaları gereklidir. Bu çalışma kuramsal olmasına rağmen son kısmında, tasarlanıp gerçekleştirilmiş deneysel bir çalışma ihtiva eder.Seçilmiş elemanların, örneğin; dirençlerin, kapasitörlerin, diyotların, tranzistörlerin ve entegre devrelerin radyasyona tutulmasında kobalt-60 gama-birimi kullanıldı.
Özet (Çeviri)
RADIATION EFFECTS IN SEMICONDUCTOR DEVICES HANLIO?LU, Güfte kin Faculty of Engineering Department of Mechanical Engineering Nuclear Engineering Program, M.S.Thesis Supervisor: Assoc.Prof.Dr.F.Esen ÖZSAN 91 Pages, February 1989 ABSTRACT The main purpose of this study is a survey to investigate the effects of nuclear radiations in semiconductor devices used in electronics. The exposure of a semiconductor device to radiation affects its properties. Consequently, the electrical parameters such as current gain, circuit speed, leakage current of the devices are changed. Therefore, for the reliability of the application of electronic components in a radiation environment, both the circuit designers and the users should be aware of these effects. Even it is a theoretical study, the final part of this thesis consists of an experimental work designed and carried out just for the verification of the some of the facts reviewed. A cobalt-60 gamma-cell was used to irradiate the selected devices, e.g., resistors, capacitors, diodes, transistors, and integrated circuits.
Benzer Tezler
- Katkılı SIO2 filmlerin CHF3-O2 plazması içerisinde reaktifiyon aşındırılması
Başlık çevirisi yok
SUAT ALİ ERTUĞRUL
- La3Lu2Ga3O12: Cı3+: Nd3+ lazer kristallerinde sıcaklığın Cr3+-Nd3+ enerji transferine etkisi
Başlık çevirisi yok
GÜLEFŞAN YILDIRIM
Yüksek Lisans
Türkçe
1998
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. GÖNÜL ÖZEN
- Akustik kitle dalga esasına dayanan rezonatörlerin analizi ve tasarımı
Analysis and design of acoustic bulk wave resonators
EMİR TUFAN
Yüksek Lisans
Türkçe
1993
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. ERGÜL AKÇAKAYA
- Gaz, yangın algılama sistemleri ve otomatik sulu söndürme
Gas, fire detections systems and automatic water extinguishing
SELİM METİN YAVUZ