A detailed study on bismuth containing III-V semiconductor materials grown on different orientations
Farklı yönelimlerde büyütülen bismut içeren III-V yarıiletken malzemeler üzerine detaylı bir çalışma
- Tez No: 543168
- Danışmanlar: DOÇ. DR. MUSTAFA GÜNEŞ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2019
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Adana Bilim ve Teknoloji Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Nanoteknoloji ve Mühendislik Bilimleri Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
GaAsBi kuantum kuyusu yapıları III-V grubu bileşik yarıiletkenlerdir ve benzersiz özelliklerinden dolayı gelişmekte olan malzemeler olarak adlandırılırlar. III–V grup malzemelere seyreltik oranda ilave edilen Bi atomları, III-V grubu (ev sahibi) malzemenin bant aralığı enerjisinde azalma ve valans bant ayrışma enerjisinde (split off) artmaya neden olmaktadır. Bu nedenlerden dolayı, bu yapılar orta kızılötesi (Mid-IR) bölgede çalışan optoelektronik aygıtlarda kullanılacak umut verici bir aday olarak kabul edilir. Bu çalışmada, (100) ve (311) B GaAs alttaş üzerine Katı Kaynaklı-Moleküler Işın Epitaksi yöntemiyle büyütülmüş nominal olarak x =% 1,% 2 ve %3 oranında Bizmut içeren GaAsBi/GaAs tek kuantum kuyu yapılar çalışılmıştır. Farklı yönelimlerinde büyütülmüş GaAs(1-x)Bix/GaAs tek kuantum kuyu yapıların yapısal ve optik özellikleri X-ışını kırınımı (XRD), Fourier-Transform (FT-Raman) Raman ve Fotoışıma (FI) spektroskopi tekniği ile detaylı olarak incelenmiştir. FT-Raman ve XRD ölçümleri malzemelerin yapısal özelliklerini belirlemek için yapılmıştır. Işımasız ve ışımalı geçişler uyarım gücüne bağlı Fotoışıma (FI) ölçümleriyle belirlendi. Banttan banda optik geçişe ek olarak, Bi ile ilgili kümeler ve kuantum kuyusunun uzatılmış tabakası (extended) gerginlik etkisi dikkate alınarak hesaplanmıştır. Özet olarak, bu tez çalışması kapsamında çalışılan tüm örneklerin yüksek kristal kalitesine ve düzgün bir yüzeye sahip olduğu belirlenmiştir. FI sonuçları yapıya katılan Bi ile birlikte optik ve yapısal özelliklerin ne şekilde değiştiği, Bi kusurlarının ekzitonik lokalizasyon üzerindeki etkileri, ışımasız optik geçiş merkezlerinin azalışı ve alaşım düzensizlikleri belirlenmiştir.
Özet (Çeviri)
GaAsBi quantum well structures are III-V group compound semiconductors and named as emerging materials due to their unique properties. Incorporation of a small amount of Bi into III–V group materials results in the large band-gap reduction and the large valence band split off energy. For those reasons, these structures are considered as a promising candidate for potential applications in mid-infrared (Mid-IR) optoelectronics applications. In this work, GaAs(1-x)Bix /GaAs single QW grown on semi-insulating undoped GaAs (100) and high index (311)B oriented GaAs substrates by Solid-Source Molecular Beam Epitaxy (MBE) with nominal Bi concentrations varied for x = 1%, 2%, and 3% were studied. The structural and optical properties of the GaAs(1-x)Bix/GaAs single quantum wells (QW) grown on different substrate orientations have been deeply investigated by using X-Ray Diffraction (XRD), Fourier-Transform Raman (FT-Raman) and Photoluminescence (PL) spectroscopy techniques. FT-Raman and XRD measurements have been performed to determine the structural properties of the materials. The non-radiative and radiative transition have been determined by power depend on PL. In addition to band to band transition, Bi-related cluster and extended layer of the QW were calculated taking into account strain effect. In summary, all investigated samples showed good crystal quality as well as smooth surface roughness. Additionally, the PL results have shown an enhancement of optical efficiency and structural quality as Bi amount is increased due to important effects of exciton localization related to Bi defects, reduced non-radiative centers, and alloy disorder.
Benzer Tezler
- 1985-1986 yıllarında Polatlı Devlet Hastanesine kaza nedeniyle başvuranların incelenmesi
Başlık çevirisi yok
FERHAN ŞENOL
Yüksek Lisans
Türkçe
1986
İlk ve Acil YardımGazi ÜniversitesiKazaların Çevresel ve Teknik Araştırması Ana Bilim Dalı (disiplinlerarası)
DOÇ. DR. HİKMET PEKCAN
- Devrelerin büyük işaret cevaplarının bilgisayar yardımıyla bulunması
Başlık çevirisi yok
NÜKHET GÜNEYİ
Yüksek Lisans
Türkçe
1985
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiUludağ ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ERGÜR TÜTÜNCÜOĞLU
- Ulaş Sağlık Ocağı merkezinde nüfusun bazı niteliklerine ve konutların durumuna ilişkin bir çalışma
An Investigation carried out at the Ulaş Public Health Centre concerning some characteristics of the population and housing conditions in the district of Ulaş
EROL ŞANLI
Doktora
Türkçe
1985
Halk SağlığıCumhuriyet ÜniversitesiHalk Sağlığı Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SERVET ÖZGÜR
- Çimentonun sertleşmesi üzerinde kimyasal komponentlerin etkisi
Başlık çevirisi yok
NACİYE TÜRKEL
Yüksek Lisans
Türkçe
1986
Kimya MühendisliğiUludağ ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA CEBE
- Antakya tarihi ticaret merkezi mekansal yapı değişim ve gelişim sürecinin kent ticaret merkezi planlamasına etkinliği
The Effectiveness of spatial structural chance and development period of the historical trade center of Antakya in the urban trade planning
NEVİN TURGUT
Yüksek Lisans
Türkçe
1986
Şehircilik ve Bölge PlanlamaGazi ÜniversitesiŞehir ve Bölge Planlama Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. NURCAN UYDAŞ