Geri Dön

Modelling of novel bismide alloys for optoelectronic devices

Optoelektronik cihazlar için bizmut alaşımlarının modellenmesi

PDF İndir

  1. Tez No: 536603
  2. Yazar: NURETTİN GÖKDENİZ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. BEŞİRE GÖNÜL, DR. ÖĞR. ÜYESİ ÖMER LÜTFİ ÜNSAL
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2019
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Gaziantep Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Bu tez çalışmasının amacı, InAsBi/InAs, InPBi/InP, InSbBi/InSb ve GaAsBiN/GaAs III-V malzemelerinin elektronik bant yapılarını model hesaplamaları kullanarak incelemektir. Bizmut ve nitrojen atomları bir III-V ikili yarı iletkenine eklendiğinde, katkı atomları bizmut ve nitrojen atomları iletkenlik bandı ve değerlik bandına yakın yerlerde bulunan enerji seviyelerini işgal eder. Bu lokalize katkı atomları iletkenlik bandı ve değerlik bandı ile etkileşime girer. Bu etkileşim sonucu değerlik bandı ve iletkenlik bandı pozitif ve negatif enerji seviyelerine ayrılır, değerlik bandı hafif boşluk, ağır boşluk, spin-off ve iletkenlik bandı ise alt bantlarına ayrılır. Seyreltik bismutların ve nitritlerin ikili ev sahibi maddelere eklenmesi sonucu, bizmut ve nitrojen konsantrasyonunun artması, bant boşluğu enerjisinde bir azalmaya neden olur. Ayrıca bizmut konsantrasyonunun artmasıyla birlikte spin yörünge etkileşim enerjisinde bir artış olur. Bant yapısındaki bu büyük değişiklikler, Auger rekombinasyonu ve Intervalence bant absorpsiyonu gibi optik kayıp mekanizmalarını ortadan kaldırmaya veya bastırmaya eğilimlidir. Teorik analizimiz, değerlik ve iletkenlik bantlarının yeniden yapılanmasını modellemek için seyreltik nitritlerin katılmasından dolayı iletkenlik anti bant geçiş modeli, C-BAC ve seyreltik bismutların katılmasından dolayı da değerlik anti bant geçiş modeli, V-BAC kullanılmıştır.

Özet (Çeviri)

The purpose of this thesis work is to investigate the electronic band structures of InAsBi/InAs, InPBi/InP, InSbBi/InSb and GaAsBiN/GaAs III-V materials by means of using model calculations. When bismuth and nitrogen atoms are incorporated into a III-V binary host semiconductor, bismuth and nitrogen impurity atoms occupy at localized energy levels which lies inside or close to the valence and conduction band, respectively. These localized impurity states interact with the extended valence and conduction band states of host alloy. This interaction causes a splitting in each of these band states of the light hole, heavy-hole, split-off band and conduction subbands into subbands of E+ and E- energy levels. The incorporation of dilute bismides and nitrides into host materials cause a reduction in band gap with increasing bismuth and nitrogen concentration, an increase in spin-orbit splitting energy with increasing bismuth concentration. These major modifications in band structure tends to eliminate or suppress optical loss mechanism, such as Auger recombination and Intervalence band absorption. Our theoretical analysis is based on the conduction band anti-crossing, C-BAC, model for incorporation of dilute nitrides and the valence band anti-crossing, VBAC, model for incorporation of dilute bismides to model the restructuring of valence and conduction bands.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    318230

    A novel microscopic modelling of disorder effects within the non-linear screening theory in the quantized hall regime

    Kuantize hall bölgesinde doğrusal olmayan perdeleme teorisi ile yapı bozukluklarının mikroskopik modellenmesi

    SİNEM ERDEN GÜLEBAĞLAN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2012

    Fizik ve Fizik MühendisliğiDokuz Eylül Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. AFİF SIDDIKİ

    PROF. DR. İSMAİL SÖKMEN

  2. Tez No

    758552

    Applications of molecular modelling approaches for the identification of novel SARS-COV-2 RdRp inhibitors

    Yeni SARS-COV-2 RdRp inhibitörlerinin tanımlanması için moleküler modelleme yaklaşımlarının uygulamaları

    NTSOAKI BAITHEDI MOTAPANYANE

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    BiyomühendislikBahçeşehir Üniversitesi

    Biyomühendislik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SERDAR DURDAĞI

    YRD. DOÇ. DR. BERNA DOĞAN

  3. Tez No

    371883

    Analysis and modelling of a novel approach for the interrogation unit of fiber bragg grating sensors using optical frequency domain reflectometry techniques

    Frekans bölgesinde optik yansıma ölçüm teknikleri kullanılarak fiber bragg ızgara sensörlerinin sorgu ünitesi için yeni bir yaklaşımın analiz ve modellenmesi

    DENİZ PALA

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2014

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. KIVILCIM YÜKSEL ALDOĞAN

  4. Tez No

    442565

    Modelling of microwave transistor based SV-regression and building performance data base with its use in novel evolutionary design optimizations of nonuniform microstrip LNAs with a typical filtenna design

    Mikrodalga transistorlerin destek vektör tabanlı performans veri kümelerinin yenilikçi evrimsel algoritmalar ile uniform olmayan mikrostrip hatlı LNA tasarım optimizasyonu ve örnek bir filtenna tasarımı

    MEHMET ALİ BELEN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2016

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. FİLİZ GÜNEŞ

  5. Tez No

    508742

    Experimental investigation and mathematical modelling of dynamic equilibrium of novel thermo-fluids for renewable technology applications

    Başlık çevirisi yok

    HÜSEYİN UTKU HELVACI

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2017

    Kimya MühendisliğiBournemouth Unıversıty

    Prof. Dr. ZULFİQAR KHAN

Geri Dön