Bazı metal ve alaşım/n-Si/Ti Schottky diyotlarının elektriksel karakteristikleri üzerine numune sıcaklığının etkileri
The effects of sample temperature on electrical characteristics of some metal and alloy/n-Si/Ti Schottky diodes
- Tez No: 498380
- Danışmanlar: DOÇ. DR. BETÜL GÜZELDİR
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2018
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Yüksek lisans tezi olarak sunulan bu çalışmada Ag, Cu metalleri, ikili (AgCu) ve üçlü (AuCuAg) alaşımlar kullanılarak elde edilen Schottky diyotların elektriksel karakteristikleri incelendi. Taban malzeme olarak (100) yönelimli ve 400 nm kalınlıklı n-tipi Si altlıklar kullanıldı. Omik kontak, Si kristalinin mat yüzeyine Titanyum metali buharlaştırılarak elde edildi. Diğer taraftan, Schottky kontak ise laboratuvarda Ag ve Cu metalleriyle ağırlıkça aynı oranlarda hazırlanan AgCu ve AuCuAg alaşımlarının Si kristalin parlak yüzeylerine buharlaştırılmasıyla elde edildi. İlk aşamada, metal/yarıiletken ve alaşım/yarıiletken diyotların oda sıcaklığında ve karanlıkta akım-voltaj (I-V) karakteristikleri incelendi. Daha sonra bu yapıların değişen numune sıcaklığına bağlı olarak (80K-300K) I-V karakteristikleri araştırıldı. Schottky diyotların idealite faktörü, engel yüksekliği ve seri direnç değerleri Termiyonik emisyon ve Norde metotları ile hesaplandı. Engel yüksekliğinin azalan numune sıcaklığı ile azalmasına karşı idealite faktörü değerlerinin artması engelin inhomojenliği modeli ile açıklandı.
Özet (Çeviri)
In this master thesis, the electrical characteristics of Schottky diodes obtained using Ag and Cu metals, binary (AgCu) and triple (AuCuAg) alloys were investigated. As the semiconductomaterial material, (100) oriented and 400 nm thick n-type Si was used. The ohmic contact was obtained by evaporating Titanium metal onto the matt surface of the Si crystal. On the other hand, the schottky contact was obtained onto the shiny surfaces of the Si crystal by evaporating the Ag, Cu metals, AgCu and AuCuAg alloys which were prepared at the same rate in the laboratory. In the first stage, current-voltage (I-V) characteristics of metal/semiconductor and alloy/semiconductor diodes were investigated at room temperature and darkness. Then I-V characteristics were investigated (80K-300K) depending on the changing temperature of the junctions. The ideality factor, barrier height and series resistance values of Schottky diodes are calculated with thermionic emission and Norde methods. Although the barrier height decreases with decreasing sample temperature, the ideal factor values increased and, this result is explained by the inhomogeneity model of the barrier height.
Benzer Tezler
- Bazı ikili ve üçlü alaşımlardan üretilen alaşım/yarıiletken doğrultucu kontakların elektriksel karakteristiklerinin zamana bağlı olarak araştırılması
Time-dependent investigaion of the electrical characteristic of alloy/semiconductor rectifier contacts fabricated from some binary and triple alloys
AHMET TAŞER
Doktora
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA SAĞLAM
- Kendiliğinden ilerleyen yüksek sıcaklık sentezi yöntemi ile yeni ve özel alaşımların üretimi ve geliştirilmesi
Investigation of new and noble alloys productions by self-propagating high-temperature synthesis method
MURAT ALKAN
Doktora
Türkçe
2014
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ONURALP YÜCEL
DOÇ. DR. CEVAT BORA DERİN
- Computational screening of dual cation ammine metal borohydrides
Çift katyonlu amin metal bor hidrürlerin hesaplamalı taraması
YUSUF KIŞLAK
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiHesaplamalı Bilim ve Mühendislik Ana Bilim Dalı (disiplinlerarası)
DOÇ. DR. ADEM TEKİN
- Semi-simetrik metrik konneksiyonlu Einstein uzayları
Einstein spaces with semi-symmetric metric connection
TONGUÇ ÇAĞIN
Yüksek Lisans
Türkçe
2004
Matematikİstanbul Teknik ÜniversitesiMatematik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ELİF CANFES
- Klinker öğütme silpeps'lerinin alaşım katkı oranlarına bağlı abrasiv aşınma davranışlarının araştırılması
A Research, resistance of grinding silpeps relatively alloying elements
ŞİNASİ ELÇİ
Yüksek Lisans
Türkçe
1998
Metalurji MühendisliğiFırat ÜniversitesiMetalurji Eğitimi Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HALİS ÇELİK