Geri Dön

Investigation of some physical properties of Ga-doped and (Ga-K)-co-doped CdS thin films

Ga-katkılı ve (Ga-K)-çift katkılı CdS ince filmlerin bazı fiziksel özelliklerinin incelenmesi

PDF İndir

  1. Tez No: 497659
  2. Yazar: SALTUK BUĞRA TÖRELİ
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. SALİH YILMAZ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Mühendislik Bilimleri, Physics and Physics Engineering, Engineering Sciences
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2018
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Adana Bilim ve Teknoloji Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Nanoteknoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Bu çalışmada, Ga-katkılı CdS ve (Ga-K) çift katkılı CdS ince filmleri kimyasal püskürtme yöntemi ile cam altlıklar üzerinde sentezlendi ve farklı konsantrasyonlarda, yapısal, morfolojik, optik ve elektriksel özellikleri incelendi. İnce film büyütme işlemi için 400 °C'lik sabit bir altlık sıcaklığı seçildi. %2, %4, %6 ve %8 Ga katkısının CdS ince filmleri üzerine etkisi incelendiğinde, %2 Ga katkılı CdS numunesi için daha iyi optik ve elektriksel özellikler elde edildiği görüldü. Bu nedenle, tüm (Ga-K) çift katkılı CdS ince filmleri için Ga katkısı %2'de sabit tutulmuştur. Bununla birlikte, K'nın CdS:Ga ince filmlerinin bazı fiziksel özellikleri üzerindeki etkilerini tespit etmek için, CdS:Ga numunelerindeki K konsantrasyonu seviyesi yüzde bir artışlar ile %1'den %5'e kadar arttırıldı. Tüm ince filmlerin hegzagonal wurtzit yapıda oldukları teyit edildi. Veriler ayrıca, en şiddetli pik olmasında ötürü tercihli yönelimin (101) düzlemi boyunca olduğunu ortaya koymuştur. %5 K içeriği ilave edildikten sonra daha düzgün ve pürüzsüz bir yüzey morfolojisinin elde edildiği görüldü. En iyi optik geçirgenlik değeri, yaklaşık %85 geçirgenlik, %3 ve %4 K seviyelerinde katkılanmış CdS:Ga ince filmlerinde kaydedildi. Örneklerin tümünün optik ve elektriksel olarak incelenmesi neticesinde, %4 K-katkılı CdS:Ga ince filmlerin optoelektronik uygulamalar için daha uygun olduğu sonucuna varılmıştır.

Özet (Çeviri)

In this study, Ga-doped CdS thin films and (Ga-K)-co-doped CdS thin films were synthesized on glass slides via spray pyrolysis route and their structural, morphological, optical and electrical properties at different concentrations were investigated. A constant substrate temperature of 400 °C was selected for thin film growth process. As influences of 2 at.%, 4 at.%, 6 at.% and 8 at.% Ga concentrations on some physical properties of CdS thin films were examined, it was seen that better optical and electrical properties were obtained for 2 at.% Ga-doped CdS sample. Therefore, for all (Ga-K)-co-doped CdS thin films, Ga concentration was fixed to 2 at.%. However, the concentration level of K in CdS:Ga samples was increased from 1 at.% to 5 at.% in an increment of one percent in order to detect of influences of K on some physical properties of CdS:Ga thin films. It was confirmed that all the films had hexagonal wurtzite structure. The data also revealed that the preferred orientation was along (101) plane since it was the most intense peak. It was seen that a more uniform and smooth surface morphology was achieved after adding 5 at.% K content. The best optical transmission value, almost 85% transparency, was recorded in CdS:Ga thin films doped with 3 at.% and 4 at.% K levels. As a result of examining all the samples optically and electrically, it was deduced that 4 at.% K-doped CdS:Ga thin films are more suitable for optoelectronic applications.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    325660

    Modülasyon katkılı GaInNAs/gaas kuantum kuyusu yapıların optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmes

    Investigation of optical and electrical properties of modulation doped gainnas/GaAs quantum well structures

    FAHRETTİN SARCAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. AYŞE EROL

  2. Tez No

    791675

    Farklı ağır oksitler ile katkılandırılmış B2O3-TeO2 cam sisteminin yapısal, optik ve radyasyon soğurma özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of structural, optical and radiation attenuation properties of B2O3-TeO2 glass system doped with different heavy oxides

    RECEP KURTULUŞ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    Metalurji MühendisliğiAfyon Kocatepe Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. TANER KAVAS

  3. Tez No

    844120

    Grafen kuantum nokta tabanlı diyotun elektriksel ve dielektrik özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of electrical and dielectric properties of diode based graphene quantum dots

    ZEYNEP BERKTAŞ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Mühendislik BilimleriGazi Üniversitesi

    İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ELİF ORHAN

  4. Tez No

    945056

    Pomza katkılı hidroksiapatit nano-tozların sentezi ve kemik onarımı için araştırılması

    Synthesis of pumice doped hydroxyapatite nano- powders and investigation for bone repair

    SÜMEYRA USLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2025

    BiyomühendislikNevşehir Hacı Bektaş Veli Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ FATMA ZEHRA KOÇAK

  5. Tez No

    75020

    NiMn,NiMnP+ ve CrFe alaşım ince filmlerinde elektron spin rezonans (ESR) ve direnç ölçümleri

    Başlık çevirisi yok

    MUSTAFA ÖZDEMİR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1998

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. YILDIRHAN ÖNER

Geri Dön