GaN tabanlı sıcak elektron ışın yayıcı hetero-yapılar
GaN based hot electron light emitting heterojunction
- Tez No: 495440
- Danışmanlar: PROF. DR. ENGİN TIRAŞ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Lüminesans spektroskopisi, Raman spektroskopisi, Luminescence spectroscopy, Raman spectroscopy
- Yıl: 2017
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Anadolu Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada, elektronik ve opto-elektronik aygıtların üretilmesinde kullanılan InGaN/GaN çoklu kuantum kuyu yapıların optik özellikleri incelenmiştir. Farklı kuantum kuyu sayısına ve In miktarına sahip olan örnekler safir alttaş üzerine büyütülmüştür. Optiksel ölçümlerin ilk kısmında, InGaN/GaN çoklu kuantum kuyu yapıların yayınım mekanizmasını incelemek için sıcaklığa bağlı (3-300 K) fotolüminesans ölçümleri alındı. Numunelerin fotolüminesans spektrumlarında gözlenen InGaN çoklu kuantum kuyusuna ait ana geçişin pik enerjisinin ve GaN bariyer pik enerjisinin sıcaklığa bağlı değişimleri temel Varshni ve Bant kuyruk modelleri ile desteklenerek incelendi. Kuantum kuyu sayısı ve In konsantrasyonunun bu parametreler üzerindeki etkisi araştırıldı. Çalışmanın ikinci kısmında ise sıcaklığa bağlı Raman ölçümleri alındı. Elde edilen spektrumlarda InGaN/GaN çoklu kuantum kuyu örneklerin boyuna optik fonon enerjileri belirlendi. Elde edilen sonuçlar literatür ile karşılaştırmalı olarak değerlendirildi.
Özet (Çeviri)
In this study, optical properties of InGaN/GaN multiple quantum well structures which are used in the production of electronic and optoelectronic devices have been investigated. The samples with different quantum well numbers and indium concentration were grown on sapphire (Al2O3) substrate. In the first part of the optical measurements, to investigate emission mechanisms of InGaN/GaN multi quantum well structures, the temperature dependence of photoluminescence measurements was carried out between 3 and 300K. The temperature dependence of emission peak energy and GaN barrier peak energy that observed in the photoluminescence spectra were analysed by supporting Varshni and Band Tail models. The effect of the quantum well number and In concentration on these parameters were investigated. In the second part of the study, the temperature dependence of Raman measurements were performed. In the obtained spectra, longitudinal optical phonon energies of InGaN/GaN multiple quantum wells were determined. The obtained results were evaluated by comparing with the literature.
Benzer Tezler
- High field transport phenomena in wide bandgap semiconductors
Geniş bant aralıklı yarı iletkenlerde yüksek elektrik alanı altında iletim olayları
CEM SEVİK
Yüksek Lisans
İngilizce
2003
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. CEYHUN BULUTAY
- Improvement of luminescence properties of zinc borosilicate glasses for white led applications
Beyaz led uygulamaları için çinko borosilikat camların lüminesans özelliklerinin geliştirilmesi
SENA DAYIOĞLUGİL
Doktora
İngilizce
2024
Mühendislik Bilimleriİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ NURİ SOLAK
- Computational analyses of die-embedded microchannels for high electron mobility transistors considering thermal, hydrodynamic and structural behavior
Yüksek elektron mobiliteli transistorlara uygulanmış gömülü mikrokanal yapılarının ısıl, hidrodinamik ve yapısal davranışlarının hesaplamalı analizleri
ORÇUN YILDIZ
Yüksek Lisans
İngilizce
2023
Makine Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ ALAEDDİN BURAK İREZ
PROF. DR. LÜTFULLAH KUDDUSİ
- Production and characterization of al-CoCrFeNi-M (M=Mo, Cu, Mn) high entropy alloys by combustion synthesis method
Al-CoCrFeNi-M (M=Mo, Cu, Mn) yüksek entropili alaşımlarının yanma sentezi yöntemiyle üretimi ve karakterizasyonu
FARUK KAYA
Doktora
İngilizce
2024
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CEVAT BORA DERİN
- Investigation of gold nanoparticle doping on the sensing properties of polypyrole based conducting polymer
Altın nanoparçacık katkılamanın polipirol tabanlı iletken polimerlerin gaz algılama özelliklerine olan etkisinin incelenmesi
ABDULLAH BAYRAM
Yüksek Lisans
İngilizce
2014
Metalurji Mühendisliğiİzmir Katip Çelebi ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SALİH OKUR