Çinko oksit (ZnO) tabanlı ultraviyole (UV) ışık yayan diyotların elektriksel ve optik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of electrical and optical properties of ZnO based ultraviolet light emitting diodes
- Tez No: 494936
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. SONGÜL FİAT VAROL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Enerji, Energy
- Anahtar Kelimeler: LED, MOCVD, Saçtırma Tekniği (Sputter), ZnO, LED, MOCVD, Sputter, ZnO
- Yıl: 2018
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Giresun Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Enerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada n-ZnO/p-GaN ışık yayan diyotun (LED) fabrikasyonu gerçekleştirilmiştir. Diyotun optik ve elektriksel özellikleri incelenmiştir. p- tipi yarıiletken elde etmek amacıyla magnezyum (Mg) katkılı GaN filmleri Metal-Organik Kimyasal Buhar Biriktirme (MOCVD) tekniği ile safir (Al2O3) alttaş üzerinde büyütülmüştür. n- tipi yarıiletken malzeme oluşturmak için katkısız ZnO ince filmler kullanılmıştır. Alttaş üzerine Saçtırma Tekniği (Sputter) kullanılarak p-n eklemi elde edilmiştir. p- tipi GaN ve n- tipi ZnO katmanlar üzerine ışık LED yapımını tamamlamak için altın (Au) kontaklar yapılmıştır. Çalışma kapsamında, X-ışınları kırınımı (XRD), ZnO filminin fotolüminesans (PL) eğrilerinin tespiti, atomik kuvvet mikroskobu (AFM) görüntüleri, LED'in elektrolüminesans (EL) ve akım-voltaj (I-V) analizleri yapılmıştır.
Özet (Çeviri)
In this study the fabrication of n-ZnO/p-GaN light emitting diode (LED) was completed. The optical and electrical specifications of diod were analyzed. We expanded magnesium (Mg) doped GaN films over sapphire (Al2O3) substratum by using Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) technique to obtain p-type. n-type semiconductor material was obtained by using unadultered ZnO thin films. p-n junction was obtained by Sputter technique over this layer. Gold (Au) contacts were built to complete LED structure over p- type GaN and n- type ZnO layers. In this study, analysis of X-ray diffraction (XRD), determination of photoluminescence (PL) curves of ZnO, images of atomic force microscopy (AFM), electroluminescent (EL) and current-voltage (I-V) of LED were completed.
Benzer Tezler
- Synthesis and characterization of ZnO based semiconductors with doped rare-earth metals
Nadir toprak metali katkılı ZnO tabanlı yarıiletkenlerin sentezi ve karakterizasyonu
MELİKE İMAMOĞLU
Yüksek Lisans
İngilizce
2019
KimyaBolu Abant İzzet Baysal ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SEVİM DEMİRÖZÜ ŞENOL
- Electrical properties and device applications of atomic layer deposited ZnO and GaN thin films
Atomik katman kaplama metoduyla büyütülen ZnO ve GaN ince filmlerin elektriksel özellikleri ve aygıt uygulamaları
SAMİ BOLAT
Yüksek Lisans
İngilizce
2014
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ALİ KEMAL OKYAY
- ZnO-tabanlı nanoyapıların ilk prensiplere dayalı yöntemlerle modellenmesi ve incelenmesi
Modeling and investigation of ZnO-based nanostructures via first-principles methods
MEHMET ARAS
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ÇETİN KILIÇ
- Alüminyum, bakır katkılı çinko oksit yarı iletken sentezi
Aluminum, copper doped zinc oxide semiconductor synthesis
BULUT HÜNER
Yüksek Lisans
Türkçe
2017
EnerjiOsmaniye Korkut Ata ÜniversitesiEnerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. ESRA TELLİ
YRD. DOÇ. MURAT FARSAK
- ZnO:Cu ve ZnO:Mn tabanlı boya duyarlı güneş pillerinin fabrikasyonu ve karakterizasyonu
Fabrication and characterization of ZnO:Cu and ZnO:Mn based dye-sensitized solar cells
HALİL EŞGİN
Doktora
Türkçe
2021
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YASEMİN ÇAĞLAR