Investigation of electricity properties of metal oxidesemiconductor doped lead oxide
Kurşunoksit katkılı metal-oksit-yarı iletken yapıların elektriksel özelliklerinin incelenmesi
- Tez No: 472733
- Danışmanlar: DOÇ. DR. SEMA BİLGE OCAK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Mühendislik Bilimleri, Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Engineering Sciences, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2017
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada Al/PbO/p-Si (MOS) yapıların fabrikasyonu yapıldı. Al/PbO/p-Si yapıların akım-voltaj, kapasitans-voltaj ve iletkenlik-voltaj karakteristikleri oda sıcaklığında ve karanlık ortamda ölçüldü. Al/PbO/p-Si yapıların satürasyon akımı, ideallik faktörü, bariyer yüksekliği ve seri direnç gibi diyot parametreleri düz besleme akım-voltaj (I-V) karakteristiklerinden termoiyonik emisyon teorisi kullanılarak hesaplandı. Al/PbO/p-Si yapıların kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G-V) ölçümleri oda sıcaklığında 10kHz-1MHz frekans aralığında ölçüldü. Deneysel sonuçlar, C ve G değerlerinin frekans arttıkça azaldığını gösterdi. C ve G değerlerinde düşük frekanslarda görülen bu davranışın Si/PbO arayüzeyinde meydana gelen arayüzey durumlarından kaynaklandığı tespit edildi.
Özet (Çeviri)
In this study, Al/PbO/p-Si structures were fabricated. Their current-voltage (I-V), capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G-V) characteristics of these structures were measured at room temperature and in the dark. Ideality factor, series resistance, barrier height and flat band barrier height of Al/PbO/p-Si structures were calculated from the forward bias I-V characteristics by using thermionic emission theory. The C-V and G-V measurements of the Al/PbO/p-Si structures were measured in the frequency range of 10 kHz - 1 MHz at room temperature. Experimental results showed that both the values of C and G decreased as the frequency increased. Such behavior of C and G at low frequencies resulted from the existence of interface states at Si/PbO interface.
Benzer Tezler
- Investigation of electrodeposition conditions on the morphology and properties of zinc oxide and iron oxide films
Elektrokimyasal sentez koşullarının çinko oksit ve demir oksit filmlerin morfoloji ve özelliklerine etkilerinin incelenmesi
CEREN YILMAZ
Doktora
İngilizce
2014
Mühendislik BilimleriKoç ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. UĞUR ÜNAL
- CaO-XO-CoO (X= Na, Ba, Sr, La) faz diyagramlarının tespiti ve termoelektrik özelliklerinin incelenmesi
Determination of phase diagrams and investigation of thermoelectrical properties in CaO-XO-CoO (X= Na, Ba, Sr, La) systems
ANIL DEMİRKESEN
Yüksek Lisans
Türkçe
2017
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. NURİ SOLAK
- Capacitance-voltage and current-voltage characteristic properties of ZnO:Al/p-Si heterojunction
ZnO:Al/p-Si heterokavşakların kapasitans-voltaj ve akım-voltaj karakteristik özellikleri
YELİZ KÖSE
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MURAT BAYDOĞAN
- Akridin esaslı boyaların ortak duyarlaştırıldığı güneş hücrelerinin fotovoltaik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of photovoltaic properties of solar cells sensitized by acridine-based dyes
MELİHA GİZEM BEKMEZ
- İndolin ve benzotiyadiazol esaslı boyaların güneş hücrelerinde kullanımlarının incelenmesi
Investigation of the uses of indoline and benzothiadiazole based dyes in sun cells
DİLZAR YILAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2023
KimyaSakarya ÜniversitesiFizikokimya Ana Bilim Dalı
PROF. DR. RECEP ALİ KUMBASAR