Geri Dön

Au/(%1 grafen (GP) katkılı)-Ca1.9Pr0.1Co4Ox/n-Si Schottky engel diyotların hazırlanması ve elektrik ile dielektrik özelliklerinin sıcaklık ve frekansa bağlı incelenmesi

Electrical and dielectric properties of Au/(%1 graphene (GP) doped)-Ca1.9Pr0.1Co4Ox/n-Si Schottky barrier diodes as function of temperature and frequency

  1. Tez No: 449445
  2. Yazar: HAYRİYE GÖKÇEN ÇETİNKAYA
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2015
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Au/(%1GP katkılı-Ca1.9Pr0.1Co4Ox)/n-Si Schottky engel diyotların (SBDs) elektrik ve dielektrik özellikleri, sırasıyla 120-300 K sıcaklık aralığın da 300 kHz' de ve 10kHz-2MHz frekans aralığında oda sıcaklığında incelendi. Deneysel sonuçlar; tüketim tabası genişliği (Wd) ve seri direnci (Rs) değerlerinin oldukça sıcaklığa bağlı olduğu görüldü. Ayrıca dielektrik sabiti ('), dielektrik kayıp (“), kayıp tanjant (tan), elektrik modülüsün reel ve imajiner kısımları (M', M”) ve ac iletkenlik (ac) sıcaklık ve frekansın fonksiyonu olarak incelendi ve oldukça hem frekansa hemde sıcaklığa bağlı olduğu gözlendi. Tüm bu parametreler, kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik voltaj (G/w-V) verilerinden faydalanılarak elde edildi. C ve G değerlerindeki frekans ve sıcaklığa bağlı önemli değişiklikler arayüzey durumları (Nss), yapının seri direnci (Rs), arayüzey tabakası ve yüzey polarizasyonuna atfedildi. İleri pozitif voltajlar da dielektrik özelliklerinin düşük frekanslar için açıkça negatif davranış (NC) sergilediği gözlendi. C-V veya '-V eğrilerinde gözlenen anormal pik ve NC davranış özellikle Nss ile Rs nin varlığına ve tuzaktaki yüklerin azalmasına atfedildi. C-V veya '-V eğrilerindeki pik değeri artan frekansla azalırken negatif C ve ' değerleri kaybolmaktadır. Ayrıca yeterince ileri pozitif voltajlarda maksimum G değerleri minumum C değerlerine karşılık gelmektedir. Bu davranış iletkenlik (indüktive) davranışı olarak bilinmektedir.

Özet (Çeviri)

Electrical and dielectric properties of Au/(%1graphene (GP) doped-Ca1.9Pr0.1Co4Ox)/n-Si Schotkky barrier diodes (SBDs) have been investigated by using admittance spectroscopy method within the temperature of 160-300K at 300kHz and frequency range of 10 kHz-2 MHz at room temperature. Experimental results show that the main electrical parameters such as depletion layer width (Wd), series resistance (Rs) of the structure were found a strong function of temperature. In addition, dielectric parameters such as real and imaginary parts of the dielectric constant (ε', ε'') and electric modulus (M' and M"), tan, and ac conductivity (ac) were found a strong function of the temperature and frequency. Experimental results confirmed that both capacitance (C) and conductance (G) values were found strong functions of frequency and voltage especially in the depletion and accumulation regions due to the effect of charges at interface traps, series resistance (Rs) of the structure and surface polarization. Negative capacitance (NC) behavior was also observed in the forward bias C-V and '-V plot at low frequencies (f≤70 kHz) and then starts to disappear. It was found that interfacial polarizations and traps, and series resistance contributed to the negative dielectric. When the values of C begins to decrease as soon as the value of G begins to increase. Such behavior of C and G in the forward bias at low frequencies are a typical inductive behavior as a result of the introduction of more carries in the structure.

Benzer Tezler

  1. Cam ve plastik seraların sonbahar domates üretimi yönünden karşılaştırılması

    Başlık çevirisi yok

    ERGUN DURAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1985

    ZiraatEge Üniversitesi

    Bahçe Bitkileri Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AYTEN SEVGİCAN

  2. İmara ilişkin bağışlamaların gelişimi ve değerlendirilmesi

    Evoution et evaluation des amnisties concernant le constructions et le development du territoire

    AHMET LÜTFİ UZEL

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1986

    Şehircilik ve Bölge PlanlamaGazi Üniversitesi

    Şehir ve Bölge Planlama Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. İBRAHİM BOYNUKALIN

  3. 5 Cl Pu-Be nötron kaynağı kullanarak aktivasyon analizi ile analizi mümkün olan elementlerin dedeksiyon limitlerinin tespiti

    Investigation of the possibility in analysis of elements by activation analysis and determination of detection limits of proposed elements using a 5 Cl Pu-Be neutron source

    İSMET ÇELENK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1986

    Nükleer MühendislikGazi Üniversitesi

    DOÇ. DR. ATİLLA ÖZMEN

  4. Balıkesir tavukçuluk işletmelerinin yapısal özellikleri üzerinde bir inceleme

    Başlık çevirisi yok

    MEHMET TOSUN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1987

    ZiraatEge Üniversitesi

    Zootekni Ana Bilim Dalı