Al/p-GaSe Schottky diyodunun sıcaklığa bağlı akım-gerilim karakteristiklerinin incelenmesi
Calculation of characteristics parameters of Al/p-GaSe diodes from the current-voltage measurements
- Tez No: 449345
- Danışmanlar: PROF. DR. SONGÜL DUMAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2016
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu tezde, Brigdman-Stockbarger metoduyla büyütülmüş p tipi GaSe yarıiletkeni kullanılarak Al/p-GaSe Schottky diyotları üretilmiştir. Al/p-GaSe diyodunun akım-gerilim (I-V) karakteristikleri +2 V- (-2) V gerilim aralığında ve 100-400 K sıcaklık aralığında 20 K'lik adımlarla alınmıştır. Bu diyota ait karakteristik parametreler termoiyonik emisyon teorisine göre sıcaklığa bağlı olarak hesaplanmıştır. Sıcaklığın azalması ile idealite faktöründe artma, engel yüksekliğinde ise azalma gözlemlenmiştir. Engel yüksekliği 400 K'de 0,965 eV, 100 K'de 0,450 eV olarak ve idealite faktörü ise 400 K'de 1,007, 100 K'de 2,175 olarak hesaplanmıştır. Diyoda ait seri direnç (Rs) değerleri numune sıcaklığına bağlı olarak Norde fonksiyonlarından hesaplanmıştır. Aydınlıkta ters beslem akım değerleri, karanlıktaki akım değerlerine göre daha yüksek çıktığından Al/p-GaSe diyodunun ışığa karşı duyarlı olduğu görülmüştür.
Özet (Çeviri)
In this thesis, Al/p-GaSe Schottky diodes have been fabricated by using p type GaSe grown from Bridgman-Stockbarger method. The current-voltage (I-V) characteristics of Al/p-GaSe diode have been measured in the voltage range of +2 V- (-2 V) and in the temperature range of 100-400 K in steps of 20 K. The characteristic parameters of the diode have been calculated depending on the temperature from thermionic emission theory. It has been observed that there is a decrease in the Φb and an increase in the n with a decrease at temperature. The values of Φb and n have been calculated as 0.965 eV, 1.007 at 400 K and 0.450 eV, 2.175 at 100 K, respectively. The value of the series resistance (Rs) of diode depending on the temperature of the sample has been calculated from Norde's functions, Since the reverse current value in the light is higher than the current value in the dark, it has been observed that the Al/p-GaSe diode is sensitive to light.
Benzer Tezler
- Elektrokimyasal olarak büyütülen Gase ve Gate filmlerinin karakterizasyonu ve In/GaSe/p-Si/Al ve Ti/GaTe/p-Si/Al schottky diyodlar üzerinde radyasyon etkileri
Characterization of electrochemically grown Gase and Gate thin films and radiation effects on In/GaSe/p-Si/Al AND Ti/GaTe/p-Si/Al schottky diodes
KÜBRA ÇINAR
Doktora
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CEVDET COŞKUN
- Kapalı hacimlardaki tabii yangınların analizinde yeni bir model
Ein Neues brandraummodeli für die analyse der natürlichen braende in geschlofenen raeumen
AYŞEN HAKSEVER
- Capacitance-voltage and current-voltage characteristic properties of ZnO:Al/p-Si heterojunction
ZnO:Al/p-Si heterokavşakların kapasitans-voltaj ve akım-voltaj karakteristik özellikleri
YELİZ KÖSE
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MURAT BAYDOĞAN
- Nanocrystalline ZnO:Al thin films prepared by sol-gel dip coating technique and ZnO: Al/p-Si heterojunctions
Sol-gel daldırmalı kaplama tekniği ile üretilmiş nano yapılı ZnO:Al ince filmler ve ZnO: Al/p-Si heterokavşaklar
ÖZGE KARACASU
Yüksek Lisans
İngilizce
2010
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. NİLGÜN BAYDOĞAN
PROF. DR. HÜSEYİN ÇİMENOĞLU
- İkili (InSe, InSe;Er, GaSe,GaSe;Gd) ve üçlü (TIGaSe2;Gd) tek kristallerin büyütülmesi soğurma ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Başlık çevirisi yok
BEKİR GÜRBULAK
Doktora
Türkçe
1997
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. YAHYA KEMAL YOĞURTÇU