Geri Dön

Electronic, magnetic and optical properties of graphene nanoribbons

Grafen nanoşeritlerin elektronik, manyetik ve optik özellikleri

  1. Tez No: 447128
  2. Yazar: HAKAN ULAŞ ÖZDEMİR
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. ALEV DEVRİM GÜÇLÜ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Katıhal fiziği, Yoğun madde fiziği, Solid state physics, Condensed matter physics
  7. Yıl: 2016
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: İzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü
  10. Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Bu tezde, ortalama-alan Hubbard modeli kullanarak zigzag kenarlı grafen nanoşeritlerin (ZGNŞ) elektronik, manyetik ve optik özelliklerini iki farklı geometride inceledik: sonlu ve çembersel. İlk olarak elektron-elektron etkileşiminin ve uzun mesafeli potansiyel düzensizliklerinin etkisi üzerine çalıştık. İki geometride de elektron-elektron etkileşiminin kenar durumlarını düzensizliklere karşı güçlü kıldığını ve şaşırtıcı şekilde düzensizlik yeterince güçlü olduğunda antiferromanyetik durumdan ferromanyetik duruma faz geçisini tetikledigini gördük. Bu sonuçlar, güncel kuramsal ve deneysel çalışmalarla örtüşmektedir. Daha sonra ZGNŞ'te düzensizliğin optik iletkenliğe etkisini inceledik. Önceki sonuçlarda olduğu gibi elektron-elektron etkileşiminin düzensizlik etkisini azalttığını gördük ve daha da önemlisi, Fermi seviyesine yakın bölgede bulunan kenar-yığın karışımı durumlar arası optik geçişten kaynaklanan soğurma karakteristiğinin sistemin manyetik fazını belirlemede kullanılabileceğini gösterdik. Son olarak da düzensizliklerin metal-yalıktan geçişine olan etkisini inceledik. Fakat, uzun mesafeli potansiyel dalgalanmaları alt-ağ simetrisini koruduğu ve geri saçılmadan yoksunlaştırdığı için, grafende minimum iletkenliğe sebep olurlar. Bu durumdan kurtulmak ve hidrojenlenme etkisini modelleyebilmek için, kısa mesafeli düzensizlikler kullandık ve alt-ağ simetrisini kırmayı başardık. Zamana bağlı sıkı bağlanma modeli kullanarak Anderson lokalizasyonunundan kaynaklı metal-yalıtkan geçişini nanometre düzeylerinde lokalizasyon uzunluğu olduğunu %2 hidrojen kapsaması kullanarak gözlemledik. Anderson lokalizasyonun etkisinin yüksek enerjili valans bandlarinda, düzensizlik durumlarının bu bölgeye toplanmasından dolayı, diğer band bölgelerine göre daha fazla olduğunu gözlemledik.

Özet (Çeviri)

In this thesis, electronic, magnetic and optical properties of graphene nanoribbons are investigated within mean-field Hubbard model with two different disorder type; long and short range in finite and cyclic topology. First we investigated combined effect of electron-electron interaction effects and long range potential fluctuations. In both of the geometries, electron-electron interaction effects make edge states robust against disorders. Furthermore, surprisingly, strong enough disorder causes system to experience a phase transition from antiferromagnetically coupled edge states to ferromagnetic coupling in agreement with recent theoretical and experimental studies. Then, the stability of optical conductance under impurity effects, correlation between optical characteristic and magnetic phase of ZGNR is investigated, respectively. Similar to edge state density profile recovery, electronic interaction effects reduce the impurity induced peak around Fermi level. More importantly, we found distinct optical transitions due to edge-bulk mixed states around Fermi level that can be used to detect whether ZGNR is in antiferromagnetic or ferromagnetic phase. Finally, we investigated the disorder induced metal-insulator transition. Since, long range impurities protect the sublattice symmetry and leads to phenomena known as“absence of backscattering”, there exist minimum conductivity for graphene. On the other hand, in order to model hydrogenation effects, we used short range impurity potential which breaks the sublattice symmetry. Using a time dependent tight binding model, we observed Anderson localization induced metal to insulator transition with a nanometer scale localization length for 2% hydrogen coverage. We found that, Anderson localization is stronger at high energy valence states since those states are more vulnerable to hydrogenation.

Benzer Tezler

  1. Theoretical investigation of structural, vibrational, electronic, and elastic properties of ultra-thin anisotropic materials

    Ultra-ince anizotropik malzemelerin yapısal, titreşimsel, elektronik ve elastik özelliklerinin teorik incelenmesi

    KADİR CAN DOĞAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2024

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MEHMET YAĞMURCUKARDEŞ

    DOÇ. DR. SERKAN ATEŞ

  2. Electronic, magnetic and optical properties of disordered graphene quantum dots

    Düzensiz grafen kuantum noktalarının elektronik, manyetik ve optik özellikleri

    ABDULMENAF ALTINTAŞ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2013

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ALEV DEVRİM GÜÇLÜ

  3. Electronic, magnetic and mechanical properties of novel two dimensional monolayer materials

    Yeni iki boyutlu tek katmanlı malzemelerin elektronik, manyetik ve mekanik özellikleri

    MEHMET YAĞMURCUKARDEŞ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. RAMAZAN TUĞRUL SENGER

    DOÇ. DR. HASAN ŞAHİN

  4. Exploring the electronic and magnetic characteristics of lithiated holey Mo8S12: A study in inorganic chemistry

    Lityumlanmış delikli Mo8S12'nin elektronik ve manyetik özelliklerinin araştırılması: Anorganik kimya çalışması

    FIRAT TAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2023

    Kimyaİzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Kimya Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ ONUR BÜYÜKÇAKIR

    PROF. DR. HASAN ŞAHİN

  5. Electrıcal characterısatıon of InGaAs/GaAs quantum well and graphene semıconductor structures

    InGaAs/GaAs kuantum kuyusu ve grafen yarıiletken yapıların elektriksel karakterizasyonu

    ADAL. AB. MA. RAJHI ADAL. AB. MA. RAJHI

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2021

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AYŞE EROL