Low temperature thermoluminescence study of some ternary and quaternary layered structured semiconductors
Bazı üçlü ve dörtlü katmanlı yapılı yarıiletkenlerin düşük sıcaklık termolüminesans incelenmesi
- Tez No: 441765
- Danışmanlar: PROF. DR. NİZAMİ HASANLİ
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2016
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Üçlü ve dörtlü katmanlı tek kristalleri için termolüminesans (TL) deneyleri 0.2 ve 1.2 K/s arasındaki ısıtma hızları kullanılarak 10−300 K sıcaklık aralığında gerçekleştirildi. Çalışılan kristallerdeki tuzak merkezlerinden gelen TL salınımları her bir kristal için farklı sıcaklık bölgelerinde pikler sergileyen TL spektrumları ortaya çıkardı. Bu pikler ilgili tuzak seviyelerinin TL özelliklerini göstermek için dikkate alındı. Kristallerde bulunan kusurların karakterizasyonu TL teorisinin en iyi bilinen metodlarından yararlanılarak yapıldı (eğri fitleme, ilk yükselme, pik şekil ve ısıtma hızı metodları). Tuzak merkezlerinin termal aktivasyon enerjileri, yakalama kesit alanları ve kaçış frekansları bu metodlar ile hesaplandı. Bazı kristallerin aktivasyon enerjisini ısıtma hızı metodu kullanılarak hesaplamak için sıcaklık gecikme etkisinden kaynaklanan düzeltmeler hesaba katıldı. Eğri fitleme ve pik şekil metodları vasıtasıyla tuzak seviyelerinin sergilediği kinetik sıraları tanımlandı. Kristallerde bulunan tuzak merkezlerinin TL mekanizmaları farklı ısıtma hızları ve aydınlatma sıcaklıklarına karşı davranışları araştırılarak derinlemesine çalışıldı. Kristallerdeki çoğu tuzak merkezlerinin normal ısıtma hızı davranışı göstermesine rağmen, Tl2GaInS4 ve GaS kristallerindeki tuzaklar anormal ısıtma hızı davranışının özelliklerini göstermiştir. Ayrıca, Tl2Ga2S3Se kristali için termal sönüm gözlendi. Ek olarak, sırasıyla devamlı tuzak dağılımı ve tek tuzak seviyesine sahip olan Tl4In3GaS8 ve GaSe:Mn kristallerinin dışındaki kristallerde devamlı tuzak dağılımı gibi davranış sergilenmiştir.
Özet (Çeviri)
Thermoluminescence (TL) experiments for ternary and quaternary layered single crystals were carried out in 10−300 K temperature range by employing various heating rates between 0.2 and 1.2 K/s. The TL emissions coming from the trapping centers in the studied samples brought out the TL spectra exhibiting peaks at different temperature regions for each crystals. These peaks were taken under consideration to reveal the TL properties of the associated trap levels. Characterizations of defect centers existing in the crystals were achieved utilizing the best-known analysis methods (curve fitting, initial rise, peak shape and heating rate methods) of TL theory. Thermal activation energies, capture cross sections and frequency factors of trapping levels were calculated with used TL analysis methods. Corrections due to temperature lag effect were taken into account for some of the studied crystals to evaluate the activation energy using heating rate method. Order of kinetics exhibited by trap levels were determined through curve fitting and peak shape methods. TL mechanisms of the trap centers in the crystals were studied in depth by investigating the behaviors against different heating rates and stopping temperatures. Although most of the trap levels in the crystals showed the normal heating rate behavior, the traps in Tl2GaInS4 and GaS crystals exhibited the properties of anomalous heating rate behavior. Also, thermal quenching was observed for the Tl2Ga2S3Se crystal. In addition, except for the Tl4In3GaS8 and GaSe:Mn crystals, which possess the continuous distribution of traps and single trap level, respectively, the quasi-continuous distributions of the trapping levels were exhibited in other studied crystals.
Benzer Tezler
- Sivas bölgesinde çeşitli yaş gruplarında kızamıkçık antikor durumunun araştırılması
The Investigation of rubella Ha-I antibody in various age groups in the Sivas region
NECMETTİN ÖZ
Yüksek Lisans
Türkçe
1984
MikrobiyolojiCumhuriyet ÜniversitesiMikrobiyoloji Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. MUHARREM GÖKOĞLU
- Mimarlıkta rasyonel ve irrasyonel biçimlendirmenin ekonomik göstergelere bağlı olarak değişimi ve bu değişimin 11. yüzyıldan 19. yüzyıla kadar Türk ve Avrupa uygarlıklarında örneklenmesi
The Change of rational and irrational styles in architecture duetotho economicaldata and the illustration of this change on the Turkish and European Civilizations between 11th and 19th centuries
AYŞE ZEYNEP ONUR
- Ege bölgesi keçi liflerinin bazı önemli fiziksel, kimyasal özellikleri ve değerlendirme imkanları
Başlık çevirisi yok
NİLÜFER ERDEM
Doktora
Türkçe
1985
Tekstil ve Tekstil MühendisliğiEge ÜniversitesiTekstil Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. GÜLSEREN YAZICIOĞLU
- Plazma arkı eldesi ve yüzey bölgesi modifikasyonunda kullanılabilirliği
Başlık çevirisi yok
ÖZKAN ÖZİPEKLİLER
Yüksek Lisans
Türkçe
1986
Makine MühendisliğiUludağ ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HALİM DEMİRCİ