GaAs ve Si yarı iletkenlerinin etkin atom numarası ve kütle soğurma katsayısının yönelime bağlı ölçümü
GaAs and Si semiconductors effective atomic number and orientation depending on the measurement of the mass aborption coefficient
- Tez No: 431076
- Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET ŞAHİN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2016
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Recep Tayyip Erdoğan Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada özellikle teknolojide çok kullanılan yarı iletkenlerden olan GaAs ve Si kristallerinin kütle soğurma katsayısı, toplam tesir kesiti ve elektron yoğunlukları ölçülmüştür. Özellikle GaAs kristali için etkin atom numarasında deney ve teori arasında bir farkın olduğu görülmüştür. Bu fark küçük gözükse de uygulamada önemlidir.
Özet (Çeviri)
In this study, the mass absorption coefficient and the total cross section of the electron density were measured of GaAs and Si semiconductors, materials which are of technological importance. A difference was determined between theory and experiamental values, especially for GaAs crystals and its effective atomic number. Although this difference was small, it has important implications in pratice.
Benzer Tezler
- Kinetik taşınma teorisini kullanarak yarı iletkenlerin bazı özelliklerinin incelenmesi
Investigation of some properties of semiconductors using kinetic transport theory
ADEM AKKUŞ
Doktora
İngilizce
2021
Fizik ve Fizik MühendisliğiTokat Gaziosmanpaşa ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. İSKENDER ASKEROĞLU
- Seyreltik manyetik yarı iletken malzemelerin sentezlenmesi ve karakterizasyonu
The characterizating and synthesizing of dilute magnetic semiconductor materials
BAYRAM YEŞİLBAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiMarmara ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. CİHAT BOYRAZ
- Development of thin film GaAs p-i-n solar cells peeled-off from Si substrates
p-i-n yapıda GaAs tabanlı esnek ince film güneş hücrelerinin Si alttaşlar üzerinden geliştirilmesi
FURKAN AZİM
Yüksek Lisans
İngilizce
2022
Mühendislik BilimleriEskişehir Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUSTAFA KULAKCI
- III-V yarı iletkenlerinin yüzey özellikleri
Surface properties of III-V semiconductors
EMRE ERSİN
Yüksek Lisans
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BÜLENT KUTLU
- Güneş pili yapımında kulanılan Si, GaAs, CdTe gibi anorganik yarı iletken malzemelerin ısı kapasitelerinin sıcaklığa göre değişiminin debye yaklaşımına göre incelenmesi
Investigation of the change of the heat capacities by temperature of anorganic semiconductor materials such Si, GaAs, CdTe used in solar cell construction according to debye approach
AHMET BULUT
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiGiresun ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. İSKENDER ASKEROĞLU
DR. ÖĞR. ÜYESİ ELİF SOMUNCU