Geri Dön

Silisyum nitrat arayüzey yalıtkan tabakalı MIS yapının elektrik ve dielektrik parametreleri üzerine gama radyasyonunun etkileri

The effects of gama radiation on the electrical and dielectric parameters of MIS structure with silicon nitrate interfacial insulator layer

PDF İndir

  1. Tez No: 417011
  2. Yazar: RAZİYE ERTUĞRUL UYAR
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. ADEM TATAROĞLU
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2016
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Bu çalışmada, RF (radyo frekans) püskürtme metodu ile hazırlanan Si3N4 ince filmli metal-yalıtkan-yarıiletken (MIS) yapının elektrik ve dielektrik parametreleri üzerine gama radyasyonun etkileri araştırıldı. Au/Si3N4/n-Si/Au (MIS) yapı, doz hızı 0,69 kGy/saat olan gama radyasyon kaynağı kullanılarak ışınlandı. Kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/ω-V) ölçümleri 0-100 kGy toplam doz aralığında beş farklı frekans (1, 10, 100, 500 and 1000 kHz) için gerçekleştirildi. Elektrik ve dielektrik parametreler radyasyondan önce ve sonra bu ölçümler kullanılarak belirlendi. C ve G/ω değeri radyasyon kaynaklı kusurlar nedeniyle artan radyasyon dozu ile azalmaktadır. Ayrıca, C ve G/ω değeri artan frekans ile azalmaktadır. C ve G/ω'nın frekans bağımlılığı metal-yarıiletken arayüzeyinde arayüzey durumlarının varlığını göstermektedir. Hesaplanan arayüzey durumların (Nss) değeri artan radyasyon dozu ile azalırken seri direnç (Rs) değeri artmaktadır. Nss'deki bu azalma yalıtkan/yarıiletken arayüzeyinde rekombinasyon merkezlerinin sayısındaki azalmadan kaynaklanmaktadır. Dielektrik sabiti (ε') ve kaybın (ε'') hesaplanan değeri radyasyon dozu ve frekanstaki artma ile azalmaktadır. AC iletkenlik, artan radyasyon dozu ile azalırken artan frekans ile artmaktadır. Elde edilen sonuçlar, MIS yapının hem elektrik hemde dielektrik parametrelerinin frekans ve radyasyona oldukça bağlı olduğunu göstermiştir.

Özet (Çeviri)

In this study, the effects of gamma radiation on the electrical and dielectric parameters of metal-insulator-semiconductor (MIS) structure with Si3N4 thin film prepared by RF magnetron sputtering method were investigated. The Au/Si3N4/n-Si/Au (MIS) structure was irradiated using gamma-radiation source at a dose rate of 0,69 kGy/h. The capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/ω-V) measurements were carried out at a total dose range of 0-100 kGy for five different frequencies (1, 10, 100, 500 and 1000 kHz). The electrical and dielectric parameters were determined from these measurements before and after irradiation. The value C and G/ω decreases with the increasing radiation dose due to the irradiation-induced defects. Also, the value of C and G/ω decreases with the increasing frequency. The frequency dependence of C and G/ω indicates the existence of interface states at metal-semiconductor interface. The calculated value of series resistance (Rs) increases while the interface states (Nss) value decreases with the increasing radiation dose. This decrease in Nss is due to the reduction in the number of recombination centers at insulator/semiconductor interface. The calculated value of the dielectric constant (ε') and dielectric loss (ε'') decreases with the increase of radiation dose and frequency. While the value of ac conductivity (sac) decreases with the increasing radiation dose, it increases with the increasing frequency. The obtained results showed that the electrical and dielectric parameters of the MIS structure considerably depend on both frequency and radiation.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    684292

    Implementation of strong light-matter interaction for fabrication and light management of thin crystal silicon solar cells

    İnce kristal silisyum güneş hücrelerinde üretim ve ışık yönetimi için yoğun ışık-madde etkileşimi uygulaması

    MONA ZOLFAGHARI BORRA

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2021

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Mikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı (disiplinlerarası)

    DOÇ. DR. ALPAN BEK

  2. Tez No

    372520

    Dikey karbon nanotüp üretimi ve çeşitli uygulamalar için yüzey özelliklerinin incelenmesi

    Synthesis of vertically aligned carbon nanotubes and investigation of their surface properties for different applications

    ZEYNEP DALKILIÇ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Bilim ve Teknolojiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Enerji Bilimi ve Teknolojileri Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NİLGÜN KARATEPE YAVUZ

  3. Tez No

    206394

    Burdur ili mermer sektörünün kurumsal ve ekonomik yapısı

    İnstitutional and economic structure of marble sector in burdur

    AHMET SARITAŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2006

    EkonomiAkdeniz Üniversitesi

    İşletme Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. AYŞE KURUÜZÜM

  4. Tez No

    545339

    Silisyum-azot interaksiyonunun kıvırcık marulda (Lactuca sativa var. crispa) gelişim, nitrat ve nitrit akümülasyonuna etkisi

    Effect of silicon - nitrogen interactions on curly lettuce (Lactuca sativa var. crispa) growth, nitrate and nitrite accumulations

    ALİ KONAŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    ZiraatOndokuz Mayıs Üniversitesi

    Toprak Bilimi ve Bitki Besleme Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. AYHAN HORUZ

  5. Tez No

    991199

    Reliability measurements and analysis of gallium nitride on silicon carbide high electron mobility transistors (gan-on-sic hemts)

    Silisyum karbür üzerinde galyum nitrat yüksek elektron hareketliliğine sahip transistörlerin (gan-on-sic hemt) güvenilirlik ölçümleri ve analizi

    MAHMUT CAN SOYDAN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2025

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. EKMEL ÖZBAY

Geri Dön