The influence of substrate temperature on electrical parameters of reactive sputtered Cr2O3/n-Si heterojunctions
Reakti̇f saçtirma yöntemi̇ i̇le oluşturulan Cr2O3/n-Si heteroeklemleri̇n elektri̇ksel özelli̇kleri̇ne alttaş sicakliğinin etki̇si̇
- Tez No: 413325
- Danışmanlar: DOÇ. DR. YUSUF SELİM OCAK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Yoğun madde fiziği, Condensed matter physics
- Yıl: 2015
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Dicle Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada, alttaş sıcaklığının Cr2O3/n-Si heteroeklemler üzerine etkisini incelemek amaçlanmıştır. Bu amaçla, Cr2O3 ince filmleri 40, 150 and 250 °C alttaş sıcaklıklarında radio frekansı (RF) reaktif saçtırma yöntemi ile n-Si ve cam alttaşlar üzerine büyütülmüştür. Yüksek saflıktaki Cr metali hedef ve oksijen ise reaktif gaz olarak kullanılmıştır. Cr2O3 ince filmlerin optic özellikleri uv-vis verileri ile incelenmiştir. Cr2O3/n-Si heteroeklemlerin elektriksel özellikleri karanlıkta akım-gerilim (I-V) ölçümleri ile incelenmiştir. 250 °C alttaş sıcaklığında büyütülen Cr2O3 ince filmleri ile oluşturulan Cr2O3/n-Si heteroeklemin mükemmel doğrultmaya sahip olduğu görülmüştür. Bu yapının idealite faktörü, engel yüksekliği ve seri direnç gibi elektriksel özellikleri I-V verileri ile hesaplanmıştır. Işık şiddetinin bu yapının fotovoltaik parametreleri üzerin etkiside incelenmiştir. Son olarak, kapasite gerilim ölçümleri ile elde edilen engel yüksekliği değeri I-V ile elde edilen değer ile karşılaştırıldı.
Özet (Çeviri)
The purpose of this study was to see the effects of substrate temperature on Cr2O3/n-Si heterojunctions. For this purpose Cr2O3/n-Si thin films were formed on n.Si and glass substrates at 40,150 and 250 C° by radio frequency (RF) reactive technique. High purity Cr was used as target and oxygen was used as reactive gas. Optical properties of Cr2O3/n-Si thin films were analyzed using Uv-vis data . The band gaps of the films were compared. The electrical properties of Cr2O3/n-Si heterojunction were tested by their current voltage (I-V) measurements in dark. It was observed that the heterojunction which was fabricated by forming Cr2O3 thin film at 250 °C gave better rectification. The characteristics electrical parameters such as barrier height, ideality factor and series resistance were calculated by using its I-V data. The influence of light intensity on photovoltaic effect behavior of the device was also calculated, finally the barrier height value of the structure obtained from capacitance-voltage (C-V) data were compared with the one calculated from I-V measurements.
Benzer Tezler
- Katkılı SIO2 filmlerin CHF3-O2 plazması içerisinde reaktifiyon aşındırılması
Başlık çevirisi yok
SUAT ALİ ERTUĞRUL
- Mo-N esaslı PVD kaplamaların oksidasyon davranışları
The oxidation behaviour of Mo-N coatings deposited on alumina by cathodic ARC PVD method
MURAT KESİK
Yüksek Lisans
Türkçe
1997
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. M. KELAMİ ŞEŞEN
- Mo-N kaplamaların ark fiziksel buhar biriktirme yöntemiyle üretimi ve karakterizasyonu
Production and characterisation of Mo-N coatings by arc physical vapour deposition technique
M. KÜRŞAT KAZMANLI
- Mos tranzistorlarda kanal katkılama yönteminin oksit ve arayüzey tuzakları üzerine etkisi
The Channel doping method's effect on oxide and interface traps in mos transistors
ENGİN KONUR
Doktora
Türkçe
1999
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. UĞUR ÇİLİNGİROĞLU
- Çinko nanotanecik içeren polimer nanokompozit malzeme üretimi ve karakterizasyonu
Fabrication and characterization of polymer nanocomposite materials incorporated zno nanoparticles
ALEV AKBAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Kimya Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiKimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SADRİYE KÜÇÜKBAYRAK OSKAY