TlSe malzemesinin elektriksel özellikleri
Electrical properties of TlSe material
- Tez No: 412116
- Danışmanlar: DOÇ. DR. DENİZ ULUTAŞ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Yarı iletken ince filmler, Semiconductor thin films
- Yıl: 2013
- Dil: Türkçe
- Üniversite: İstanbul Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Genel Fizik Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada, 300 Å -3200 Å kalınlık bölgesinde, hazırlanan TlSe ince filmlerinin 10 Hz- 20 MHz frekans ve 173 K- 433 K sıcaklık aralığında sıcaklığa, frekansa ve film kalınlığına bağlı olarak değişken dış elektrik alana verdiği yanıtlar incelenip, mümkün polarizasyon mekanizmaları belirlendi. Ayrıca incelenen yapıdaki alternatif iletkenlik mekanizmasının, n<1 olmak üzere ?^n davranışına uyduğu gözlendi. Stockbarger-Bridgman yöntemiyle hazırlanmış TlSe kristallerinin 10-4 Torr vakum ortamında termal buharlaştırılmasıyla cam taşıyıcılar üzerine farklı kalınlıklarda TlSe ince filmleri oluşturuldu. Filmlerin alt ve üst elektrotları alüminyum ile hazırlandı. Elektrot olarak kullanılacak alüminyum telleri buharlaştırmak için tungsten flamanlar; külçe halinde bulunan TlSe ' ni buharlaştırmak için de molibden potalar kullanıldı. Hazırlanan Al/ TlSe/ Al formatındaki örnekler, sıcaklık kontrol ünitesi yardımıyla farklı sıcaklıklarda tutuldu. Bu örneklerin değişken dış alana verdiği yanıtlar kullanılarak kapasite (C) ve kayıp (tan Ø) değerleri bilgisayar kontrollü dielektrik spektroskopi cihazı kullanılarak elde edildi. Yapılan bu ölçümler sonrası ulaşılan verilerden dielektrik katsayısı, dielektrik kayıp ve alternatik iletkenlik türetilerek, TlSe' nin dielekrik özelliklerinin sıcaklığa, frekansa ve film kalınlığına bağlı davranışları belirlendi. Böylece incelenen malzemedeki mümkün polarizasyon, enerji kayıp mekanizmaları ve iletkenlik belirlendi. Elde edilen sonuçlar literatürdeki benzer diğer malzemelerle karşılaştırıldı.
Özet (Çeviri)
In this work, we searched in which frequency interval the electric conductivity is due to which type of charge carriered by examining the responses of TlSe thin films to the external alternating electric fields in a frequency region, 10Hz-20MHz, and in thickness region, such as 300 Å - 3200 Å within 173 K- 433 K temperature region. Moreover, it was observed that the relation between alternative conductivity obeys ?(?) ? ?^n equation where n<1. TlSe thin films were going to be prepared on glass surfaces between metal electrodes using suitable masks which were cleaned by mechanical, ultrasonical and chemical methods upon different thicknesses by thermal evaporation method at the 10-4 Torr vacuum. Tungsten filaments were going to be used to evaporate Aluminum wires which were used as electrodes and molibdenum boots were going to be used to evaporate TlSe samples. The samples were going to be hold at different temperatures using temperature control unity. Capacity and dissipation values were going to be measured under alternative electric field by using computer controlled empedance analizer. Other parameters such as dielectric constant, dielectric loss and alternative conductivity were going to be derived from obtained capacity and dissipation datas. By evaluating the obtained and derived results the electrical behaviour of TlSe samples were going to be realized in case of investigated temperature and frequency interval. After these evaluations TlSe's dialectic features were going to be determined which is Based on temprature,frequency And film's thickness by derivatized from dialectic parameter,dialectic lost And alternatic conductivity. So, possible polarization, lost energy mechanisms And conductivity were going to be determined in the inspected stuff. The results that optained were going to be compared with the other materials in the litterateure.
Benzer Tezler
- TlSbS2 yarıiletken malzemesinin elektriksel özellikleri
Electrical properties of the semiconductor material TlSbS2
MURAT KOÇ
Yüksek Lisans
Türkçe
2016
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. SAFFETTİN YILDIRIM
- Zaman atlamalı elektrik özdirenç yönteminin (tl-ERT) heyelan aktivitesinin modellenmesinde kullanımı: Batı Antalya'dan örnek uygulamalar
The utilizing of time-lapse electrical resistivity method (tl-ERT) in modeling of landslide activity: Case studies from the west of Antalya
FATİH UÇAR
Doktora
Türkçe
2020
Jeofizik MühendisliğiAkdeniz ÜniversitesiJeoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ ÖZGÜR AKTÜRK
- TlPrSe2-TlPr2Se4 sisteminin faz dengesi, oluşan fazların fiziko kimya özelliklerinin incelenmesi
Phase equilibrium of TlPrSe2-TlPr2Se4 system, investigation of physico - chemical properties of the phases formed
TUBA KARAKUŞ
- Pr-Tl-Se üçlü sisteminde Pr2Se3-TI2Se iç kesiğinin incelenmesi
The investigetion of the pr2se3-ti2se join is internal section of the Pr-Tl-Se ternary system
AYTEN ÇOBAN