Politiyofen(P3DMTPT) arayüzeyli Al/p-Si Schottky diyotun akım-voltaj ve kapasite-voltaj karakteristikleri
The study electronics properties of P3DMTPT/Al/p-type Si structures
- Tez No: 410764
- Danışmanlar: DOÇ. DR. AHMET FARUK ÖZDEMİR
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Schottky diyotları, seri direnç, polimer arayüzey tabaka, arayüzey hal yoğunluğu, Schottky diode, series resistance, polymer interfacial layer, density of interface states
- Yıl: 2015
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Süleyman Demirel Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada , polimer Politiyofen (P3DMTPT) arayüzeyli/Al/p - Si Schottky kontağın elektriksel özellikleri çalışılmıştır. Schottky diyotun üretiminde ( 100 ) yönelimli , 390 m ve 1 - 10 Ω cm özdirence sahip olan p - Si kullanılmıştır. Akım - gerilim ve k apasite - gerilim ölçümleri yardımıyla diyotun karakteristik parametreleri elde edilmiştir. Tüm ölçümler oda sıcaklığında ve karanlıkta gerçekleştirilmiştir. Schottky diyotun idealite faktörü ve engel yüksekliği değeri akım - gerilim karakteristiğinden 1,41 ve 0,87 eV elde edilmiştir. Seri direnç değeri Norde ve Cheung fonksiyonları yardımıyla bulunmuştur. Norde fonksiyonları ile elde edilen kontak par ametreleri ile Cheung fonksiyonl arı ile elde edilen kontak parametreleri karşılaştırı lmıştır. Cheung fonksiyonları kullanılarak idealite faktörü 4,48, engel yüksekliği 0,63 eV ve seri direnç 42 Ω bulunmuştur. Taşıyıcı yoğunluğu ve en gel yüksekliği değerleri, C - 2 - V grafiğinin ters besleme kısmı kullanılarak bulunmuştur. Taşıyıcı yoğunluğu 1,31 ⨯ 10 15 cm - 3 ve engel yüksekliği 0,8 5 6 eV olarak bulunmuştur. Politiyofen (P3DMTPT) arayüzeyli/Al/p - Si Schottky diyodun bulunan karakteristik
Özet (Çeviri)
In this study, the electrical properties of Al/p - Si Schottky contact with polymer Politiyofen (P3DMTPT) interfacial layer has been studied. For fabrication of Schottky diode, p - Si crystal with 100 orienta tion, 390 m thickness a nd 1 - 10 Ω cm resistivity was used. The characteristic parameters of the diode have been obtained by using the capacitance - voltage and the current - voltage measurements. All the measurements were performed at room temperature and in dark. Ideality factor and barrier height value s of Schottky diode have been determined from the current - volta ge characteristic as 1.40 and 0. 87 eV respectively . Series resistance value were c alculated from Norde's function and Cheung 's function. The contact parameters obtained from Norde's function were compared with those from Cheung functions. Using the Cheung functions, the values of ideality factor, barrier height and series resistance were calculated as 4. 48, barrier height of 0 . 63 eV and 42 Ω respectively . The carrier concentration and barrier height values for diode were extracted from its reverse bias C - 2 - V charecteristic. The carrier concentration value of 1 . 31 ⨯ 10 15 cm - 3 and barrier height value of 0 . 856 eV were determined from the reverse bias C - 2 - V char a cteristic s . According to presented characteristic properties of P3DMTPT Al/p - Si diode, it can be said that the diode obeys the metal - insulator - semiconductor (MIS) structure.
Benzer Tezler
- Elektrokimyasal yöntemle poliüretan/ politiyofen iletken kopolimerlerinin sentezi ve karakterizasyonu
Synthesis and characterization of polyurethane/ polythiophene conducting copolymer by electrochemical method
EMİN KÜRŞAD BALCI
Yüksek Lisans
Türkçe
2001
KimyaGazi ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUZAFFER TALU
YRD. DOÇ. DR. BEKİR SARI
- Politiyofen ve politiyofen-kopolimer sisteminin elektroreolojik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of electrorheological properties of polythiophene and polythiophene-copolymer system
OSMAN KARAGÖLLÜ
Yüksek Lisans
Türkçe
2008
KimyaSüleyman Demirel ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. MUSTAFA YAVUZ
- Politiyofen/boraks kompozitin sentezi, karakterizasyonu ve elektroreolojik özelliklerinin araştırılması
Synthesis, characterization and investigation of electrorheological properties of polythiophene/borax composite
ÖMER YUNUS GÜMÜŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Polimer Bilim ve TeknolojisiGazi ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HALİL İBRAHİM ÜNAL
- Politiyofen polimerler ve bunların organik radikal pillerde ve manyetik malzemelerdeki uygulamaları
Polythiophene polymers and their applications in organic radical batteries and magnetic materials
MUHAMMET AYDIN
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Polimer Bilim ve TeknolojisiGebze Yüksek Teknoloji EnstitüsüKimya Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. FARUK YILMAZ
- Politiyofen ve fulleren içeren organik fotovoltaik hücrelerin optimum çalışma şartlarının belirlenmesi
Determination optimum operating conditions of organic photovoltaic cells which contain polythiophene and fullerene
ADEM KARSLI
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SERAP GÜNEŞ