Geri Dön

Analysis and design of RF CMOS attenuators

Başlık çevirisi mevcut değil.

PDF İndir

  1. Tez No: 400816
  2. Yazar: HAKAN DOĞAN
  3. Danışmanlar: PROF. ROBERT G. MEYER
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2005
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Unıversıty Of Calıfornıa Berkeley
  10. Enstitü: Yurtdışı Enstitü
  11. Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Özet yok.

Özet (Çeviri)

The markets for wireless and wire-line technologies have continued to grow exponentially over the last decade. Both emerging and existing technologies led to the design of area-efficient, power-efficient and cost-efficient highly-integrated solutions to meet the market demand. Additionally, continuous scaling of CMOS has enabled the realization of high-frequency solutions, which have been previously realized by higher performance technologies such as GaAs and bipolar. Gain-control blocks in RF chains have been an important part of this transition process. While there are multiple ways to achieve gain control in the chain, such as using active Variable Gain Amplifiers, (VGA), or passive resistor network attenuators, integrated CMOS attenuators promise a low power, low cost solution to this functionality. This thesis intends to analyze the design of RF CMOS attenuators. It presents the design concerns in the design of attenuators and addresses them thoroughly. It tries to give various tradeoffs between design parameters and gives optimization methodologies in designing for different specifications. Furthermore, it facilitates the limitations in attenuator design in terms of nonlinearities, analyzes the CMOS device in its resistive linear region for linearity and uses this analysis to solve for distortion in CMOS attenuators.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    436476

    CMOS düşük gürültülü kuvvetlendiricilerde doğrusallaştırma tekniklerinin incelenmesi

    Linearization techniques of CMOS low noise amplifier

    ESRA İNCE

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiFırat Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MUSTAFA TÜRK

  2. Tez No

    101381

    Hiperlan PPA design and realization

    Hiperlan PPA tasarım ve gerçeklenimi

    BURAK KELLECİ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2001

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. OSMAN PALAMUTÇUOĞLU

  3. Tez No

    724116

    An ultra low-power IR-UWB transmitter in 130nm CMOS with digitally controlled pulse generator

    Başlık çevirisi yok

    AHMED JALAL HAMAD ALSHUWAYHIDI

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Bilgi Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ OKAN ZAFER BATUR

  4. Tez No

    556408

    A high linearity s-band cryogenic low noise amplifier using 180 nm CMOS technology for space applications

    Uzay uygulamaları için 180 nm CMOS teknolojisiyle gerçeklenmiş yüksek doğrusallı kriyojenik s-bant düşük gürültülü kuvvetlendirici

    ALİCAN ÇAĞLAR

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ MUSTAFA BERKE YELTEN

  5. Tez No

    142711

    CMOS class E pover amplifiers for wireless communications

    Kablosuz iletişim için CMOS E sınıfı güç kuvvetlendiricileri

    KATİBE İLHAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2003

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. OSMAN PALAMUTÇUOĞULLARI

Geri Dön