Kimyasal yüzey temizleme işleminin Sn/p-Si/Al Schottky tipi fotovoltaik karakteristikleri üzerine etkileri
Effects of surface chemical cleaning process on characteristic parameters at Sn/p-Si/Al Schottky type photovoltaics
- Tez No: 398787
- Danışmanlar: PROF. DR. CABİR TEMİRCİ
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2015
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Yüzüncü Yıl Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada, =1-10 .cm özdirençli, 100 doğrultusunda büyütülmüş, 280 µm kalınlığında, Bor katkılı p-Si kristali kullanılarak, omik kontakları özdeş olan, Sn/p-Si kontakları içeren dört tür numune üretildi. Bunlardan biri referans numune olarak değerlendirildi. İkincisi, 0.1 M'lık potasyumhidroksit (KOH) çözeltisi kullanılarak 1 mA/cm2' lik sabit akım yoğunluğunda anodik oksidasyona tabi tutulduktan sonra % 10' luk hidroflorik (HF) asit ile 30 sn süreyle kimyasal yüzey temizleme (KYT) yapıldı. Üçüncüsü, aynı şekilde anodik oksidasyon işleminden sonra 60 sn süreyle % 10' luk HF asit ile KYT yapıldı. Dördüncü numune ise, yine aynı anodik oksidasyon işleminden sonra 75 sn süreyle % 10' luk HF asit ile KYT yapıldı. Her bir numunenin ön yüzeyine KYT işleminin hemen ardından ~150 nm kalınlığında Sn buharlaştırıldı. Böylece kimyasal yüzey temizleme işlemleri birbirinden farklı olan dört ayrı tür numune üretildi. Numunelerin akım-voltaj (I-V) ölçümleri oda sıcaklığında karanlıkta ve aydınlıkta alındı. Ayrıca kapasite-voltaj (C-V) ve kapasite-frekans (C-f) ölçümleri de oda sıcaklığında ve karanlıkta alındı. Üretilen Sn/p-Si kontakların idealite faktörü (n), engel yüksekliği (Φ_b ) ve seri direnç (Rs) gibi karakteristik diyot parametreleri belirlendi. Sonra, üretilen numunelerin fotovoltaik özelliklerini ortaya koymak için, bir güneş simülatörü vasıtasıyla AM1.5 ve 100 mW/cm2 aydınlatma altında I-V ölçümleri alındı. Numunelerin dolum çarpanları (FF) ve verimleri (η) hesaplandı. Numunelere ait diyot ve güneş pili parametreleri karşılaştırılarak, KYT işleminin diyot ve güneş pili parametreleri üzerine etkileri incelendi. Bu bağlamda güneş pili parametreleri ile diyot parametreleri arasındaki ilişki KYT işleminin etkisine bağlı olarak yorumlandı.
Özet (Çeviri)
In this study, four samples of Sn/p-Si contacts were produced, which have identical ohmic contacts, by using Boron doped p-Si, with 100 orientation, 280 µm thickness, and rezistivities between 1-10 .cm. The first sample was selected as reference. The second one has been etched for 30 seconds with % 10 hydrofluoric (HF) acid solution after anodic oxidation process under 1mA/cm2 constant current density and using 0.1 M potassium hydroxide (KOH) solution. The third one has been etched for 60 seconds with % 10 HF solution after the anodic oxidation process under 1mA/cm2 constant current density and using 0.1 M KOH solution. The fourth one has been etched for 75 seconds with % 10 HF solution after the anodic oxidation process under 1mA/cm2 constant current density and using 0.1 M KOH solution. Aproximately 150 nm Sn was evaporated onto the front surface of each sample right after the etching process. Thus, we have obtained four samples, of which three were produced by different etching times. Current-voltage(I-V) measurements of samples were taken at room temperature in dark and under illumination. Moreover, capacitance-voltage (C-V) and capacitance-frequency (C-f) measurements of samples were performed at room temperature in dark. Diode characteristic parameters of produced Sn/p-Si contacts such as ideality factor (n), barrier height (Φ_b ) and series resistance (Rs) were determined. Then, for determining photovoltaic properties of produced samples, I-V measurements were performed by a solar simulator under AM1.5 and 100 mW/cm2 illumination. Fill factors (FF) and solar cell efficiencies (η) were calculated. Effects of etching process on the diode and solar cell parameters were investigated, comparing diode and solar cell parameters. In this context, the relationship between the solar parameters and diode parameters were interpreted as an influence of etching process.
Benzer Tezler
- Mo-N kaplamaların ark fiziksel buhar biriktirme yöntemiyle üretimi ve karakterizasyonu
Production and characterisation of Mo-N coatings by arc physical vapour deposition technique
M. KÜRŞAT KAZMANLI
- Paslanmaz çeliklerin sürekli ışıl işlem hatlarında elektroyüzey temizleme proseslerinin iyileştirilmesi
Improvement of electro-pickling processes in continuousheat treatment process lines of stainless steels
BEDİRHAN GÜRAYDIN
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
Metalurji MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ BURAK BİROL
- Deterjan bileşenlerinin temizleme aktivitesi üzerine mekanik hareket ve sıcaklık etkisinin incelenmesi
Investigation of the effects of mechanical action and temperature on the cleaning activity of detergent ingredients
SERVET EFE
Yüksek Lisans
Türkçe
2015
Kimya Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiKimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NURAN DEVECİ AKSOY
- Yağlı boya tuvallerde görülen kirlenmeler ve hidrojellerle yüzey temizlik tekniklerinin incelenmesi
Contaminations in oil painting canvas and investigation of surface cleaning techniques by hydrogels
İBRAHİM KARATAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Sanat TarihiPamukkale ÜniversitesiKültür Varlıklarını Koruma ve Onarım Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CEM GÖK
- Demir esaslı toz metalürjisi ile üretilmiş parçalarda alüminyum kaplamanın yüzey özelliklerine etkisi
Effects on surface properties of the hot dip aluminum coated parts which were produced iron-based powder metallurgy
SEDAT KOÇANAOĞULLARI
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Makine MühendisliğiCelal Bayar ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. N. SİNAN KÖKSAL