Geri Dön

Au/ZnO/n-GaAs (MIS) Schottky engel di̇yotlarin (SBDs) elektri̇ksel karakteri̇sti̇kleri̇ni̇n frekans ve voltaja bağli i̇ncelenmesi̇

The investigation of frequency and voltage dependence of main electrical parametres of Au/ZnO/n-GaAs (MIS) Schottky barrier diodes (SBDs)

  1. Tez No: 395652
  2. Yazar: BUKET AKIN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2015
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Au/ZnO/n-GaAs Schottky engel diyotları (SBDs) hazırlandı ve onların elektriksel karakteristikleri, akım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj-frekans (C-V-f) ve kondüktans-voltaj-frekans (G/ω-V-f) ölçümleri kullanılarak oda sıcaklığında incelendi. Diyotun ters doyum akımı (Io), idealite faktörü (n) ve sıfır-beslem engel yüksekliği (ФBo) gibi temel elektriksel parametreleri sırasıyla 4,03x10-8 A, 3,75 ve 0,47 eV olarak bulundu. Arayüzey durumlarının (Nss) enerjiye bağlı dağılımı, hem etkin engel yüksekliğinin hem de n'nin voltaja bağlı değerleri dikkate alınarak doğru beslem I-V verilerinden elde edildi. Frekansa bağlı C-V ve G/ω-V karakteristikleri ise 0,5 kHz-500 kHz aralığında incelendi. Nicollian ve Brews metodu kullanılarak elde edilen Rs değerlerinin artan frekans ile azaldığı gözlendi. Bu değerler Norde, Cheung ve Ohm metodları kullanılarak elde edilenlerle uyum içinde olduğu gözlendi. Engel yüksekliği (ФB), verici katkı atomlarının yoğunluğu (ND) ve tüketim tabakası genişliği (WD) frekansın fonksiyonu olarak 1/C2-V eğrilerinden elde edildi. Ayrıca, hem Nss hem de onların yaşama süreleri admittans spektroskopi metodu kullanılarak frekansa bağlı elde edildi.

Özet (Çeviri)

Au/ZnO/n-GaAs Schotky barrier diodes (SBDs) were fabricated and their electrical characteristics have been investigated using current-voltage (I-V), capacitance-voltage-frequency (C-V-f) and conductance-voltage-frequency (G/ω -V-f) measurements at room temperature. The main electrical parameters such as reverse saturation current (Io), ideality factor (n) and zero-bias barrier height (ФBo) , were found as 4,03x10-8 A; 3,75 and 0,47 eV, respectively. The energy dependent of the interface states (Nss) was obtained from the forward bias I-Vdata by taking into account voltage dependence effective barrier height (Фe) and n. and their values are in the range Ec-0,21 to Ec-0,46 eV. The frequency dependent C-V and G/ω-V characteristics have been investigated in the frequency range of 0,5 kHz-500 kHz. The value of series resistance (Rs) was obtained from the C-V-f and G/ ω-V data using Nicollian and Brews method and it decreases with increasing frequency and compared with thieir Norde, Cheung and Ohm law methods The barrier height (ФB), doping concentration (ND) and depletion layer width (WD) were obtained from linear part of 1/C2 vs V plot for each frequency. The energy dependent Nss values and their relaxation time were also obtained from admittance spectroscopy method.

Benzer Tezler

  1. ZnO arayüzey tabakalı schottky engel diyotların hazırlanması ve elektriksel özelliklerinin aydınlatma şiddetine bağlı incelenmesi

    The preparation of schottky barrier diodes with ZnO interface layer and the investigation of their electrical properties dependent on illumination intensity

    SERHAT ORKUN TAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKarabük Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. HABİBE TECİMER

  2. P-galyum arsenür (GaAs)/anodik izolasyon filmlerin arayüzey özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of interface properties in p-gallium arsenide (GaAs)/anodic insulator films

    HAYRETTİN YÜZER

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1994

    Kimya Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. A. HİKMET ÜÇIŞIK

  3. Sıvı kristallerde smetrik a-smetrik C* faz geçişinin klasik ve genelleştirilmiş landau modelleri ile incelenmesi

    Classical and extended landau models introduction

    SUMRU BELLİCİ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1997

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HAMİT YURTSEVEN

  4. İstanbul Bizans mimarisinde kullanılan tuğlanın fiziksel ve mekanik özellikleri

    Characteristics of brick used in Byzantine architecture in İstanbul

    YEGAN KAHYA

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1992

    Mimarlıkİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF. DR. METİN AHUNBAY