Geri Dön

PECVD yöntemiyle düşük sıcaklıklarda sentezlenen grafenlerin yapı karakterizasyonu

Structural characterization of graphene synthesized by PECVD method at low temperature

PDF İndir

  1. Tez No: 394283
  2. Yazar: SAMİ PEKDEMİR
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. MEHMET HANÇER
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Mühendislik Bilimleri, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Engineering Sciences, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2015
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Erciyes Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Günümüzde en çok araştırılan konulardan olan ve gelecek teknolojisini içinde barındıran; ilgi çekici ve sıra dışı özellikleriyle dikkat çeken grafen malzemelerin sentezlenmesi çok büyük bir önem arz etmektedir. Genel olarak yüksek sıcaklıklarda (>900oC) sentezlenen grafenin düşük sıcaklıklarda (< 500oC) tek tabaka sentezlenmesi, teknolojik gelişmelerin endüstriyel uygulamalara dönüşmesinde büyük rol oynayacağı düşünülmektedir. Özellikle düşük maliyetli sentezleme yöntemlerinin geliştirilmesi büyük ilgi görmektedir. Bu yöntemlerden birisi olan Plazma destekli sistemler düşük sıcaklıklarda grafen sentezlemek kullanılan en etkin yöntemlerdendir. Bu tez çalışmasında, PECVD ( Plazma Destekli Kimyasal Buhar Biriktirme) sistemi ile düşük sıcaklıklarda farklı sıcaklıklarda, farklı plazma gücü değerlerinde, farklı biriktirme sürelerinde, bakır altlık kullanılarak, grafen filmler sentezlendi. Sentezlenen filmler, Si/SiO2 altlık üzerine transfer edildi ve Raman spektroskopisiyle karakterize edildi. Daha sonra seçilen numunelerin SEM ( Taramalı elektron mikroskobu) ve AFM ( atomik kuvvet mikroskobu ) ile yüzey morfolojisi incelendi. Sentezlenen ince filmlerin ortalama kalınlık değerleri elipsometre ile ölçüldü. Ölçülen değerlerin oluşturduğu tepki yüzeyleri (response surface) Raman spektroskopisinden elde edilen I2D/IG değerleri kıyaslandı. Sonuçlar literatür çalışmaları ile kıyaslandı. Deney sonuçlarına etki eden parametreler tespit edildi ve çözüm önerileri sunuldu.

Özet (Çeviri)

Today, graphene is one of the most researched topics and it remains an important future thin solid film technology. It has attracted great attention due to its rather interesting and extraordinary properties and synthesis route. Graphene is usually synthesized at high temperature (>900oC), and it still remains a key challenge to synthesize single layer graphene at low temperature (< 500oC), which is more favorable for semiconductor device fabrication. Therefore, development of low cost synthesis methods attracts great attention. Plasma assisting is one of the critical knobs for the successful production of low temperature graphene synthesis. In this thesis study, PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) system with copper substrate was used to synthesize low temperature (<500oC) graphene films at different temperatures, plasma powers and deposition times. Synthesized graphene films were then transferred onto Si/SiO2 substrate and characterized with Raman spectroscopy. The selected samples surface morphology were then investigated by SEM (Scanning Electron Microscopy) and AFM (Atomic Force Microscopy). The average thickness values of a single and a few layer graphene samples were also measured by ellipsometer. The response surface of average thickness values of samples and the response surface of I2D/IG ratios were obtained Raman spectroscopy. The results were compared with the values reported in the literature. The key input parameters that affect single layer graphene formation were identified and some solutions were proposed.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    339777

    Biomimetic antireflection coatings on silicon

    Biyobenzetim yöntemiyle silisyum tabanlı ince film yansıtmayan kaplama üretimi

    MÜMİN BALABAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2013

    Mühendislik Bilimleriİstanbul Teknik Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. HÜSEYİN KIZIL

  2. Tez No

    295828

    PECVD yöntemiyle büyütülmüş BN filmlerin opto-elektronik özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of PECVD grown BN thin films opto-electronic properties

    BORA BOZKURT

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ORHAN ÖZDEMİR

  3. Tez No

    364155

    a-SiOx:H ve kristal silisyumdan (c-Si) oluşan a-SiOx:H/c-Si heteroeklem güneş pillerinin fabrikasyonunu ve karakterizasyonu

    The characterisation and fabrication of a-SiOx:H/c-Si heterojunction solar cells

    OKAN YILMAZ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ORHAN ÖZDEMİR

    DOÇ. DR. ALP OSMAN KODOLBAŞ

  4. Tez No

    948835

    Poli (akrilik asit) ince film kaplı doğal atıkların katyonik boya gideriminde kullanımı

    Use of natural wastes coated with poly (acrylic acid) thin film for the removal of cationic dye

    SEMRA AVŞAR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2025

    Kimya MühendisliğiKonya Teknik Üniversitesi

    Kimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. SÜHEYLA KOCAMAN

  5. Tez No

    297047

    Amorf silisyum katkılı schottky diyotların optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi

    Investigation optical and electrical properties of amorphous silicon doped schottky diodes

    GİZEM ÇELİKOK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. KUBİLAY KUTLU

Geri Dön