Geri Dön

Sol-jel tekniği ile hazırlanan Ga3+ ve Eu2+ katkılı Sno2/ZnO ince filmlerin optik özelliklerinin incelenmesi

Opti̇cal properti̇es of Ga3+ and Eu2+ doped SnO2/ZnO thi̇n fi̇lms prepared by sol-gel method

  1. Tez No: 392196
  2. Yazar: MUSTAFA KAHRAMAN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. SEMRA KURAMA
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Mühendislik Bilimleri, Engineering Sciences
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2015
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Anadolu Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Bu çalışma, iki aşamadan oluşmaktadır. Birinci aşamada SnO2/ZnO filmini kararlı bir yapıda oluşturduktan sonra, öncelikli olarak optik ve yapısal özelliklerini daha sonra elektriksel özelliklerini incelemek hedeflenmiştir. İkinci aşamada ise, SnO2/ZnO tasarlanan filminden elde edilen veriler ile çift dopant (Al-Ga, Al-Eu, Al-Sn) katkılı çinko oksit ince filmini oluşturmaktır. Ayrıca filmlerin üretimi sırasında farklı katkılama konsantrasyonları ve farklı monoetilenamin (MEA) oranları kullanılarak dopant ve stabilizör miktarının etkisi de incelenmiştir. Çinko asetat bileşiği, çözücü içinde çözüldükten sonra birinci aşamada istenilen katkılamayı elde edebilmek için farklı oranlarda Sn katkısı ve çözeltinin stabilizasyonu için MEA stabilizör eklenmiştir. İkinci aşamada çift dopant katkısı için farklı oranlarda Al-Ga, Al-Eu, Al-Sn katkıları ve çözeltinin stabilizasyonu için farklı oranlarda MEA stabilizörü eklenmiştir Hazırlanan çözeltiler manyetik karıştırıcı yardımı ile karıştırılıp 24 saat oda sıcaklığında bekletilmiştir. Döndürmeli kaplama yöntemi yardımı ile daha önceden yüzey temizliği yapılmış camlar üzerine 6 ve 10 kat kaplama yapılmıştır. Kaplama esnasında her döndürme işleminden sonra filmlere 300°C'de 10 dakika kurutma işlemi uygulanmıştır. Elde edilen filmler 500°C'de 2 saat ısıl işleme tabi tutulmuştur. Filmlerin optik, elektriksel ve mikro yapısal özelliklerini incelemek amacıyla X-ışını kırınımı (XRD), spektrofotometre, taramalı elektron mikroskobu (SEM) ve elektrometre cihazları kullanılarak ölçümler yapılmıştır.

Özet (Çeviri)

This thesis was formed in two sections. The first section included SnO2/ZnO thin film and firstly optical and structural properties and secondly electrical properties of the film are investigated. In the second section the dates which were obtain from SnO2/ZnO film, used to produce co-doped (Al-Ga, Al-Eu, Al-Sn) zinc oxide tin films. The films were produced different amount of dopant and monoethylenamine (MEA).In the first section of production zinc precursor was solved in solvent, which has different amounts of Sn dopant, to obtain desired doping concentration, and MEA, to stabilize the sols, added to solutions. In the second section of production zinc precursor was solved in solvent, which has different amounts co-dopant, to obtain desired doping concentration, and different ratio of MEA, to stabilize the sols, added to solutions. The prepared solutions were mixed with magnetic stirrer and waited over 24 hours. The solutions were used to coat cleaned glass substrates by spin coating method. Each film was coated six and ten times onto glass substrates and dried at 300 oC for 10 minutes after each coating. Obtained films were sintered at 500 oC and for 2 hours. The X-Ray Diffraction (XRD), photo spectroscopy scanning electron microscopy (SEM) and electrometer used to examine the microstructure, optical and electrical properties of the films.

Benzer Tezler

  1. Güneş pillerinin cigs soğurucu tabakasının radyasyon karşısındaki davranışı

    Behavior of cigs absorber layer of solar cells against to radiation

    UTKU CANCİ MATUR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Nükleer Mühendislikİstanbul Teknik Üniversitesi

    Enerji Bilimi ve Teknolojileri Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NİLGÜN BAYDOĞAN

  2. Growth and characterization of sol-gel derived Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) thin-films and beta irradiation effect

    Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) ince filmlerin sol-jel tekniğiyle büyütülmesi, karakterizasyonu ve beta ışınlarının etkisinin incelenmesi

    ŞENGÜL AKYOL

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Enerjiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HÜSEYİN ÇİMENOĞLU

    PROF. DR. NİLGÜN BAYDOĞAN

  3. Sol-jel tekniği ile hazırlanan katkılı (Li,Mn,Cu,Al) ZnO ince filmlerin mikroyapısal ve optik özelliklerinin incelenmesi

    İnvestigation of micro structural and optical properties of doped (Li,Mn,Cu,Al) ZnO thin films by sol-gel technique

    ZEHRA BANU BAHŞİ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2004

    Metalurji MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. HASAN ASLAN

  4. Sol-jel tekniği ile nanogözenekli dalga kılavuzu özelliği gösteren ince filmlerin üretimi

    Production of non-porous thin films indicating the propertie of waveguides by sol-gel technique

    ECE SİMOOĞLU SARI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Mühendislik BilimleriGebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. AHMET YAVUZ ORAL

  5. Akrilat esaslı UV ışınlarıyla sertleşebilen reçinelerin sol-jel tekniği ile modifiye edilerek diş dolgu malzemesi olarak kullanılması

    UV curable acrylate-based resins that can modified by sol-gel process as a dental restorative material

    AYŞE MERT

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2006

    KimyaMarmara Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ATİLLA GÜNGÖR