Study of low-frequency noise in amorphous silicon
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 3773
- Danışmanlar: DOÇ. DR. YEKTA ÜLGEN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1987
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Boğaziçi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada, amorf silisyum filmler oluşturdukları gürültü açısından incelenmiştir. Omik kontaklı olan filmler vakumda elektron tabancası ile buharlaştı rılarak iki farklı geometride gerçekleştiril miştir. 10 Hertz' den 4.4 kHz 'e kadar! ık bir frekans ekseni boyunca gürültü spektrumu belirlenmiş ve bu frekans bölgesindeki ölçümler l/f tipi karakteristiğin geçerli olduğunu göstermiştir, ölçümlerde doğru akım kutuplama gerilimi ve sıcaklık değiştirilerek etkin gürültü direnci belirlenmiştir. Artan sıcaklıklarda (>300°K) gürültü seviye sinin azaldığı görülmüştür. Oda sıcaklığında fonon yardımlı atlama olayı ile gürültü oluşumu arasında ilişki kurulmuş ve bu bölgede Fermi seviyesi durum yoğunluğunun, gürültü ölçme yöntemiyle hesapla nabileceği gösterilmiştir. Ayrıca, amorf olmayan silisyum kristalinin gürültüsü de ölçülerek, amorf silisyumdan daha gürültülü olduğu gözlenmiştir.
Özet (Çeviri)
In this thesis, amorphous silicon films are fabricated and their low-frequency noise properties are investigated over the range of 10 Hz to 4.4 kHz. The ohmic contacted films are produced in two different geometries using the electron gun vacuum-evaporation technique. The noise measurements carried out at low-frequencies show that, 1/f noise is dominant in this frequency region. Effects of d.c. biasing and increasing ambient temperature are also investigated; increasing temperature (>300 °K) decreases the low-frequency noise power level. The relationship between the hopping rate and the 1/f noise is verified. It is also shown that, the density of states near the Fermi level can be calculated from 1/f noise measurements. Amorphous silicon films are found to be noisier than the crystalline structure.
Benzer Tezler
- Modelling and experimental study of low frequency and radio frequency radition from electronic devices
Elektronik sınavlardan yayılan düşük frekans ve radyo frekans (yüksek frekans) yayılımların ölçülmesi ve modellenmesi
HASAN KOÇER
Yüksek Lisans
İngilizce
1998
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiBoğaziçi ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SELİM ŞEKER
- Biyomagnetik olaylar
Başlık çevirisi yok
M.TOGAN ÇANDIR
Yüksek Lisans
Türkçe
1996
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. İNCİ AKKAY
- Bulanık (Fuzzy) sınıflayıcılarla EKG şekil bozukluklarının belirlenmesi
Detection of ECG shape changes by using fuzzy classifiers
ZÜMRAY DOKUR
- İmpulsif gürültünün incelenmesi ve V.32 modemin impulsif gürültülü ortamda hata başarımı
Başlık çevirisi yok
ERCAN BÜYÜKKARA
Yüksek Lisans
Türkçe
1996
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiDOÇ.DR. ÜMİT AYGÖLÜ
- Milimetre dalga boyunda yüzgeç hat karıştırıcı tasarımı
Balanced finline mixer design in millimeter wawe band
DEMET SEVİL ARMAĞAN
Yüksek Lisans
Türkçe
1995
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. OSMAN PALAMUTÇUOĞLU