Geri Dön

Opto-elektronik uygulamalarda kullanılabilecek katkısız ve Mg katkılı ZnO filmlerin üretilmesi

Production of undoped and Mg doped ZnO films for opto-electronic applications

  1. Tez No: 374785
  2. Yazar: SERHAT ALDAĞ
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. SEMA KURTARAN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2014
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Eskişehir Osmangazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Son yıllarda, opto-elektronik teknolojisi yeni ve alternatif malzemelere gereksinim duyan bir bilimsel çalışma alanı olarak kendini göstermektedir. Bu alanda yapılan birçok bilimsel çalışma saydam iletken oksit ailesi üzerinde yoğunlaşmıştır. Bu çalışmada, saydam iletken oksit ailesinin önemli bir üyesi olan ZnO filmleri ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği ile 350±5 ºC taban sıcaklığında ve farklı Mg elementi konsantrasyonları ile üretilmiştir. ZnO filmlerinin yapısal, optik, yüzeysel, elektriksel ve lüminesans özellikleri üzerine Mg elementinin etkisi araştırılmıştır. ZnO:Mg filmlerinin X-ışını kırınım desenlerinden, tüm filmlerin polikristal yapıda olduğu ve (002) yönünde tercihli büyüme gösterdiği belirlenmiştir. Spektroskopik elipsometre cihazı yardımıyla filmlerin kalınlıkları ve optik sabitleri belirlenmiştir. Elde edilen filmlerin optik özellikleri incelenerek direkt bant geçişli malzemeler oldukları tespit edilmiş ve optik metot yardımı ile optik bant aralıkları 3.27~3.40 eV olarak belirlenmiştir. Atomik Kuvvet Mikroskobu ile filmlerin üç boyutlu yüzey özellikleri incelenmiştir. Floresans Spektrometre cihazı ile ZnO:Mg filmlerinin fotolüminesans özellikleri incelenmiştir. Dört uç tekniği yardımıyla filmlerin elektriksel özdirenç değerleri belirlenmiş ve Mg katkısı ile bu değerlerin azaldığı görülmüştür. Mg katkılama işleminin, ZnO filmlerinin özelliklerini opto-elektronik ve fotovoltaik güneş pili uygulamaları açısından önemli derecede etkilediği sonucuna varılmıştır.

Özet (Çeviri)

Recently, opto-electronic technology reveal itself as a scientific study field requiring novel and alternative materials. Most of the works made on this field have been focused on transparent conducting oxide family. In this work, ZnO films which are important members of transparent conducting oxide family, have been produced by ultrasonic spray pyrolysis technique at 350±5 ºC substrate temperature with different Mg concentrations. Effect of Mg doping on the structural, optical, surface, electrical and luminescent properties of ZnO films have been investigated. It has been determined that all films have polycrystalline structure and show a preferential orientation through (002) plane, using X-ray diffraction patterns. Thicknesses and optical constants of the films have been determined by Spectroscopic Ellipsometry. Optical properties of the films have been examined and it has been determined that all films have direct band structure. Optical band gap values have been found to be between 3.27 and 3.40 eV by optical method. Atomic force microscope has been used to investigate the three dimensional surface properties. Photoluminescence properties of ZnO:Mg films have been examined by a fluorescence spectrometer. Four-probe technique has been used to determine the electrical resistivity values of the films and it has been seen that these values decreased by Mg doping. It has been concluded that Mg doping has important effects on the properties of ZnO films in view of opto-electronic and photovoltaic solar cell applications.

Benzer Tezler

  1. Seri üretimde malzeme ve tezgahların işleme hatalarının elektro-mekanik olarak tesbiti

    Başlık çevirisi yok

    ABDULLAH KEÇECİLER

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1987

    Makine MühendisliğiErciyes Üniversitesi

    Makine Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. BEKİR SAMİ YILBAŞ

  2. Bilgisayar destekli bir EKG sistemi ile biyopotansiyel ölçümü

    Başlık çevirisi yok

    MEHMET AVCI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1988

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiAnadolu Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. HAMDİ ATMACA

  3. a-Si:C:H'nın linear ve nonlinear optik özellikleri

    Başlık çevirisi yok

    M.NACİ İNCİ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1991

    Fizik ve Fizik MühendisliğiMarmara Üniversitesi

    DR. AYLA GÜRDAL

  4. Bilgisayar kontrolü, programlanabilir, baskılı devre matkap tezgahı

    Başlık çevirisi yok

    ALTUĞ ORHAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1994

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ŞEFİK SARIKAYALAR