Geri Dön

Katkılı-katkısız TlInS2 ferroelektrik kristallerinin histerezis loop araştırılması

Hysteresis loops investigation of pure and doped TlInS2 ferroelectric crystals

  1. Tez No: 365473
  2. Yazar: ENGİN YAZICI
  3. Danışmanlar: PROF. DR. MİRHASAN SEYİTSOY
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Histerezis, Kristal özellikler, Kritik sıcaklık, Hysteresis, Crystal properties, Critical temperature
  7. Yıl: 2011
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü
  10. Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Bu tez çalışmasında TlInS2 (talyum indiyum sülfür) kristalinin katkılı ve katkısız durumlarda histerezis eğrileri incelenmiştir. Histerezis eğrilerini elde etmek için Sawyer ? Tower Metodu kullanılmıştır. Bunun yanında katkılı ferroelektrik kristalin, ışığın farklı dalga boyları altında ölçümleri yapılmıştır. Işığın, bu malzemenin histerezis eğrisi üzerindeki etkisi incelenmiştir. Aynı zamanda karanlık ortamda yapılan histerezis eğrisi ölçümleri ile kıyaslanmıştır.

Özet (Çeviri)

In this thesis hysteresis loop of pure and doped TlInS2 crystals have been investigated. Sawyer ? Tower Method has been used. Doped TlInS2 ferroelectric material has been exposed with lights with different frequencies. The effect of light on hysteresis loop has been examined. These findings have been compared with the hysteresis loops in dark.

Benzer Tezler

  1. Fe3+ atomları ile katkılandırılmış TIInS2 ve TIGaSe2 ferroelektrik kristallerinin dielektik özellikleri

    Dielectric specialities of TIInS2 and TIGaSe2 crystals which are doped with Fe3+ atoms

    CEMALETTİN BALTA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2004

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. FAİK MİKAİLOV

  2. Lantanyum doplu TlInS2 tabanlı yarıiletkende polarizasyon efektleri ve derin seviyeli defektlerin parametreleri

    Polarization effects and deep-level parameters of the TlInS2 based semiconductor with lantanium dopant

    ELİF ORHAN KARGIN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MİRHASAN SEYİTSOY

  3. Tb ve Er katkılarının TlInS2 tek kristallerindeki tuzakların elektrik karakterizasyona etkisi

    The effect of the Tb and Er impurities on the characterization of the traps in the TlInS2 single crystals

    SERDAR GÖREN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MİRHASAN SEYİTSOY

  4. Fe ve Cr atomları ile katkılandırılmış T1InS2 kristalinde faz geçişleri çevresinde dielektrik ve manyetik özellikler

    Dielectric and magnetic properties in the vicinity of phase transitions in T1InS2 crystal doped by fe and cr atoms

    ASİYE GONCA ONAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2007

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. FAİK MİKAİLOV

  5. Katkılı-katkısız SnO2 nano parçacık devre elemanlarının gaz algılama özelliklerinin incelenmesi

    The investigation of the gas sensing properties of doped and undoped SnO2 nanoparticle

    HAYRİYE KARACA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2008

    Fizik ve Fizik MühendisliğiMarmara Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. MUSTAFA ÖZDEMİR