GaInAs yapılarının XRD ile karakterizasyonu
An investigation of GaInAs structure by XRD method
- Tez No: 363947
- Danışmanlar: PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2014
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Cumhuriyet Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
III. nesil güneş pillerinden olan“ Çok eklemli hücre”ya da“Tandem hücre”diye adlandırılan yüksek verimli fotovoltaik hücreler, farklı bant aralıklı eklemlerin ardışık olarak büyütülmesi sonucu elde edilir. Böyle bir yapıda her eklem güneş ışığının farklı dalga boyları soğuracak şekilde yüksek enerji band aralığından düşük enerji bant aralığına doğru olacak şekilde dizayn edilir. Grubumuzca yapılan bir TÜBİTAK projesi kapsamında seçilen tandem güneş pili yapısı Ge alttaş üzerinde elde edilen p-n Ge eklemi üzerine MOCVD yöntemi ile epitaksiyel olarak örgü uyumlu bir şekilde büyütülen GaInP/GaInAs eklemlerinden oluşmaktadır. Bu çalışmanın konusu ise bu yapının ilk heteroeklemi olan GaInAs/Ge yapısının üniversitemiz bünyesinde bulunan Nanofotonik Merkezi Laboratuvarındaki Rigaku Smart-Lab x-ışını kırınımı cihazı ile yapısal karakterizasyonunun yapılmasıdır. Çalışma kapsamında sallantı eğrileri (rocking curve), 2Ɵ/w ve ters uzay haritalandırma (RSM) ölçümleri simetrik ve asimetrik düzlem için yapılmıştır. Yapıya ait örgü sabitleri belirlenerek alaşımın indiyum içeriği belirlenmiştir.
Özet (Çeviri)
“Multijunction Cells”or“Tandem Cells”so called high-efficiency photovoltaic cells are one of the III. generation solar cells which obtain growing the stack of cells with different bandgaps. This solar cell design such that each cell are sorted the toward large energy bandgap to lower than the energy bandgap for absorb the different wavelength of sunlight. A TÜBİTAK project is been executed by our group on tandem solar cell structure that consist of MOCVD grown GaInP/GaInAs on p-n Ge junction on Ge substrate. The subject of this study is made of structural characterization of GaInAs/Ge which is first heterojunction of Tandem solar cell by Rigaku Smart-Lab x-ray diffraction facility that founded in Nanophotonic Laboratory at Cumhuriyet University. Working under rocking curve, 2Ɵ / w and reciprocial space mapping (RSM) measurements were made for symmetrical and asymmetrical planes. Determining the lattice constants of the structure was determined indium content of the alloy.
Benzer Tezler
- Biyomimetik hidroksiapatit ile kaplanmış kitosan kriyojellerin üretimi ve karakterizasyonu
Production and characterization of biomimetic hydroxyapatite coated chitosan cryogels
FATMA ÖFKELİ
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Kimya MühendisliğiMersin ÜniversitesiKimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. NİMET KARAGÜLLE
- Mekanik alaşımlama yöntemi ile süperalaşım altlık yüzeylerinde Al-Si esaslı kaplamaların üretilmesi ve karakterizasyonu
Production and characterization of Al-Si based coatings on superalloy substrates via mechanical alloying method
SERHAN KÖKTAŞ
Doktora
Türkçe
2022
Metalurji MühendisliğiDokuz Eylül ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ALİ BÜLENT ÖNAY
- 3 boyutlu DLP yöntemiyle HA katkılı kompozit üretimi ve karakterizasyonu
HA doped composite production by 3 dimensional DLP method and characterization
MUHAMMED ENES DOKUZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2020
BiyomühendislikNecmettin Erbakan ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MESUT UYANER
PROF. DR. MUSTAFA AYDIN
- Fabrication and characterization of ZnO nanoparticle/nanorod based photovoltaic cells and gas sensors and a software application for automated data acquisition
ZnO nanoparçacık/nanoçubuk tabanlı fotovoltaik hücreler ve gaz sensörlerinin üretimi, karakterizasyonu ve otomatik veri toplama yöntemine yönelik bir yazılım uygulaması
DORUK YILDIZTEKİN
Yüksek Lisans
İngilizce
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiMarmara ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. FATİH DUMLUDAĞ
- Nanocrystalline ZnO:Al thin films prepared by sol-gel dip coating technique and ZnO: Al/p-Si heterojunctions
Sol-gel daldırmalı kaplama tekniği ile üretilmiş nano yapılı ZnO:Al ince filmler ve ZnO: Al/p-Si heterokavşaklar
ÖZGE KARACASU
Yüksek Lisans
İngilizce
2010
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. NİLGÜN BAYDOĞAN
PROF. DR. HÜSEYİN ÇİMENOĞLU