Geri Dön

A ku-band pHEMT MMIC high power amplifier design

PHEMT teknolojisi kullanarak yüksek güçlü MMIC yükselteç tasarımı

PDF İndir

  1. Tez No: 360990
  2. Yazar: AHMET DEĞİRMENCİ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ABDULLAH ATALAR
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2014
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: İhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi
  10. Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Güç yükselteçleri, radar ve haberleşme sistemlerinin en önemli parçalarından biri olarak gösterilmektedir. Sistem gereksinimlerini sağlamak adına, güç yükselteçleri yüksek güç ve kazancı aynı anda sağlamalıdır. RF ve Mikrodalga frekanslarında, AlGaAs/InGaAs/GaAs tabanlı sahte biçimli yüksek elektron mobiliteli transistorler yüksek güç ve kazancı aynı anda sağlayarak önemli avantajlar sunmaktadır. Elektriksel performans, maliyet ve güvenilirlik açısından bakıldığında, pHEMT MMIC yüksek güç yükselteçleri Ku bant frekansları için en iyi alternatiflerden birisi olarak görülmektedir. Bu tezde, 3-katlı AlGaAs/InGaAs/GaAs tabanlı, 16-17.5 GHz bandında çalışan bir pHEMT MMIC yüksek güç yükselteci geliştirilmiştir. MMIC, 4 mil kalınlığında bir wafer üzerine 0.25 mikron kapı uzunluğuna sahip bir pHEMT prosesi kullanılarak 5.5x5.7 mm^2 büyüklüğünde ürettirilmiştir. 8V drain geriliminde, 85°C taban sıcaklığında, 26-24.5 dB küçük sinyal kazancı ile 3 dB doyum noktasında sürekli çalışma modunda 10-W (40 dBm) çıkış gücü, %25-30 drain verimliliği ile birlikte elde edilmiştir.

Özet (Çeviri)

Power amplifiers are regarded as the one of the most important part of the radar and communication systems. In order to satisfy the system specifications, the power amplifiers must provide high output power and high efficiency at the same time. AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic high electron mobility transistors (PHEMT) provide significant advantages offering high output power and high gain at RF and microwave frequencies. Considering the electrical performance, cost and the reliability issues, PHEMT monolithic microwave integrated circuit (MMIC) high power amplifiers are preferable at Ku-band frequencies (12-18 GHz portion of the electromagnetic spectrum in the microwave range of frequencies). In this thesis, a three-stage AlGaAs/InGaAs/GaAs pHEMT MMIC high power amplifier is developed which operates between 16-17.5 GHz. Based on 0.25 μm gate-length pHEMT process, the MMIC is fabricated on 4-mil thick wafer with the size of 5.5 x 5.7 mm^2. Under 8V drain voltage operation, 26.5-24 dB small signal gain, 10-W (40 dBm) continuous-wave mode output power at 3 dB compression with %25-30 drain efficiency is achieved when the base temperature of the chip is 85°C.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    173804

    Transdermal yolla nitrogliserin salınımında kullanılacak rezervuar tipi cihazlar için polihidroksietilmetakrilat (PHEMA) bazlı membran üretimi

    Başlık çevirisi yok

    RAMİS TEKİN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1987

    Kimya MühendisliğiHacettepe Üniversitesi

    Kimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. ERHAN PİŞKİN

  2. Tez No

    416205

    Design of a planner ku band receive antenna array for mobile platforms

    Hareketli platformlar için düzlemsel ku bandı alıcı dizi anteni tasarımı

    MUSTAFA MURAT BİLGİÇ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2014

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYeditepe Üniversitesi

    Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. KORKUT YEĞİN

  3. Tez No

    527895

    Design and manufacturing of a feed system for Ku band satellite communication

    Ku bant uydu haberleşme için bir besleme sistemi tasarımı ve üretimi

    MUSTAFA EMRE ÇARKACI

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2018

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYaşar Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MUSTAFA SEÇMEN

  4. Tez No

    826018

    A novel miniaturied radar antenna design in ku band for V2X communication

    Başlık çevirisi yok

    SAIF AL-DEEN KAMAL HEYAD

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2023

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiAltınbaş Üniversitesi

    Elektrik ve Bilgisayar Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. DOĞU ÇAĞDAŞ ATİLLA

  5. Tez No

    759532

    Bidirectional low noise X to K band sige bicmos T/R module core chip and a novel KU band reflection type phase shifter with full 360° phase shift range

    Çift yönlü düşük gürültü X'den K bandına sige bicmos T/R modül çekirdek çipi ve yeni bir KU band yansıma tipi tam 360° faz kaydırma aralığına sahip faz değiştirici

    CENGİZHAN KANA

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSabancı Üniversitesi

    Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. YAŞAR GÜRBÜZ

Geri Dön